技術(shù)編號(hào)：12833683
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種對(duì)多晶硅刻蝕殘留偵測(cè)的晶圓可接受(WAT)測(cè)試結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)在集成電路的生產(chǎn)制造過程中，半導(dǎo)體器件包括多個(gè)形成于有源區(qū)上并平行排列的多晶硅(Poly)，在形成多晶硅的工藝中，其刻蝕工藝往往會(huì)有刻蝕殘留的問題存在，在一些在線監(jiān)測(cè)儀器上經(jīng)常會(huì)遇到這些低信號(hào)的缺陷，難以及時(shí)高效的檢測(cè)出來，從而影響到產(chǎn)品的缺陷檢出率。目前在線監(jiān)測(cè)儀器例如KLA23XX檢測(cè)的邊距是0.12um，當(dāng)機(jī)臺(tái)針對(duì)產(chǎn)品和步驟定義的運(yùn)行所需要的控制流程加強(qiáng)(收緊)后，則對(duì)缺陷檢出率的影響更...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。