本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體制造中，隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展趨勢(shì)，集成電路特征尺寸持續(xù)減小。為了適應(yīng)特征尺寸的減小，mosfet場(chǎng)效應(yīng)管的溝道長度也相應(yīng)不斷縮短。然而，隨著器件溝道長度的縮短，器件源極與漏極間的距離也隨之縮短，因此柵極對(duì)溝道的控制能力隨之變差，柵極電壓夾斷(pinchoff)溝道的難度也越來越大，使得亞閾值漏電(subthresholdleakage)現(xiàn)象，即所謂的短溝道效應(yīng)(sce：short-channeleffects)更容易發(fā)生。

因此，為了更好的適應(yīng)特征尺寸的減小，半導(dǎo)體工藝逐漸開始從平面mosfet晶體管向具有更高功效的三維立體式的晶體管過渡，如鰭式場(chǎng)效應(yīng)管(finfet)。finfet中，柵至少可以從兩側(cè)對(duì)超薄體(鰭部)進(jìn)行控制，具有比平面mosfet器件強(qiáng)得多的柵對(duì)溝道的控制能力，能夠很好的抑制短溝道效應(yīng)；且finfet相對(duì)于其他器件，具有更好的現(xiàn)有的集成電路制作技術(shù)的兼容性。

但是，現(xiàn)有技術(shù)形成的半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能仍有待提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，優(yōu)化半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。包括如下步驟：提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底包括襯底以及位于所述襯底上的鰭部；在所述鰭部之間的襯底上形成隔離結(jié)構(gòu)，其中露出于所述隔離結(jié)構(gòu)的鰭部作為鰭部第一區(qū)域，剩余的未露出部分作為鰭部第二區(qū)域；形成橫跨所述鰭部表面的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋所述鰭部第一區(qū)域的頂部和側(cè)壁；以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對(duì)所述鰭部第二區(qū)域進(jìn)行緩沖離子摻雜工藝，形成緩沖 摻雜離子區(qū)；形成所述緩沖摻雜離子區(qū)后，對(duì)所述鰭部第一區(qū)域進(jìn)行淺摻雜工藝，形成淺摻雜離子區(qū)，且所述淺摻雜離子區(qū)的離子類型與所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型相同；形成所述淺摻雜離子區(qū)后，通過重?fù)诫s工藝在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部內(nèi)形成源區(qū)或漏區(qū)，其中所述重?fù)诫s工藝注入的離子劑量大于所述緩沖離子摻雜工藝注入的離子劑量。

可選的，所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子，所述淺摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子。

可選的，緩沖離子摻雜工藝的參數(shù)包括：所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子，注入的離子包括磷離子，注入的離子能量為8kev至20kev，注入的離子劑量為5e12至1e14原子每平方厘米，注入角度為0度至7度；所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為p型離子，注入的離子包括硼離子，注入的離子能量為6kev至16kev，注入的離子劑量為5e12至1e14原子每平方厘米，注入角度為0度至7度。

可選的，所述淺摻雜工藝的參數(shù)包括：所述淺摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子，注入的離子包括磷離子，注入的離子能量為2kev至10kev，注入的離子劑量為8e13至1e14原子每平方厘米，注入角度為10度至20度；所述淺摻雜離子區(qū)的離子類型為p型離子，注入的離子包括硼離子，注入的離子能量為2kev至8kev，注入的離子劑量為8e13至5e14原子每平方厘米，注入角度為10度至20度。

可選的，對(duì)所述鰭部第二區(qū)域進(jìn)行緩沖離子摻雜工藝后，對(duì)所述鰭部第一區(qū)域進(jìn)行淺摻雜工藝之前，所述制造方法還包括：對(duì)所述半導(dǎo)體基底進(jìn)行退火工藝，促進(jìn)所述緩沖摻雜離子橫向擴(kuò)散進(jìn)位于所述鰭部第二區(qū)域內(nèi)。

可選的，所述退火工藝的工藝參數(shù)包括：退火溫度為750攝氏度至1000攝氏度，壓強(qiáng)為一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，反應(yīng)氣體為氮?dú)猓獨(dú)獾臍怏w流量為5每分鐘標(biāo)準(zhǔn)升至40每分鐘標(biāo)準(zhǔn)升。

可選的，所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，位于所述第一區(qū)域襯底上的鰭部為第一鰭部，位于所述第二區(qū)域襯底上的鰭部為第二鰭部；露出于所述第一區(qū)域隔離結(jié)構(gòu)的第一鰭部為第一鰭部第一區(qū)域，剩余的未露出部分作 為第一鰭部第二區(qū)域；露出于所述第二區(qū)域隔離結(jié)構(gòu)的第二鰭部為第二鰭部第一區(qū)域，剩余的未露出部分作為第二鰭部第二區(qū)域。

