本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種改善鰭式場效應(yīng)管性能的方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體工藝節(jié)點遵循摩爾定律的發(fā)展趨勢不斷減小。為了適應(yīng)工藝節(jié)點的減小，不得不不斷縮短mosfet場效應(yīng)管的溝道長度。溝道長度的縮短具有增加芯片的管芯密度，增加mosfet場效應(yīng)管的開關(guān)速度等好處。

然而，隨著器件溝道長度的縮短，器件源極與漏極間的距離也隨之縮短，這樣一來柵極對溝道的控制能力變差，使得亞閾值漏電(subthresholdleakage)現(xiàn)象，即所謂的短溝道效應(yīng)(sce：short-channeleffects)更容易發(fā)生。

因此，為了更好的適應(yīng)器件尺寸按比例縮小的要求，半導(dǎo)體工藝逐漸開始從平面mosfet晶體管向具有更高功效的三維立體式的晶體管過渡，如鰭式場效應(yīng)管(finfet)。finfet中，柵極至少可以從兩側(cè)對超薄體(鰭部)進行控制，具有比平面mosfet器件強得多的柵對溝道的控制能力，能夠很好的抑制短溝道效應(yīng)；且finfet相對于其他器件，具有更好的現(xiàn)有的集成電路制作技術(shù)的兼容性。

然而，現(xiàn)有技術(shù)形成的鰭式場效應(yīng)管的電學(xué)性能有待提高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是提供一種改善鰭式場效應(yīng)管性能的方法，改善鰭部頂部拐角圓滑度，從而改善形成的鰭式場效應(yīng)管的性能。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種改善鰭式場效應(yīng)管性能的方法，包括：提供襯底，所述襯底表面形成有分立的鰭部；形成覆蓋所述襯底表面以及鰭部側(cè)壁表面的隔離層，所述隔離層頂部低于鰭部頂部，所述隔離層暴露出第一厚度的鰭部；對所述高于隔離層的鰭部進行退火處理，所述退火處理適于 提高所述鰭部頂部拐角的圓滑度，其中，所述退火處理在含有h2的氛圍下進行；在進行所述退火處理之后，去除第二厚度的隔離層形成隔離結(jié)構(gòu)；在形成所述隔離結(jié)構(gòu)之后，對所述高于隔離結(jié)構(gòu)的鰭部進行氧化處理，在鰭部的頂部和側(cè)壁表面形成氧化層。

可選的，所述退火處理的退火溫度為300℃～500℃。

可選的，在進行退火處理的工藝中，h2流量為1sccm～1000sccm。

可選的，所述第一厚度為0.5nm～5nm。

可選的，所述第二厚度為5nm～50nm。

可選的，在形成所述隔離層之前，所述鰭部頂部表面形成有硬掩膜層。

可選的，形成所述隔離層的工藝步驟包括：形成覆蓋所述襯底表面、鰭部側(cè)壁表面、以及硬掩膜層表面的隔離膜，所述隔離膜頂部高于硬掩膜層頂部；去除高于所述硬掩膜層頂部的隔離膜；接著，去除所述硬掩膜層；去除部分厚度的隔離膜形成所述隔離層。

可選的，所述隔離膜的形成工藝包括：采用流動性化學(xué)氣相沉積工藝形成前驅(qū)隔離膜；對所述前驅(qū)隔離膜進行退火固化處理，將前驅(qū)隔離膜轉(zhuǎn)化為隔離膜。

可選的，在形成所述隔離膜之前，在所述襯底表面以及鰭部側(cè)壁表面形成線性氧化層；在去除部分厚度的隔離膜的同時，還去除高于隔離層的線性氧化層。

可選的，所述線性氧化層的材料為氧化硅。

可選的，所述氧化處理為干氧氧化、水汽氧化或濕氧氧化。

可選的，采用原位水汽生成氧化工藝進行所述氧化處理，工藝參數(shù)包括：反應(yīng)氣體包括o2、h2和h2o，其中，o2流量為0.1slm至20slm，h2流量為0.1slm至20slm，h2o流量為0.1slm至50slm，反應(yīng)腔室溫度為650度至1000度，反應(yīng)腔室壓強為0.1托至760托，反應(yīng)時長為5秒至10分。

