技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：提供半導(dǎo)體基底，包括襯底以及位于襯底上的鰭部；在鰭部之間的襯底上形成隔離結(jié)構(gòu)，露出于隔離結(jié)構(gòu)的鰭部作為鰭部第一區(qū)域，剩余未露出部分作為鰭部第二區(qū)域；形成覆蓋鰭部第一區(qū)域頂部和側(cè)壁的柵極結(jié)構(gòu)；在鰭部第二區(qū)域內(nèi)形成緩沖摻雜離子區(qū)；在鰭部第一區(qū)域內(nèi)形成淺摻雜離子區(qū)，且與緩沖摻雜離子區(qū)的離子類型相同；通過重?fù)诫s工藝在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)鰭部內(nèi)形成源區(qū)或漏區(qū)，重?fù)诫s工藝的離子劑量大于緩沖離子摻雜工藝的離子劑量。本發(fā)明通過形成離子濃度介于源區(qū)或漏區(qū)和襯底之間的緩沖摻雜離子區(qū)，從而降低源區(qū)或漏區(qū)與襯底的濃度梯度，形成緩變結(jié)，進(jìn)而降低器件源區(qū)或漏區(qū)與襯底之間的結(jié)漏電流。

技術(shù)研發(fā)人員：周飛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.04.05
技術(shù)公布日：2017.10.24