可選的，對(duì)所述鰭部第二區(qū)域進(jìn)行緩沖離子摻雜工藝的步驟包括：對(duì)所述第一鰭部第二區(qū)域進(jìn)行第一緩沖離子摻雜工藝，形成第一緩沖摻雜離子區(qū)；對(duì)所述第二鰭部第二區(qū)域進(jìn)行第二緩沖離子摻雜工藝，形成第二緩沖摻雜離子區(qū)。

可選的，所述第一緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子，所述第二緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子。

可選的，對(duì)所述鰭部第一區(qū)域進(jìn)行淺摻雜工藝的步驟包括：對(duì)所述第一鰭部第一區(qū)域進(jìn)行第一淺摻雜工藝，形成第一淺摻雜離子區(qū)；對(duì)所述第二鰭部第一區(qū)域進(jìn)行第二淺摻雜工藝，形成第二淺摻雜離子區(qū)。

可選的，所述第一淺摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子，所述第二淺摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子。

可選的，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部內(nèi)形成源區(qū)或漏區(qū)的步驟包括：在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部內(nèi)形成應(yīng)力層；在所述應(yīng)力層內(nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種采用上述方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：半導(dǎo)體基底，包括襯底以及位于所述襯底上的鰭部；隔離結(jié)構(gòu)，位于所述鰭部之間的襯底上，其中露出于所述隔離結(jié)構(gòu)的鰭部作為鰭部第一區(qū)域，剩余的未露出部分作為鰭部第二區(qū)域；柵極結(jié)構(gòu)，橫跨所述鰭部表面，且覆蓋所述鰭部第一區(qū)域的頂部和側(cè)壁；淺摻雜離子區(qū)，位于所述鰭部第一區(qū)域內(nèi)；緩沖摻雜離子區(qū)，位于所述鰭部第二區(qū)域內(nèi)，所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型與所述淺摻雜離子區(qū)的離子類型相同；源區(qū)或漏區(qū)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部內(nèi)，其中所述源區(qū)或漏區(qū)的離子濃度大于所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子濃度。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明在形成源區(qū)或漏區(qū)之前，先在所述鰭部第二區(qū)域內(nèi)形成緩沖摻雜離子區(qū)，其中所述重?fù)诫s工藝注入的離子劑量大于所述緩沖離子摻雜工藝注入的離子劑量，使所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子濃度介于所述源區(qū)或漏區(qū)和所 述襯底之間，從而使所述源區(qū)或漏區(qū)與所述襯底之間具有緩變摻雜區(qū)，即降低所述源區(qū)或漏區(qū)與所述襯底的濃度梯度，使所述源區(qū)或漏區(qū)與襯底之間形成緩變結(jié)，由于緩變結(jié)的漏電流較小，進(jìn)而可以降低器件源區(qū)或漏區(qū)與襯底之間的結(jié)漏電流，優(yōu)化半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

附圖說明

圖1至圖8是本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法一實(shí)施例中各步驟對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

由背景技術(shù)可知，為了改善器件的短溝道效應(yīng)(sce：short-channeleffects)，半導(dǎo)體工藝逐漸開始從平面mosfet晶體管向具有更高功效的三維立體式的晶體管過渡，如鰭式場(chǎng)效應(yīng)管(finfet)。但是，現(xiàn)有技術(shù)形成的finfet的電學(xué)性能仍有待提高。

分析其原因在于：器件的源區(qū)或漏區(qū)位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部內(nèi)，由于源區(qū)或漏區(qū)的摻雜離子濃度較大，襯底的摻雜離子濃度較小，使所述源區(qū)或漏區(qū)與襯底的濃度梯度過大，從而使所述源區(qū)或漏區(qū)與襯底之間形成突變結(jié)，而一般突變結(jié)的漏電流較大，進(jìn)而導(dǎo)致器件源區(qū)或漏區(qū)與襯底之間的結(jié)漏電流(junctionleak)增大，器件的電學(xué)性能降低。

