本實(shí)用新型涉及電子元件，具體涉及一種片式化的陶瓷介質(zhì)電子元件。

背景技術(shù)：

陶瓷介質(zhì)電子元件是以陶瓷作為電介質(zhì)的電子元件。目前，大多數(shù)陶瓷介質(zhì)電子元件使用環(huán)氧樹(shù)脂包封表面，環(huán)氧樹(shù)脂包封體固化后形成外殼。這種陶瓷介質(zhì)電子元件一般包括陶瓷芯片、兩個(gè)電極、兩個(gè)引腳和環(huán)氧樹(shù)脂包封體，兩個(gè)電極分別設(shè)于陶瓷芯片的兩面上，兩個(gè)引腳分別與兩個(gè)電極焊接在一起，環(huán)氧樹(shù)脂包封體將陶瓷芯片、兩電極以及一部分引腳（即引腳與電極連接的部分）包封住，兩個(gè)引腳處于環(huán)氧樹(shù)脂包封體外面的部分用于組裝電路時(shí)與線路或其它元件連接。上述引腳通常為線狀引腳，通過(guò)插裝方式安裝在印刷電路板上的元件插孔中。

上述陶瓷介質(zhì)電子元件主要存在以下幾種不足：（1）占用安裝空間大，無(wú)法滿(mǎn)足模塊微型化設(shè)計(jì)；（2）組裝時(shí)需在印制板上鉆孔，受PCB板厚度、孔距、孔徑影響，不利于自動(dòng)化、規(guī)?；a(chǎn)，成本較高；（3）焊接面積小，焊點(diǎn)缺陷率高，抗振能力差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種片式化的陶瓷介質(zhì)電子元件，這種陶瓷介質(zhì)電子元件不僅適用于印刷電路板的表面安裝，占用安裝空間小，而且易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化、規(guī)模化生產(chǎn)，有利于提高生產(chǎn)效率并降低生產(chǎn)成本。采用的技術(shù)方案如下：

一種片式化的陶瓷介質(zhì)電子元件，包括環(huán)氧樹(shù)脂包封體、陶瓷芯片、第一引腳和第二引腳，其特征在于：所述陶瓷芯片的上表面、下表面上分別設(shè)有第一電極、第二電極；所述第一引腳和第二引腳均為片狀引腳，第一引腳一端具有與第一電極連接的第一上水平段，第一引腳另一端具有第一下水平段，第二引腳一端具有與第二電極連接的第二上水平段，第二引腳另一端具有第二下水平段，環(huán)氧樹(shù)脂包封體將陶瓷芯片、第一電極、第一上水平段、第二電極和第二上水平段包封住，第一下水平段和第二下水平段均處在環(huán)氧樹(shù)脂包封體下側(cè)。

上述第一下水平段和第二下水平段均處在環(huán)氧樹(shù)脂包封體外邊，作為陶瓷介質(zhì)電子元件安裝時(shí)的焊接部位，與印刷電路板上相對(duì)應(yīng)的部位焊接。由于第一引腳、第二引腳均為片狀引腳，因此第一下水平段和第二下水平段也呈片狀，具有足夠大的焊接接觸面積，能夠符合表面安裝的要求。上述陶瓷介質(zhì)電子元件中，陶瓷芯片水平放置，可進(jìn)一步減小整個(gè)陶瓷介質(zhì)電子元件的高度。

通常，上述第一下水平段和第二下水平段處于同一平面上。

優(yōu)選第一下水平段的上表面、第二下水平段的上表面均與環(huán)氧樹(shù)脂包封體的下表面接觸，這一方面使整個(gè)電子元件具有較小的高度，另一方面使得第一下水平段和第二下水平段在安裝過(guò)程中不易變形。