可選的，所述氧化層的材料為氧化硅。

可選的，還包括步驟：在所述氧化層表面形成高k柵介質(zhì)層；在所述高k柵介質(zhì)層表面形成柵電極層。

可選的，所述襯底包括核心器件區(qū)和輸入輸出器件區(qū)，其中，核心器件區(qū)襯底表面形成有鰭部，輸入輸出器件區(qū)襯底表面形成有鰭部；在形成所述氧化層之后，還包括步驟：去除所述核心器件區(qū)的氧化層；在所述核心器件區(qū)的鰭部表面形成偽氧化層，所述偽氧化層的厚度小于氧化層的厚度；在所述氧化層表面以及偽氧化層表面形成偽柵層；在所述偽柵層兩側(cè)的鰭部內(nèi)形成源漏極；在所述源漏極表面形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層還覆蓋偽柵層側(cè)壁表面；刻蝕去除所述偽柵層；刻蝕去除所述偽氧化層，暴露出核心器件區(qū)鰭部表面；在所述核心器件區(qū)鰭部表面形成界面層，所述界面層厚度小于氧化層厚度。

可選的，還包括：在所述界面層表面以及氧化層表面形成柵電極層。

可選的，還包括：在所述界面層表面以及氧化層表面形成高k柵介質(zhì)層；在所述高k柵介質(zhì)層表面形成柵電極層。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明提供的改善鰭式場效應(yīng)管性能的技術(shù)方案中，在襯底表面和鰭部側(cè)壁形成隔離層，所述隔離層暴露出第一厚度的鰭部；接著，對高于隔離層的鰭部進行退火處理，所述退火處理在含有h2的氛圍下進行，且所述退火處理適于提高鰭部頂部拐角的圓滑度，使得后續(xù)在鰭部頂部和側(cè)壁形成的氧化層厚度均勻性得到提高；然后去除第二厚度的隔離層形成隔離結(jié)構(gòu)，對高于隔離結(jié)構(gòu)的鰭部進行氧化處理，由于鰭部頂部拐角圓滑度得到提高，使得鰭部頂部拐角不再具有應(yīng)力集中區(qū)域，因此氧化處理對鰭部頂部和側(cè)壁的氧化速率相同或接近，相應(yīng)形成的氧化層的厚度均勻性得到提高，改善形成的鰭式場效應(yīng)管的可靠性和電學(xué)性能。

進一步，所述隔離層暴露出的鰭部的第一厚度為0.5nm～5nm，僅暴露出需要進行圓滑化的鰭部頂部，而大部分厚度的鰭部側(cè)壁被隔離層覆蓋，因此被隔離層覆蓋的鰭部不會經(jīng)歷退火處理，從而使得被隔離層覆蓋的鰭部的寬度特征尺寸保持不變。

附圖說明

圖1至圖10為本發(fā)明一實施例提供的鰭式場效應(yīng)管形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有技術(shù)形成的鰭式場效應(yīng)管的電學(xué)性能有待提高。

鰭式場效應(yīng)管的柵介質(zhì)層包括覆蓋鰭部頂部表面和側(cè)壁表面的氧化層，所述氧化層的質(zhì)量對鰭式場效應(yīng)管的性能有著重要的影響。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)，鰭部頂部具有拐角區(qū)域(corner)，所述拐角區(qū)域為鰭部頂部表面與側(cè)壁表面的交界區(qū)域，所述拐角區(qū)域存在一定的應(yīng)力(stress)。通常的，采用氧化工藝對鰭部頂部表面和側(cè)壁表面進行氧化處理，形成所述氧化層。然而，由于受到所述拐角區(qū)域應(yīng)力的影響，氧化處理對所述拐角區(qū)域的鰭部氧化速率較小，從而導(dǎo)致拐角區(qū)域形成的氧化層的厚度較薄。