為了解決所述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底包括襯底以及位于所述襯底上的鰭部；在所述鰭部之間的襯底上形成隔離結(jié)構(gòu)，其中露出于所述隔離結(jié)構(gòu)的鰭部作為鰭部第一區(qū)域，剩余的未露出部分作為鰭部第二區(qū)域；形成橫跨所述鰭部表面的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋所述鰭部第一區(qū)域的頂部和側(cè)壁；以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，對(duì)所述鰭部第二區(qū)域進(jìn)行緩沖離子摻雜工藝，形成緩沖摻雜離子區(qū)；形成所述緩沖摻雜離子區(qū)后，對(duì)所述鰭部第一區(qū)域進(jìn)行淺摻雜工藝，形成淺摻雜離子區(qū)，且所述淺摻雜離子區(qū)的離子類型與所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型相同；形成所述淺摻雜離子區(qū)后，通過重?fù)诫s工藝在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部內(nèi)形成源區(qū)或漏區(qū)，其中所述重?fù)诫s工藝注入的離子劑量大于所述緩沖離子摻雜工藝注入的離子劑量。

本發(fā)明在形成源區(qū)或漏區(qū)之前，先在所述鰭部第二區(qū)域內(nèi)形成緩沖摻雜離子區(qū)，其中所述重?fù)诫s工藝注入的離子劑量大于所述緩沖離子摻雜工藝注入的離子劑量，使所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子濃度介于所述源區(qū)或漏區(qū)和所述襯底之間，從而使所述源區(qū)或漏區(qū)與所述襯底之間具有緩變摻雜區(qū)，即降低所述源區(qū)或漏區(qū)與所述襯底的濃度梯度，使所述源區(qū)或漏區(qū)與襯底之間形成緩變結(jié)，由于緩變結(jié)的漏電流較小，進(jìn)而可以降低器件源區(qū)或漏區(qū)與襯底之間的結(jié)漏電流，優(yōu)化半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。

圖1至圖8是本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法一實(shí)施例中各步驟對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)示意圖。

參考1，提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底包括襯底100以及位于所述襯底100上的鰭部(未標(biāo)示)。

所述半導(dǎo)體基底為后續(xù)形成器件提供工藝平臺(tái)。本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體基底用于形成n型器件或p型器件。

具體地，所述襯底100包括第一區(qū)域ⅰ和第二區(qū)域ⅱ，凸出于所述第一區(qū)域ⅰ襯底100的鰭部為第一鰭部110，凸出于所述第二區(qū)域ⅱ襯底100的鰭部為第二鰭部120。

本實(shí)施例中，所述第一區(qū)域ⅰ襯底100用于形成n型器件，所述第二區(qū)域ⅱ襯底100用于形成p型器件。在另一實(shí)施例中，所述第一區(qū)域襯底可以用于形成p型器件，所述第二區(qū)域襯底可以用于形成n型器件。

所述襯底100的材料為硅、鍺、鍺化硅、碳化硅、砷化鎵或鎵化銦，所述襯底100還能夠?yàn)榻^緣體上的硅襯底或者絕緣體上的鍺襯底；所述第一鰭部110和第二鰭部120的材料包括硅、鍺、鍺化硅、碳化硅、砷化鎵或鎵化銦。本實(shí)施例中，所述襯底100為硅襯底，所述第一鰭部110和第二鰭部120的材料為硅。

具體地，形成所述半導(dǎo)體基底的步驟包括：提供初始基底，在所述初始基底上形成圖形化的硬掩膜層200；以所述硬掩模層200為掩膜，刻蝕所述初 始基底，形成若干分立的凸起；所述凸起為鰭部，刻蝕后的初始基底作為襯底100，所述襯底100包括第一區(qū)域ⅰ和第二區(qū)域ⅱ，位于所述第一區(qū)域ⅰ的鰭部為第一鰭部110，位于所述第二區(qū)域ⅱ的鰭部為第二鰭部120。

本實(shí)施例中，所述硬掩膜層200的材料為氮化硅，后續(xù)在進(jìn)行平坦化工藝時(shí)，所述硬掩膜層200表面能夠作為平坦化工藝的停止位置，且所述硬掩膜層200還能夠起到保護(hù)所述第一鰭部110頂部和第二鰭部120頂部的作用。

需要說明的是，形成所述半導(dǎo)體基底之后，所述制造方法還包括：在所述第一鰭部110和第二鰭部120表面形成線性氧化層101，用于修復(fù)所述第一鰭部110和第二鰭部120。

在氧化處理過程中，由于所述第一鰭部110和第二鰭部120凸出的棱角部分的比表面更大，更容易被氧化，后續(xù)去除所述線性氧化層101之后，不僅所述第一鰭部110和第二鰭部120表面的缺陷層被去除，且凸出棱角部分也被去除，使所述第一鰭部110和第二鰭部120的表面光滑，晶格質(zhì)量得到改善，避免所述第一鰭部110和第二鰭部120頂角尖端放電問題，有利于改善鰭式場(chǎng)效應(yīng)管的性能。

