1.一種分立的功率mos場效應(yīng)管，其特征在于，包括襯底以及襯底上的外延層，外延層上的溝道區(qū)內(nèi)設(shè)有源區(qū)，外延層上依次設(shè)有柵極、層間介質(zhì)和金屬層，源區(qū)中的N+和P+均與金屬層接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種分立的功率mos場效應(yīng)管，其特征在于，所述襯底為N型襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種分立的功率mos場效應(yīng)管，其特征在于，具體的金屬層底部與P+接觸，金屬層兩側(cè)與N+側(cè)壁接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種分立的功率mos場效應(yīng)管，其特征在于，源區(qū)兩側(cè)設(shè)有JFET注入層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種分立的功率mos場效應(yīng)管，其特征在于，其中N+底線與P+上線平齊。