由于拐角區(qū)域形成的氧化層厚度較薄，對鰭式場效應(yīng)管的可靠性提出較大挑戰(zhàn)，例如，柵極氧化層完整性(goi，gateoxideintegrity)、電介質(zhì)與時間相關(guān)擊穿性能(tddb，timedependentdielectricbreakdown)、正溫度-不穩(wěn)定特性(pbti，positivebiastemperatureinstability)或負溫度-不穩(wěn)定特性(nbti，negativebiastemperatureinstability)中的一種或多種造成不良影響。這一問題，對于輸入輸出(io，inputoroutput)器件而言更為顯著。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種改善鰭式場效應(yīng)管性能的方法，包括：提供襯底，所述襯底表面形成有分立的鰭部；形成覆蓋所述襯底表面以及鰭部側(cè)壁表面的隔離層，所述隔離層頂部低于鰭部頂部，所述隔離層暴露出第一厚度的鰭部；對所述高于隔離層的鰭部進行退火處理，所述退火處理適于提高所述鰭部頂部拐角的圓滑度，其中，所述退火處理在含有h2的氛圍下進行；在進行所述退火處理之后，去除第二厚度的隔離層形成隔離結(jié)構(gòu)；在形成所述隔離結(jié)構(gòu)之后，對所述高于隔離結(jié)構(gòu)的鰭部進行氧化處理，在鰭部的頂部和側(cè)壁表面形成氧化層。本發(fā)明提供的方法，對鰭部頂部進行退火處理使鰭部頂部拐角圓滑化，提高鰭部頂部拐角的圓滑度，因此在所述鰭部頂部和側(cè)壁表面形成的氧化層的厚度均勻性能夠得到提高，從而改善形成的鰭式 場效應(yīng)管的性能。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細的說明。

圖1至圖10為一實施例提供的鰭式場效應(yīng)管形成過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

參考圖1，提供襯底101，所述襯底101表面形成有分立的鰭部102。

本實施例中，以形成的鰭式場效應(yīng)管包括輸入輸出器件和核心器件(coredevice)為例。所述襯底101包括核心器件區(qū)i和輸入輸出器件區(qū)ii，其中，核心器件區(qū)i為后續(xù)形成核心器件提供工藝平臺，輸入輸出器件區(qū)ii為后續(xù)形成輸入輸出器件提供工藝平臺，其中，輸入輸出器件為輸入器件或輸出器件中的一種或兩種。本實施例中，所述核心器件區(qū)i與輸入輸出器件區(qū)ii相鄰，在其他實施例中，所述核心器件區(qū)還能夠與輸入輸出器件區(qū)相隔。

所述襯底101的材料為硅、鍺、鍺化硅、碳化硅、砷化鎵或鎵化銦，所述襯底101還能夠為絕緣體上的硅襯底或者絕緣體上的鍺襯底；所述鰭部102的材料包括硅、鍺、鍺化硅、碳化硅、砷化鎵或鎵化銦。本實施例中，所述襯底101為硅襯底，所述鰭部102的材料為硅。

本實施例中，形成所述襯底101、鰭部102的工藝步驟包括：提供初始襯底；在所述初始襯底表面形成圖形化的硬掩膜層103；以所述硬掩膜層103為掩膜刻蝕所述初始襯底，刻蝕后的初始襯底作為襯底101，位于襯底101表面的凸起作為鰭部102。

在一個實施例中，形成所述硬掩膜層103的工藝步驟包括：首先形成初始硬掩膜；在所述初始硬掩膜表面形成圖形化的光刻膠層；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜刻蝕所述初始硬掩膜，在初始襯底表面形成硬掩膜層103；去除所述圖形化的光刻膠層。在其他實施例中，所述硬掩膜層的形成工藝還能夠包括：自對準雙重圖形化(sadp，self-aligneddoublepatterned)工藝、自對準三重圖形化(self-alignedtriplepatterned)工藝、或自對準四重圖形化(self-aligneddoubledoublepatterned)工藝。所述雙重圖形化工藝包括lele(litho-etch-litho-etch)工藝或lle(litho-litho-etch)工藝。

本實施例中，在形成所述鰭部102之后，保留位于鰭部102頂部表面的硬掩膜層103。所述硬掩膜層103的材料為氮化硅，后續(xù)在進行平坦化工藝時，所述硬掩膜層103頂部表面能夠作為平坦化工藝的停止位置，起到保護鰭部102頂部的作用。