優(yōu)選上述第一下水平段的末端與第二下水平段的末端相對(duì)。這樣，可使上述電子元件安裝時(shí)占用的空間較小。

優(yōu)選上述第一引腳中段（即第一引腳上處在第一上水平段與第一下水平段之間的部分）與第一上水平段的連接處具有第一彎折部，第一彎折部自第一上水平段向上彎折；第二引腳中段（即第二引腳上處在第二上水平段與第二下水平段之間的部分）與第二上水平段的連接處具有第二彎折部，第二彎折部自第二上水平段向下彎折。通過(guò)設(shè)置向上彎折的第一彎折部，可確保第一上水平段與第一電極進(jìn)行焊接時(shí)不會(huì)受到第一引腳中段的阻礙，從而更便于焊接操作，并確保第一引腳與第一電極具有可靠的電連接；通過(guò)設(shè)置向下彎折的第二彎折部，可確保第二上水平段與第二電極進(jìn)行焊接時(shí)不會(huì)受到第二引腳中段的阻礙，從而更便于焊接操作，并確保第二引腳與第二電極具有可靠的電連接。

優(yōu)選方案中，上述第一引腳中段具有向下彎折的第三彎折部，第三彎折部下端與第一下水平段連接；第二引腳中段具有向下彎折的第四彎折部，第四彎折部下端與第二下水平段連接；第三彎折部上端與第四彎折部上端處在同一高度位置，且第三彎折部和第四彎折部均處在環(huán)氧樹(shù)脂包封體外邊。上述陶瓷介質(zhì)電子元件制作時(shí)，先采用環(huán)氧樹(shù)脂包封體將陶瓷芯片、第一電極、第二電極以及第一引腳、第二引腳的一部分包封住；隨后將第一引腳處于環(huán)氧樹(shù)脂包封體外邊的部分進(jìn)行彎折，先向下彎折形成第三彎折部，再次彎折（通常向內(nèi)彎折）形成第一下水平段，同時(shí)，將第二引腳處于環(huán)氧樹(shù)脂包封體外邊的部分進(jìn)行彎折，先向下彎折形成第四彎折部，再次彎折（通常向內(nèi)彎折）形成第二下水平段。通過(guò)上述方式，可簡(jiǎn)化陶瓷介質(zhì)電子元件的制作工序，易于實(shí)現(xiàn)陶瓷介質(zhì)電子元件的自動(dòng)化、規(guī)?；a(chǎn)，有利于提高生產(chǎn)效率并降低生產(chǎn)成本。

另一種優(yōu)選方案中，上述第一引腳中段和第二引腳中段均處在環(huán)氧樹(shù)脂包封體內(nèi)，第一引腳中僅第一下水平段處在環(huán)氧樹(shù)脂包封體外邊，第二引腳中僅第二下水平段處在環(huán)氧樹(shù)脂包封體外邊。由于第一引腳中段和第二引腳中段均處在環(huán)氧樹(shù)脂包封體內(nèi)，因此可避免與電路板上其他元器件發(fā)生接觸或者電磁干擾，提高電子元件的使用性能。

當(dāng)上述陶瓷芯片采用不同的材料制成時(shí)，可形成不同類(lèi)型的陶瓷介質(zhì)電子元件，例如：當(dāng)陶瓷芯片采用高介電常數(shù)的電容器陶瓷介質(zhì)材料時(shí)，制成的陶瓷介質(zhì)電子元件為陶瓷電容器；當(dāng)陶瓷芯片采用以氧化鋅為主要材料的陶瓷介質(zhì)材料時(shí)，制成的陶瓷介質(zhì)電子元件為壓敏電容器；當(dāng)陶瓷芯片采用以過(guò)渡金屬氧化物為主要材料的陶瓷介質(zhì)材料時(shí)，制成的陶瓷介質(zhì)電子元件為熱敏電容器。

本實(shí)用新型的陶瓷介質(zhì)電子元件不僅適用于印刷電路板的表面安裝，占用安裝空間小，而且易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化、規(guī)?；a(chǎn)，有利于提高生產(chǎn)效率并降低生產(chǎn)成本。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1的右視圖；

圖3是本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是圖3的右視圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1

