本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體功率器件，特別是涉及一種分立的功率mos場效應(yīng)管。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的分立的功率mos場效應(yīng)管制造方法通常包含7層光刻終端環(huán)光刻、有源區(qū)光刻、多晶硅光刻、N+光刻、接觸孔光刻、金屬光刻和鈍化層光刻共7層光刻，而在N+注入時(shí)需要使用N+光刻來確定N+注入?yún)^(qū)域，否則，不該被注入的P+區(qū)域會(huì)被注入N+，由于通常N+濃度遠(yuǎn)高于P+濃度，這就會(huì)導(dǎo)致在接觸孔光刻后的P+注入無法形成，則無法形成P+接觸區(qū)域，工藝繁瑣且不易形成，如圖1所示。功率MOS的制造技術(shù)復(fù)雜度以及成本高低主要取決于光刻層次的多少，光刻層次多，則制造流程復(fù)雜，成本較高，反之，則制造流程簡化，成本較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種分立的功率mos場效應(yīng)管，以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：

一種功率mos場效應(yīng)管，包括襯底以及襯底上的外延層，外延層上的溝道區(qū)內(nèi)設(shè)有源區(qū)，外延層上依次設(shè)有柵極、層間介質(zhì)和金屬層，源區(qū)中的N+和P+均與金屬層接觸。

進(jìn)一步的，所述襯底為N型襯底。

進(jìn)一步的，具體的金屬層底部與P+接觸，金屬層兩側(cè)與N+側(cè)壁接觸。

進(jìn)一步的，源區(qū)兩側(cè)設(shè)有JFET注入層。

進(jìn)一步的，其中N+底線與P+上線平齊。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益的技術(shù)效果：

本實(shí)用新型一種分立的功率mos場效應(yīng)管，在功率mos場效應(yīng)管成型過程中，首先在外延層中形成源區(qū)，對(duì)成型的源區(qū)進(jìn)行接觸孔腐蝕，接觸孔區(qū)域進(jìn)行P+注入與原有P+區(qū)銜接形成P+區(qū)，然后進(jìn)行金屬淀積形成金屬層，最終得到金屬層與源區(qū)的N+和P+接觸，工藝過程中減少了原有工藝過程中兩次光刻腐蝕分別形成N+和P+的光刻過程，從而將功率MOS制造流程減少一次光刻，從而簡化制造流程，降低生產(chǎn)成本，采用刻硅技術(shù)縮短了P+到金屬層接觸的路徑，從而減小了寄生P+電阻，進(jìn)而可抑制寄生NPN管的開啟，有利于提高雪崩擊穿耐量，采用先形成源區(qū)，再對(duì)成型的源區(qū)進(jìn)行接觸孔腐蝕，避免了由于N+濃度遠(yuǎn)高于P+濃度導(dǎo)致在接觸孔光刻后的P+注入無法形成，則無法形成P+接觸區(qū)域的麻煩。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有mos場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型mos場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實(shí)用新型mos場效應(yīng)管進(jìn)行接觸孔腐蝕前結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本實(shí)用新型mos場效應(yīng)管進(jìn)行接觸孔腐蝕后結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本實(shí)用新型mos場效應(yīng)管進(jìn)行接觸孔區(qū)域進(jìn)行P+注入后結(jié)構(gòu)示意圖。

其中，1、柵極；2、層間介質(zhì)；3、金屬層；4、外延層；5、JFET注入層。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)描述：

如圖2所示，一種分立的功率mos場效應(yīng)管，包括N型襯底以及N型襯底上的外延層，外延層上通過Pbody注入推進(jìn)形成的溝道區(qū)，外延層上依次設(shè)有多晶硅形成的柵極、BPSG淀積形成的層間介質(zhì)和金屬層，外延層上通過N+注入形成源區(qū)，源區(qū)中的N+和P+均與金屬層接觸，金屬層底部與P+接觸，金屬層兩側(cè)與N+側(cè)壁接觸，源區(qū)Pbody兩側(cè)設(shè)有JFET注入層，其中N+底線與P+上線平齊。

一種分立的功率mos場效應(yīng)管的制造方法，具體包括以下步驟：

步驟1)，首先對(duì)襯底外延層外側(cè)進(jìn)行氧化，再進(jìn)行終端工藝形成終端；

具體的，對(duì)襯底外延層外側(cè)進(jìn)行氧化后依次進(jìn)行終端環(huán)光刻、終端環(huán)注入、終端環(huán)推進(jìn)、場氧化后形成終端；

其中襯底為N型襯底；

步驟2)，然后在外延層中形成源區(qū)；

在需要形成源區(qū)的外延層中進(jìn)行有源區(qū)光刻，然后進(jìn)行有源區(qū)腐蝕，然后在待形成源區(qū)兩側(cè)進(jìn)行JFET注入和柵氧生長，然后進(jìn)行多晶硅淀積和多晶硅摻雜，然后對(duì)多晶硅淀積后區(qū)域進(jìn)行多晶硅光刻和多晶硅刻蝕，然后依次進(jìn)行Pbody注入、Pbody推進(jìn)、N+注入、P+注入、BPSG淀積、BPSG回流最終形成源區(qū)；

步驟3)，通過接觸孔光刻選擇要形成接觸孔的區(qū)域，并進(jìn)行接觸孔腐蝕；

并對(duì)其他區(qū)域使用光刻膠進(jìn)行保護(hù)，不被腐蝕，在接觸孔腐蝕時(shí)，先將表面的介質(zhì)層腐蝕掉，然后通過對(duì)硅的腐蝕，將N+區(qū)硅腐蝕掉至P+區(qū)，

步驟4)，接觸孔區(qū)域進(jìn)行P+注入與原有P+區(qū)銜接形成P+區(qū)，然后進(jìn)行金屬淀積形成金屬層，最終得到金屬層與源區(qū)的N+和P+接觸。

最終將器件的源極引出，介質(zhì)層金屬在接觸孔底部與P+接觸，將器件的襯底引出，并且與源極短接在一起，具體形成過程如圖3至圖5所示。