本實施例中，所述鰭部102的頂部尺寸小于底部尺寸。在其他實施例中，所述鰭部的側(cè)壁還能夠與襯底表面相垂直，即鰭部的頂部尺寸等于底部尺寸。

所述鰭部102頂部拐角區(qū)域的圓滑度較差，在一實施例中，所述鰭部102頂部拐角呈接近90度，使得所述拐角區(qū)域的應(yīng)力較為集中。

參考圖2，對所述鰭部102表面進行氧化處理，在所述襯底100表面和鰭部102側(cè)壁表面形成線性氧化層104。

由于鰭部102為通過刻蝕初始襯底后形成，所述鰭部102通常具有凸出的棱角且表面具有缺陷。本實施例對鰭部102進行氧化處理形成線性氧化層104，在氧化處理過程中，由于鰭部102凸出的棱角部分的比表面積更大，更容易被氧化，后續(xù)去除所述線性氧化層104之后，不僅鰭部102表面的缺陷層被去除，且凸出棱角部分也被去除，使鰭部102的表面光滑，晶格質(zhì)量得到改善，避免鰭部102尖端放電問題。并且，形成的線性氧化層104還有利于提高后續(xù)形成的隔離層與鰭部102之間的界面性能。

所述氧化處理可以采用氧等離子體氧化工藝、或者硫酸和過氧化氫的混合溶液氧化工藝。所述氧化處理還會對襯底101表面進行氧化，使得形成的線性氧化層104還位于襯底101表面。

本實施例中，采用issg(原位水汽生成，in-situstreamgeneration)氧化工藝對鰭部102進行氧化處理，形成所述線性氧化層104，由于鰭部102的材料為硅，相應(yīng)形成的線性氧化層104的材料為氧化硅。

所述氧化處理為拐角圓化處理，然而，在進行所述氧化處理之后，所述鰭部102的拐角區(qū)域仍具有一定的應(yīng)力。

參考圖3，形成覆蓋所述襯底101表面、鰭部102側(cè)壁表面、以及硬掩膜層103表面的隔離膜105，所述隔離膜105頂部高于硬掩膜層103頂部；接著，去除高于所述硬掩膜層103頂部的隔離膜105，使所述隔離膜105頂部與硬掩 膜層103頂部齊平。

本實施例中，還在所述線性氧化層104表面形成隔離膜105。

所述隔離膜105為后續(xù)形成隔離結(jié)構(gòu)提供工藝基礎(chǔ)；所述隔離膜105的材料為絕緣材料，例如為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。本實施例中，所述隔離膜105的材料為氧化硅。

為了提高形成隔離膜105工藝的填孔(gap-filling)能力，采用流動性化學(xué)氣相沉積(fcvd，flowablecvd)或高縱寬比化學(xué)氣相沉積工藝(harpcvd)，形成所述隔離膜105。在一個具體實施例中，所述隔離膜105的形成工藝包括：采用流動性化學(xué)氣相沉積工藝形成前驅(qū)隔離膜；對所述前驅(qū)隔離膜進行退火固化處理，將前驅(qū)隔離膜轉(zhuǎn)化為隔離膜105。

本實施例中，采用化學(xué)機械研磨工藝，研磨去除高于硬掩膜層103頂部的隔離膜105，直至剩余隔離膜105頂部與硬掩膜層103頂部齊平。

參考圖4，去除所述硬掩膜層103(參考圖3)。

采用濕法刻蝕工藝，刻蝕去除所述硬掩膜層103。

本實施例中，所述硬掩膜層103的材料為氮化硅，刻蝕去除硬掩膜層103采用的刻蝕液體為磷酸溶液。

參考圖5，去除部分厚度的隔離膜105(參考圖4)，形成覆蓋所述襯底101表面以及鰭部102側(cè)壁表面的隔離層106，所述隔離層106頂部低于鰭部102頂部，所述隔離層106暴露出第一厚度的鰭部102。

所述隔離層106的作用包括：一方面，后續(xù)會繼續(xù)刻蝕去除部分厚度的隔離層106以形成隔離結(jié)構(gòu)；另一方面，所述隔離層106覆蓋鰭部102的大部分側(cè)壁表面，僅將第一厚度的鰭部102暴露出來，因此被隔離層106覆蓋的鰭部102側(cè)壁免受后續(xù)的退火處理產(chǎn)生的影響，從而保證鰭部102的寬度特征尺寸不會變大。

所述第一厚度不宜過大，否則后續(xù)暴露在退火處理環(huán)境中的鰭部102的厚度過大，導(dǎo)致在提高鰭部102頂部拐角圓滑度的同時，還造成較厚的鰭部102的寬度特征尺寸變大，影響鰭式場效應(yīng)管的性能。為此，本實施例中，所 述第一厚度為0.5nm～5nm。