本實(shí)施例中，所述線性氧化層101還位于所述襯底100表面，所述線性101的材料為氧化硅。

參考圖2，形成所述線性氧化層101之后，在所述鰭部(未標(biāo)示)之間的襯底100上形成隔離結(jié)構(gòu)102，其中露出于所述隔離結(jié)構(gòu)102的鰭部作為鰭部第一區(qū)域(未標(biāo)示)，剩余的未露出部分作為鰭部第二區(qū)域(未標(biāo)示)。

所述隔離結(jié)構(gòu)102作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的隔離結(jié)構(gòu)，用于對(duì)相鄰器件之間起到隔離作用，所述隔離結(jié)構(gòu)102的材料可以為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。本實(shí)施例中，所述隔離結(jié)構(gòu)102的材料為氧化硅。

需要說明的是，本實(shí)施例中，所述隔離結(jié)構(gòu)102是淺溝槽隔離層，但不限于淺溝槽隔離層。

本實(shí)施例中，所述鰭部包括位于所述第一區(qū)域ⅰ襯底100上的第一鰭部110，以及位于所述第二區(qū)域ⅱ襯底100上的第二鰭部120。相應(yīng)的，露出于所述第一區(qū)域ⅰ隔離結(jié)構(gòu)102的第一鰭部110為第一鰭部第一區(qū)域111，剩余 的未露出部分作為第一鰭部第二區(qū)域112；露出于所述第二區(qū)域ⅱ隔離結(jié)構(gòu)102的第二鰭部120為第二鰭部第一區(qū)域121，剩余的未露出部分作為第二鰭部第二區(qū)域122。

具體地，形成所述隔離結(jié)構(gòu)102的步驟包括：在所述線性氧化層101表面形成隔離膜，所述隔離膜的頂部高于所述硬掩膜層200(如圖1所示)頂部；研磨去除高于所述硬掩膜層200頂部的隔離膜；去除部分厚度的隔離膜以形成隔離結(jié)構(gòu)102；去除所述硬掩膜層200。

需要說明的是，在去除部分厚度的隔離膜的同時(shí)中還去除部分鰭部表面的線性氧化層101。

參考圖3，形成橫跨所述鰭部(未標(biāo)示)表面的柵極結(jié)構(gòu)103，所述柵極結(jié)構(gòu)103覆蓋所述鰭部第一區(qū)域的頂部和側(cè)壁。

本實(shí)施例中，所述柵極結(jié)構(gòu)103為偽柵結(jié)構(gòu)，包括橫跨所述鰭部(未標(biāo)示)表面的偽柵氧化層(圖未示)，以及位于所述偽柵氧化層表面的偽柵電極層(圖未示)。

所述柵極結(jié)構(gòu)103用于為后續(xù)形成金屬柵極結(jié)構(gòu)占據(jù)空間位置。所述偽柵氧化層的材料為氧化硅，所述偽柵電極層的材料為多晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅或非晶碳。本實(shí)施例中，所述偽柵電極層的材料為多晶硅。

在另一實(shí)施例中，所述柵極結(jié)構(gòu)為金屬柵極結(jié)構(gòu)。所述柵極結(jié)構(gòu)的材料可以為al、cu、ag、au、pt、ni、ti或w。

需要說明的是，形成所述柵極結(jié)構(gòu)103之后，所述制造方法還包括：在所述柵極結(jié)構(gòu)103側(cè)壁形成第一側(cè)壁層(圖未示)。

所述第一側(cè)壁層的材料可以為氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼或碳氮化硼，所述第一側(cè)壁層可以為單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，所述第一側(cè)壁層為單層結(jié)構(gòu)，所述第一側(cè)壁層的材料為氮化硅。

結(jié)合參考圖4和圖5，以所述柵極結(jié)構(gòu)103為掩膜，對(duì)所述鰭部第二區(qū)域 (未標(biāo)示)進(jìn)行緩沖離子摻雜工藝(未標(biāo)示)，形成緩沖摻雜離子區(qū)(圖未示)。

所述緩沖離子摻雜工藝用于在所述鰭部第二區(qū)域內(nèi)形成緩沖摻雜離子區(qū)，從而降低后續(xù)在所述鰭部第一區(qū)域內(nèi)形成的源區(qū)或漏區(qū)與所述襯底100的濃度梯度，在所述源區(qū)或漏區(qū)與所述襯底100之間形成緩變結(jié)，由于緩變結(jié)的漏電流較小，進(jìn)而可以降低所述源區(qū)或漏區(qū)與所述襯底100之間的結(jié)漏電流(junctionleak)。

