技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型提供一種晶圓可接受測(cè)試結(jié)構(gòu)，位于晶圓切割道內(nèi)，適于對(duì)多晶硅刻蝕殘留的偵測(cè)，包括：半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底包括有源區(qū)和位于有源區(qū)之間的淺溝槽隔離區(qū)，有源區(qū)至少有兩個(gè)，有源區(qū)的表面至少設(shè)有一個(gè)柵氧結(jié)構(gòu)；靠近所述淺溝槽隔離區(qū)兩側(cè)的柵氧結(jié)構(gòu)的表面以及淺溝槽隔離區(qū)表面沉積有至少兩個(gè)多晶硅條，且多晶硅條之間設(shè)有間距。本實(shí)用新型的晶圓可接受測(cè)試結(jié)構(gòu)能夠及時(shí)有效的偵測(cè)出淺溝槽隔離區(qū)中多晶硅刻蝕的殘留，進(jìn)而做出相應(yīng)的措施，減小晶圓良率的損失。

技術(shù)研發(fā)人員：楊俊洲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號(hào)碼：201621349542
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.09
技術(shù)公布日：2017.07.07