采用干法刻蝕工藝、濕法刻蝕工藝或干法刻蝕工藝與濕法刻蝕工藝相結(jié)合的工藝，刻蝕去除部分厚度的隔離膜105。

本實施例中，采用濕法刻蝕工藝刻蝕去除部分厚度的隔離膜105，濕法刻蝕工藝采用的刻蝕液體為氫氟酸溶液。

在去除部分厚度的隔離膜105的過程中，還刻蝕去除部分線性氧化層104，去除高于隔離層106的線性氧化層104。

參考圖6，對所述高于隔離層106的鰭部102進行退火處理107，所述退火處理107適于提高所述鰭部102頂部拐角的圓滑度，其中，所述退火處理在含有h2的氛圍進行。

在所述退火處理107過程中，位于鰭部102頂部拐角區(qū)域的硅原子發(fā)生遷移，所述位于鰭部102頂部拐角區(qū)域的硅原子發(fā)生遷移方向的總體趨勢為向襯底101表面方向移動。因此，所述退火處理107能夠提高鰭部102頂部拐角的圓滑度，對鰭部102的頂部拐角圓滑化(cornerrounding)的效果好。

在h2的氛圍下進行退火處理107能夠提高鰭部102頂部拐角的圓滑度，其作用機理較為復(fù)雜。作為一種解釋，由于鰭部102頂部拐角區(qū)域的應(yīng)力作用較大，使得鰭部102頂部拐角區(qū)域的硅原子懸掛鍵較多，因此，在外界提供給鰭部102頂部拐角區(qū)域的硅原子足夠的能量時，硅原子會掙脫si-si鍵的束縛，成為游離的硅原子，游離的硅原子在自身重力作用下向襯底101表面方向移動。

若所述退火處理107的退火溫度過低，則鰭部102頂部拐角區(qū)域的硅原子獲得的能量較低，硅原子難以獲得能掙脫化學(xué)鍵束縛的能量；所述退火處理107的退火溫度也不宜過高，否則鰭部102頂部拐角區(qū)域的硅原子的遷移距離將增加，造成鰭部102的寬度特征尺寸變大。為此，本實施例中，所述退火處理107的退火溫度為300℃～500℃。

在一個具體實施例中，所述退火處理107的工藝參數(shù)包括：h2流量為1sccm～1000sccm，退火溫度為300℃～500℃。

在退火處理107過程中，由于大部分鰭部102的側(cè)壁被隔離層106覆蓋，使得被隔離層106覆蓋的鰭部102未暴露在退火處理107環(huán)境中，使得被隔離層106覆蓋的鰭部102中的硅原子不會發(fā)生遷移，從而避免鰭部102底部的寬度特征尺寸變大。

參考圖7，在進行所述退火處理之后，去除第二厚度的隔離層106(參考圖6)形成隔離結(jié)構(gòu)108。

所述隔離結(jié)構(gòu)108起到電學(xué)隔離的作用。本實施例中，所述第二厚度為5nm～50nm。

采用濕法刻蝕工藝、干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝或干法刻蝕工藝相結(jié)合的刻蝕工藝，刻蝕去除第二厚度的隔離層106。

本實施例中，采用濕法刻蝕工藝，刻蝕去除第二厚度的隔離層106，所述濕法刻蝕工藝的刻蝕液體為氫氟酸溶液。

參考圖8，在形成所述隔離結(jié)構(gòu)108之后，對所述高于隔離結(jié)構(gòu)108的鰭部102進行氧化處理，在鰭部102的頂部和側(cè)壁表面形成氧化層109。

所述氧化處理為干氧氧化、水汽氧化或濕氧氧化。本實施例中，采用原位水汽生成氧化工藝進行所述氧化處理，工藝參數(shù)包括：反應(yīng)氣體包括o2、h2和h2o，其中，o2流量為0.1slm至20slm，h2流量為0.1slm至20slm，h2o流量為0.1slm至50slm，反應(yīng)腔室溫度為650度至1000度，反應(yīng)腔室壓強為0.1托至760托，反應(yīng)時長為5秒至10分。