如圖1、圖2所示，這種片式化的陶瓷介質(zhì)電子元件包括環(huán)氧樹(shù)脂包封體1、陶瓷芯片2、第一引腳3和第二引腳4，陶瓷芯片2的上表面、下表面上分別設(shè)有第一電極21、第二電極22；第一引腳3和第二引腳4均為片狀引腳，第一引腳3一端具有與第一電極21連接的第一上水平段31，第一引腳3另一端具有第一下水平段32，第二引腳4一端具有與第二電極22連接的第二上水平段41，第二引腳4另一端具有第二下水平段42，環(huán)氧樹(shù)脂包封體1將陶瓷芯片2、第一電極21、第一上水平段31、第二電極22和第二上水平段41包封住，第一下水平段32和第二下水平段42均處在環(huán)氧樹(shù)脂包封體1下側(cè)。

在本實(shí)施例中，第一下水平段32的上表面、第二下水平段42的上表面均與環(huán)氧樹(shù)脂包封體1的下表面接觸；第一下水平段32的末端與第二下水平段42的末端相對(duì)。第一引腳3中段（即第一引腳3上處在第一上水平段31與第一下水平段32之間的部分）與第一上水平段31的連接處具有第一彎折部33，第一彎折部33自第一上水平段31向上彎折；第二引腳4中段（即第二引腳4上處在第二上水平段41與第二下水平段42之間的部分）與第二上水平段41的連接處具有第二彎折部43，第二彎折部43自第二上水平段41向下彎折。第一引腳3中段具有向下彎折的第三彎折部34，第三彎折部34下端與第一下水平段32連接；第二引腳4中段具有向下彎折的第四彎折部44，第四彎折部44下端與第二下水平段42連接；第三彎折部34上端與第四彎折部44上端處在同一高度位置，且第三彎折部34和第四彎折部44均處在環(huán)氧樹(shù)脂包封體1外邊。

上述陶瓷介質(zhì)電子元件中，陶瓷芯片2水平放置。第一下水平段32和第二下水平段42處于同一平面上；第一下水平段32和第二下水平段42均處在環(huán)氧樹(shù)脂包封體1外邊，作為陶瓷介質(zhì)電子元件安裝時(shí)的焊接部位，與印刷電路板上相對(duì)應(yīng)的部位焊接。

當(dāng)陶瓷芯片2采用不同的材料制成時(shí)，可形成不同類(lèi)型的陶瓷介質(zhì)電子元件，例如：當(dāng)陶瓷芯片2采用高介電常數(shù)的電容器陶瓷介質(zhì)材料時(shí)，制成的陶瓷介質(zhì)電子元件為陶瓷電容器；當(dāng)陶瓷芯片2采用以氧化鋅為主要材料的陶瓷介質(zhì)材料時(shí)，制成的陶瓷介質(zhì)電子元件為壓敏電容器；當(dāng)陶瓷芯片2采用以過(guò)渡金屬氧化物為主要材料的陶瓷介質(zhì)材料時(shí)，制成的陶瓷介質(zhì)電子元件為熱敏電容器。

本實(shí)施例的陶瓷介質(zhì)電子元件的制作工藝如下：

首先，采用環(huán)氧樹(shù)脂包封體1將陶瓷芯片2、第一電極21、第二電極22以及第一引腳3、第二引腳4的一部分（包括第一上水平段31、第一彎折部33、第二上水平段41和第二彎折部43）包封住；隨后將第一引腳3處于環(huán)氧樹(shù)脂包封體1外邊的部分進(jìn)行彎折，先向下彎折形成第三彎折部34，再向內(nèi)彎折形成第一下水平段32，同時(shí)，將第二引腳4處于環(huán)氧樹(shù)脂包封體1外邊的部分進(jìn)行彎折，先向下彎折形成第四彎折部44，再向內(nèi)彎折形成第二下水平段42。

實(shí)施例2

參考圖3、圖4，本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別如下：第一引腳3中段（即第一引腳3上處在第一上水平段31與第一下水平段32之間的部分）和第二引腳4中段（即第二引腳4上處在第二上水平段41與第二下水平段42之間的部分）均處在環(huán)氧樹(shù)脂包封體1內(nèi)，第一引腳3中僅第一下水平段32處在環(huán)氧樹(shù)脂包封體1外邊，第二引腳4中僅第二下水平段42處在環(huán)氧樹(shù)脂包封體1外邊。本實(shí)施例其余部分與實(shí)施例1相同。

本實(shí)用新型并不局限于上述具體實(shí)施方式，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均落在本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。