所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子。

需要說明的是，為了避免所述緩沖離子摻雜工藝的離子被注入進(jìn)所述鰭部第一區(qū)域內(nèi)，離子注入角度不宜過大。本實(shí)施例中，所述緩沖離子摻雜工藝的離子注入角度為0度至7度。

還需要說明的是，注入的離子能量不宜過小，也不宜過大。如果注入的離子能量過小，容易導(dǎo)致離子被注入進(jìn)所述鰭部第一區(qū)域內(nèi)，而所述鰭部第一區(qū)域?yàn)楹罄m(xù)形成源區(qū)或漏區(qū)的區(qū)域，從而容易對(duì)器件的電學(xué)性能造成不良影響；如果注入的離子能量過大，容易導(dǎo)致形成的緩沖摻雜離子位于所述鰭部第二區(qū)域靠近所述襯底100的區(qū)域內(nèi)，或位于所述襯底100內(nèi)，反而不利于后續(xù)在所述鰭部第一區(qū)域內(nèi)形成的源區(qū)或漏區(qū)與所述襯底100之間形成緩變結(jié)

本實(shí)施例中，所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子，注入的離子包括磷離子，注入的離子能量為8kev至20kev；所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為p型離子，注入的離子包括硼離子，注入的離子能量為6kev至16kev。

還需要說明的是，注入的離子劑量不宜過小，也不宜過大。如果注入的離子劑量過小，所述緩沖摻雜離子的離子濃度與后續(xù)在所述鰭部第一區(qū)域內(nèi)形成的源區(qū)或漏區(qū)的離子濃度的濃度差值較大，即濃度梯度較大，容易在所述源區(qū)或漏區(qū)與所述襯底100之間形成突變結(jié)，從而容易引起結(jié)漏電流增加的問題；如果注入的離子劑量過大，難以降低后續(xù)在所述鰭部第一區(qū)域內(nèi)形成的源區(qū)或漏區(qū)與所述襯底100的濃度梯度，從而引起所述源區(qū)或漏區(qū)與所述襯底100之間結(jié)漏電流增加的問題。

本實(shí)施例中，所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子，注入的離子 包括磷離子，注入的離子劑量為5e12至1e14原子每平方厘米；所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為p型離子，注入的離子包括硼離子，注入的離子劑量為5e12至1e14原子每平方厘米。

本實(shí)施例中，所述第一鰭部110包括位于所述第一區(qū)域ⅰ隔離結(jié)構(gòu)102內(nèi)的第一鰭部第二區(qū)域112；所述第二鰭部120包括位于所述第二區(qū)域ⅱ隔離結(jié)構(gòu)102內(nèi)的第二鰭部第二區(qū)域122。

相應(yīng)的，對(duì)所述鰭部第二區(qū)域進(jìn)行緩沖離子摻雜工藝的步驟包括：對(duì)所述第一鰭部第二區(qū)域112進(jìn)行第一緩沖離子摻雜工藝300(如圖4所示)，形成第一緩沖摻雜離子區(qū)(圖未示)；對(duì)所述第二鰭部第二區(qū)域122進(jìn)行第二緩沖離子摻雜工藝310(如圖5所示)，形成第二緩沖摻雜離子區(qū)(圖未示)。

所述第一緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子，所述第二緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子。本實(shí)施例中，所述第一緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子，所述第二緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為p型離子。

在另一實(shí)施例中，所述第一區(qū)域襯底用于形成p型器件，所述第二區(qū)域襯底用于形成n型器件，相應(yīng)的，所述第一緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為p型離子，所述第二緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子。

具體地，如圖4所示，對(duì)所述第一鰭部第二區(qū)域112進(jìn)行第一緩沖離子摻雜工藝300的步驟包括：在所述半導(dǎo)體基底表面形成第一圖形層(圖未示)，所述第一圖形層覆蓋所述第二區(qū)域ⅱ的隔離結(jié)構(gòu)102和第二鰭部120表面；以所述第一圖形層為掩膜，沿垂直于所述襯底100表面的方向，對(duì)所述半導(dǎo)體基底進(jìn)行第一緩沖離子摻雜工藝300，將摻雜離子注入進(jìn)所述第一區(qū)域ⅰ的隔離結(jié)構(gòu)102和第一鰭部第二區(qū)域112內(nèi)，在所述第一鰭部第二區(qū)域112內(nèi)形成第一緩沖摻雜離子區(qū)；去除所述第一圖形層。

