技術(shù)總結(jié)
本實用新型公開了一種分立的功率mos場效應(yīng)管，在功率mos場效應(yīng)管成型過程中，首先在外延層中形成源區(qū)，對成型的源區(qū)進(jìn)行接觸孔腐蝕，接觸孔區(qū)域進(jìn)行P+注入與原有P+區(qū)銜接形成P+區(qū)，然后進(jìn)行金屬淀積形成金屬層，最終得到金屬層與源區(qū)的N+和P+接觸，工藝過程中減少了原有工藝過程中兩次光刻腐蝕分別形成N+和P+的光刻過程，從而將功率MOS制造流程減少一次光刻，從而簡化制造流程，降低生產(chǎn)成本，采用刻硅技術(shù)縮短了P+到金屬層接觸的路徑，從而減小了寄生P+電阻，進(jìn)而可抑制寄生NPN管的開啟，有利于提高雪崩擊穿耐量，采用先形成源區(qū)，再對成型的源區(qū)進(jìn)行接觸孔腐蝕，避免了由于N+濃度遠(yuǎn)高于P+濃度導(dǎo)致在接觸孔光刻后的P+注入無法形成的麻煩。

技術(shù)研發(fā)人員：譚在超;羅寅;丁國華;鄒望杰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安鍇威半導(dǎo)體有限公司
文檔號碼：201621426629
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.23
技術(shù)公布日：2017.07.04