由于前述的退火處理使得鰭部102頂部拐角的圓滑度得到提高，因此鰭部102頂部拐角的應(yīng)力作用減小，使得氧化處理對鰭部102頂部和側(cè)壁的氧化速率相同或相差很小，從而使得形成的氧化層109的厚度均勻性好，避免了現(xiàn)有技術(shù)中鰭部拐角區(qū)域氧化層厚度薄的問題，進而提高柵極氧化層完整性、改善tddb效應(yīng)、nbti效應(yīng)或pbti效應(yīng)，提高形成的鰭式場效應(yīng)管的可靠性和電學(xué)性能。

本實施例中，所述氧化層109的材料為氧化硅，所述氧化層109的厚度為10埃至30埃。

本實施例中，形成的鰭式場效應(yīng)管包括輸入輸出器件和核心器件，所述氧化層109作為輸入輸出器件中柵介質(zhì)層的一部分，后續(xù)會去除核心器件區(qū)i的氧化層109、保留輸入輸出器件區(qū)ii的氧化層109，在核心器件區(qū)i重新形成厚度比氧化層109薄的界面層。

參考圖9，刻蝕去除位于核心器件區(qū)i的氧化層109；接著，在所述核心器件區(qū)i的鰭部102表面形成偽氧化層110。

本實施例中，采用siconi刻蝕系統(tǒng)刻蝕去除位于核心器件區(qū)i的氧化層109。

所述偽氧化層110的材料為氧化硅，在后續(xù)刻蝕去除偽柵層的過程中，所述偽氧化層110起到保護核心器件區(qū)i鰭部102的作用。本實施例中，采用氧化工藝形成所述偽氧化層110。

參考圖10，在所述輸入輸出器件區(qū)ii的氧化層109表面以及核心器件區(qū)i的偽氧化層110表面形成偽柵膜；在所述偽柵膜表面形成第二圖形層(未圖示)；以所述第二圖形層為掩膜，圖形化所述偽柵膜形成偽柵層112。

本實施例中，采用后形成高k柵介質(zhì)層后形成柵電極層(highklastmetalgatelast)的工藝。所述偽柵層112的材料為多晶硅、非晶碳或非晶硅；所述偽柵層112為鰭式場效應(yīng)管的實際柵極結(jié)構(gòu)占據(jù)空間位置。

本實施例中，所述偽柵層112的材料為多晶硅。

后續(xù)的工藝步驟包括：對所述偽柵層112兩側(cè)的鰭部102進行摻雜處理，在所述鰭部102內(nèi)形成源漏極；在所述源漏極表面形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層覆蓋偽柵層112側(cè)壁表面；刻蝕去除所述偽柵層112；刻蝕去除所述偽氧化層110；在所述核心器件區(qū)i的鰭部102表面形成界面層，所述界面層的厚度小于氧化層109的厚度；形成覆蓋所述界面層表面以及氧化層109表面的高k柵介質(zhì)層；在所述高k柵介質(zhì)層表面形成柵電極層。在另一實施例中，還能夠直接在界面層表面以及氧化層表面形成柵電極層。

其中，形成的核心器件的柵介質(zhì)層包括界面層以及位于界面層表面的高k柵介質(zhì)層，形成的輸入輸出器件的柵介質(zhì)層包括氧化層109以及位于氧化層109表面的高k柵介質(zhì)層。由前述分析可知，本實施例中形成的氧化層109具 有較高的厚度均勻性，且所述氧化層109與鰭部102之間具有圓滑的拐角形貌界面，從而使得形成的輸入輸出器件的柵介質(zhì)層厚度均勻性好，避免拐角尖銳而造成的尖端放電問題，改善goi問題、tddb問題、nbti問題以及pbti問題，提高輸入輸出器件的可靠性和電學(xué)性能，進而改善形成的鰭式場效應(yīng)管的可靠性和電學(xué)性能。

在其他實施例中，還能夠采用先形成高k柵介質(zhì)層后形成柵電極層的工藝(highkfirstmetalgatelast)，即，在形成偽柵膜之前在界面層以及氧化層表面形成高k柵介質(zhì)層；或者采用先形成高k柵介質(zhì)層先形成柵電極層的工藝(highkfirstmetalgatefirst)的工藝，即，無需形成偽柵膜，直接在界面層以及氧化層表面形成高k柵介質(zhì)層，然后在高k柵介質(zhì)層表面形成柵電極層，接著圖形化所述柵電極層以及高k柵介質(zhì)層，形成柵極結(jié)構(gòu)。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準。