具體地，如圖5所示，對(duì)所述第二鰭部第二區(qū)域122進(jìn)行第二緩沖離子摻雜工藝310的步驟包括：在所述半導(dǎo)體基底表面形成第二圖形層(圖未示)，所述第二圖形層覆蓋所述第一區(qū)域ⅰ的隔離結(jié)構(gòu)102和第一鰭部110表面；以所述第二圖形層為掩膜，沿垂直于所述襯底100表面的方向，對(duì)所述半導(dǎo) 體基底進(jìn)行第二緩沖離子摻雜工藝310，將摻雜離子注入進(jìn)所述第二區(qū)域ⅱ的隔離結(jié)構(gòu)102和第二鰭部第二區(qū)域122內(nèi)，在所述第二鰭部第二區(qū)域122內(nèi)形成第二緩沖摻雜離子區(qū)；去除所述第二圖形層。

需要說明的是，本實(shí)施例中，先在所述第一鰭部第二區(qū)域112內(nèi)形成第一緩沖摻雜離子區(qū)，然后在所述第二鰭部第二區(qū)域122內(nèi)形成第二緩沖摻雜離子區(qū)。在另一實(shí)施例中，還可以先在第二鰭部第二區(qū)域內(nèi)形成第二緩沖摻雜離子區(qū)，然后在第一鰭部第二區(qū)域內(nèi)形成第一緩沖摻雜離子區(qū)。

本實(shí)施例中，對(duì)所述第一鰭部第二區(qū)域112進(jìn)行第一緩沖離子摻雜工藝300、對(duì)所述第二鰭部第二區(qū)域122進(jìn)行第二緩沖離子摻雜工藝310后，所述制造方法還包括：對(duì)所述半導(dǎo)體基底進(jìn)行退火工藝，促進(jìn)所述第一區(qū)域ⅰ的隔離結(jié)構(gòu)102內(nèi)的摻雜離子橫向擴(kuò)散進(jìn)所述第一鰭部第二區(qū)域112內(nèi)，促進(jìn)所述第二區(qū)域ⅱ的隔離結(jié)構(gòu)102內(nèi)的摻雜離子橫向擴(kuò)散進(jìn)所述第二鰭部第二區(qū)域122內(nèi)。

需要說明的是，為了促進(jìn)所述第一區(qū)域ⅰ的隔離結(jié)構(gòu)102內(nèi)的摻雜離子橫向擴(kuò)散進(jìn)所述第一鰭部第二區(qū)域112內(nèi)，促進(jìn)所述第二區(qū)域ⅱ的隔離結(jié)構(gòu)102內(nèi)的摻雜離子橫向擴(kuò)散進(jìn)所述第二鰭部第二區(qū)域122內(nèi)的同時(shí)，避免對(duì)所述第一緩沖離子摻雜工藝300和第二緩沖離子摻雜工藝310之前的離子摻雜工藝中注入的離子分布造成不良影響，所述退火工藝的工藝參數(shù)需控制在合理范圍內(nèi)。

具體地，所述退火工藝的工藝參數(shù)包括：退火溫度為750攝氏度至1000攝氏度，壓強(qiáng)為一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，反應(yīng)氣體為氮?dú)?，氮?dú)獾臍怏w流量為5每分鐘標(biāo)準(zhǔn)升至40每分鐘標(biāo)準(zhǔn)升。

結(jié)合參考圖6和圖7，形成所述緩沖摻雜離子區(qū)(圖未示)后，對(duì)所述鰭部第一區(qū)域(未標(biāo)示)進(jìn)行淺摻雜工藝，形成淺摻雜離子區(qū)，且所述淺摻雜離子區(qū)的離子類型與所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型相同。

所述淺摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子。所述淺摻雜工藝的參數(shù)包括：所述淺摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子，注入的離子包括磷離子，注入的離子能量為2kev至10kev，注入的離子劑量為8e13至1e14 原子每平方厘米，注入角度為10度至20度；所述淺摻雜離子區(qū)的離子類型為p型離子，注入的離子包括硼離子，注入的離子能量為2kev至8kev，注入的離子劑量為8e13至5e14原子每平方厘米，注入角度為10度至20度。

本實(shí)施例中，所述第一鰭部110包括露出于所述第一區(qū)域ⅰ隔離結(jié)構(gòu)102的第一鰭部第一區(qū)域111；所述第二鰭部120包括露出于所述第二區(qū)域ⅱ隔離結(jié)構(gòu)102的第二鰭部第一區(qū)域121。

相應(yīng)的，對(duì)所述鰭部第一區(qū)域進(jìn)行淺摻雜工藝的步驟包括：對(duì)所述第一鰭部第一區(qū)域111進(jìn)行第一淺摻雜工藝320，形成第一淺摻雜離子區(qū)(圖未示)；對(duì)所述第二鰭部第一區(qū)域121進(jìn)行第二淺摻雜工藝330，形成第二淺摻雜離子區(qū)(圖未示)。

所述第一淺摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子，所述第二淺摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子。本實(shí)施例中，所述第一淺摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子，所述第二淺摻雜離子區(qū)的離子類型為p型離子。

在另一實(shí)施例中，所述第一區(qū)域襯底用于形成p型器件，所述第二區(qū)域襯底用于形成n型器件，相應(yīng)的，所述第一淺摻雜離子區(qū)的離子類型為p型離子，所述第二淺摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子。

具體地，如圖6所示，對(duì)所述第一鰭部第一區(qū)域111進(jìn)行第一淺摻雜工藝320的步驟包括：在所述半導(dǎo)體基底表面形成第三圖形層(圖未示)，所述第三圖形層覆蓋所述第二區(qū)域ⅱ的隔離結(jié)構(gòu)102和第二鰭部120表面；以所述第三圖形層為掩膜，對(duì)所述第一鰭部110進(jìn)行第一淺摻雜工藝320，將摻雜離子注入進(jìn)所述第一鰭部第一區(qū)域111內(nèi)，在所述第一鰭部第一區(qū)域111內(nèi)形成第一淺摻雜離子區(qū)；去除所述第三圖形層。

具體地，如圖7所示，對(duì)所述第二鰭部第一區(qū)域121進(jìn)行第二淺摻雜工藝330的步驟包括：在所述半導(dǎo)體基底表面形成第四圖形層(圖未示)，所述第四圖形層覆蓋所述第一區(qū)域ⅰ的隔離結(jié)構(gòu)102和第一鰭部110表面；以所述第四圖形層為掩膜，對(duì)所述第二鰭部120進(jìn)行第二淺摻雜工藝330，將摻雜離子注入進(jìn)所述第二鰭部第一區(qū)域121內(nèi)，在所述第二鰭部第一區(qū)域121內(nèi) 形成第二淺摻雜離子區(qū)；去除所述第四圖形層。

參考圖8，形成所述淺摻雜離子區(qū)(圖未示)后，通過重?fù)诫s工藝在所述柵極結(jié)構(gòu)103兩側(cè)的鰭部內(nèi)形成源區(qū)(圖未示)或漏區(qū)(圖未示)，其中所述重?fù)诫s工藝注入的離子劑量大于所述緩沖離子摻雜工藝注入的離子劑量。

本實(shí)施例中，所述鰭部包括位于所述第一區(qū)域ⅰ襯底100上的第一鰭部110，以及位于所述第二區(qū)域ⅱ襯底100上的第二鰭部120，其中，所述第一區(qū)域ⅰ襯底100用于形成n型器件，所述第二區(qū)域ⅱ襯底100用于形成p型器件。

相應(yīng)的，所述源區(qū)或漏區(qū)包括：位于所述第一區(qū)域ⅰ柵極結(jié)構(gòu)103兩側(cè)的第一鰭部110內(nèi)的第一源區(qū)或第一漏區(qū)，以及位于所述第二區(qū)域ⅱ柵極結(jié)構(gòu)103兩側(cè)的第二鰭部120內(nèi)的第二源區(qū)或第二漏區(qū)。所述第一源區(qū)或第一漏區(qū)的離子類型為n型，所述第二源區(qū)或第二漏區(qū)的離子類型為p型。

在另一實(shí)施例中，所述第一區(qū)域襯底用于形成p型器件，所述第二區(qū)域襯底用于形成n型器件，相應(yīng)的，第一源區(qū)或第一漏區(qū)的離子類型為p型，第二源區(qū)或第二漏區(qū)的離子類型為n型。

本實(shí)施例中，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部內(nèi)形成源區(qū)或漏區(qū)的步驟包括：在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部內(nèi)形成應(yīng)力層；在所述應(yīng)力層內(nèi)形成源區(qū)和漏區(qū)。

需要說明的是，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部內(nèi)形成源區(qū)或漏區(qū)之前，所述制造方法還包括：在所述第一側(cè)壁層(圖未示)表面形成第二側(cè)壁層(圖未示)。

所述第二側(cè)壁層的材料可以為氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、氮氧化硅、氮化硼或碳氮化硼，所述第第二壁層可以為單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，所述第二側(cè)壁層為單層結(jié)構(gòu)，所述第二側(cè)壁層的材料為氮化硅。

本發(fā)明在形成源區(qū)或漏區(qū)之前，先在所述鰭部第二區(qū)域內(nèi)形成緩沖摻雜離子區(qū)，其中所述重?fù)诫s工藝注入的離子劑量大于所述緩沖離子摻雜工藝注入的離子劑量，使所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子濃度介于所述源區(qū)或漏區(qū)和所述襯底之間，從而使所述源區(qū)或漏區(qū)與所述襯底之間具有緩變摻雜區(qū)，即降 低所述源區(qū)或漏區(qū)與所述襯底的濃度梯度，使所述源區(qū)或漏區(qū)與襯底之間形成緩變結(jié)，由于緩變結(jié)的漏電流較小，進(jìn)而可以降低器件源區(qū)或漏區(qū)與襯底之間的結(jié)漏電流，優(yōu)化半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

繼續(xù)參考圖8，本發(fā)明還提供一種采用前述方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體基底，包括襯底100以及位于所述襯底上的鰭部(未標(biāo)示)；

隔離結(jié)構(gòu)102，位于所述鰭部之間的襯底100上，其中露出于所述隔離結(jié)構(gòu)102的鰭部作為鰭部第一區(qū)域(未標(biāo)示)，剩余的未露出部分作為鰭部第二區(qū)域(未標(biāo)示)；

柵極結(jié)構(gòu)103，橫跨所述鰭部表面，且覆蓋所述鰭部第一區(qū)域的頂部和側(cè)壁；

淺摻雜離子區(qū)(圖未示)，位于所述鰭部第一區(qū)域內(nèi)；

緩沖摻雜離子區(qū)(圖未示)，位于所述鰭部第二區(qū)域內(nèi)，所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型與所述淺摻雜離子區(qū)的離子類型相同；

源區(qū)或漏區(qū)(圖未示)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)103兩側(cè)的鰭部內(nèi)，其中所述源區(qū)或漏區(qū)的離子濃度大于所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子濃度。

本實(shí)施例中，所述鰭部包括位于所述第一區(qū)域ⅰ襯底100上的第一鰭部110，以及位于所述第二區(qū)域ⅱ襯底100上的第二鰭部120。相應(yīng)的，露出于所述第一區(qū)域ⅰ隔離結(jié)構(gòu)102的第一鰭部110為第一鰭部第一區(qū)域111，剩余的未露出部分作為第一鰭部第二區(qū)域112；露出于所述第二區(qū)域ⅱ隔離結(jié)構(gòu)102的第二鰭部120為第二鰭部第一區(qū)域121，剩余的未露出部分作為第二鰭部第二區(qū)域122。

相應(yīng)的，所述淺摻雜離子區(qū)包括位于所述第一鰭部第一區(qū)域111內(nèi)的第一淺摻雜離子區(qū)(圖未示)，以及位于所述第二鰭部第一區(qū)域121內(nèi)的第二淺摻雜離子區(qū)；所述第一淺摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子，所述第二淺摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子。

所述緩沖摻雜離子區(qū)包括位于所述第一鰭部第二區(qū)域112內(nèi)的第一緩沖摻雜離子區(qū)，以及位于所述第二鰭部第二區(qū)域122內(nèi)的第二緩沖摻雜離子區(qū)； 所述第一緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子，所述第二緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型為n型離子或p型離子。

本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括位于所述柵極結(jié)構(gòu)103兩側(cè)的鰭部內(nèi)的應(yīng)力層；所述源區(qū)或漏區(qū)位于所述應(yīng)力層內(nèi)。

由于所述源區(qū)或漏區(qū)的離子濃度大于所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子濃度，即所述緩沖摻雜離子區(qū)的離子濃度介于所述源區(qū)或漏區(qū)和所述襯底之間，從而使所述源區(qū)或漏區(qū)與所述襯底之間具有緩變摻雜區(qū)，即降低所述源區(qū)或漏區(qū)與所述襯底的濃度梯度，使所述源區(qū)或漏區(qū)與襯底之間形成緩變結(jié)，由于緩變結(jié)的漏電流較小，進(jìn)而可以降低器件源區(qū)或漏區(qū)與襯底之間的結(jié)漏電流，優(yōu)化半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。