本實用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種對多晶硅刻蝕殘留偵測的晶圓可接受(WAT)測試結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

在集成電路的生產(chǎn)制造過程中，半導(dǎo)體器件包括多個形成于有源區(qū)上并平行排列的多晶硅(Poly)，在形成多晶硅的工藝中，其刻蝕工藝往往會有刻蝕殘留的問題存在，在一些在線監(jiān)測儀器上經(jīng)常會遇到這些低信號的缺陷，難以及時高效的檢測出來，從而影響到產(chǎn)品的缺陷檢出率。目前在線監(jiān)測儀器例如KLA23XX檢測的邊距是0.12um，當(dāng)機臺針對產(chǎn)品和步驟定義的運行所需要的控制流程加強(收緊)后，則對缺陷檢出率的影響更大，如圖1和圖2分別是機臺設(shè)置的控制流程較松(漏檢)和較緊(干擾多)時候的晶圓缺陷檢出圖。圖3是晶圓經(jīng)過切片后形成的芯片疊在一起時的缺陷分布圖，主要分布在邏輯電路密集的邏輯區(qū)，如圖所示缺陷檢出干擾信號太多，誘使工程師對實際缺陷的判斷產(chǎn)生較大的誤差，不能及時作出相應(yīng)措施，使缺陷圓晶持續(xù)產(chǎn)出，降低良品率。

因此需要對多晶硅刻蝕殘留進行監(jiān)控，以在電性能測試階段及時發(fā)現(xiàn)該問題，從而提高晶圓的良率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的在線監(jiān)測儀器不能及時有效的發(fā)現(xiàn)多晶硅刻蝕殘留的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)，位于晶圓切割道內(nèi)，適于對多晶硅刻蝕殘留的偵測，包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括有源區(qū)和位于所述有源區(qū)之間的淺溝槽隔離區(qū)，所述有源區(qū)至少有兩個，所述有源區(qū)的表面至少設(shè)有一個柵氧結(jié)構(gòu)；靠近所述淺溝槽隔離區(qū)兩側(cè)的所述柵氧結(jié)構(gòu)的表面以及所述淺溝槽隔離區(qū)表面沉積有至少兩個多晶硅條，且所述多晶硅條之間設(shè)有間距。

于本實用新型的一實施方式中，所述柵氧結(jié)構(gòu)均為長條狀且相互平行，并與所述淺溝槽隔離區(qū)相平行。

于本實用新型的一實施方式中，所述多晶硅條均為長條狀且相互平行，并與所述柵氧結(jié)構(gòu)及所述淺溝槽隔離區(qū)均垂直。

于本實用新型的一實施方式中，所述多晶硅條兩端的表面均設(shè)有測試端。

于本實用新型的一實施方式中，所述測試端包括接地端和懸空端，所述接地端和所述懸空端位于不同的所述多晶硅條上。

于本實用新型的一實施方式中，所述接地端和所述懸空端之間通過電子束掃描測試電路的通和斷。

于本實用新型的一實施方式中，所述半導(dǎo)體襯底為N型襯底或者P型襯底。

于本實用新型的一實施方式中，所述晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)中的器件與真實晶圓結(jié)構(gòu)中器件的關(guān)鍵尺寸大小相同。

如上所述，本實用新型的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)，具有以下有益效果：

1、能夠及時有效的偵測出淺溝槽隔離區(qū)中多晶硅刻蝕的殘留，進而做出相應(yīng)的措施，減小晶圓良率的損失；

2、提供了一種監(jiān)測低信號缺陷的通用方法，在當(dāng)前晶圓行業(yè)關(guān)鍵尺寸設(shè)計越來越小的情況下，適用于大量類似案例，適用范圍廣；

3、大大降低在線監(jiān)測儀器的監(jiān)測周期，減少缺陷圓晶的持續(xù)產(chǎn)出，提高良品率。

附圖說明

圖1為機臺設(shè)置的控制流程較松時的晶圓缺陷檢出圖。

圖2為機臺設(shè)置的控制流程較緊時的晶圓缺陷檢出圖。

圖3是晶圓經(jīng)過切片后形成的芯片疊在一起時的缺陷分布圖。

圖4為本實用新型晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)于實施例一中的俯視示意圖

圖5為圖4的側(cè)視圖。

圖6為本實用新型晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)于實施例二中的俯視示意圖。

元件標(biāo)號說明

1 有源區(qū)

2 淺溝槽隔離區(qū)

3 柵氧結(jié)構(gòu)

4 多晶硅條

51 接地端

52 懸空端

6 柵氧化層

7 多晶硅橋

8 測試結(jié)構(gòu)單元

具體實施方式

以下由特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點及功效。

請參閱圖4至圖6。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本實用新型可實施的限定條件，故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本實用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應(yīng)仍落在本實用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實用新型可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本實用新型可實施的范疇。

實施例1

請參閱圖4，本實用新型提供一種晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)，位于晶圓切割道內(nèi)，適于對多晶硅刻蝕殘留的偵測，包括：半導(dǎo)體襯底(未示出)，所述半導(dǎo)體襯底包括有源區(qū)1和位于所述有源區(qū)1之間的淺溝槽隔離區(qū)2，所述有源區(qū)1至少有兩個，所述有源區(qū)1的表面至少設(shè)有一個柵氧結(jié)構(gòu)3；靠近所述淺溝槽隔離區(qū)2兩側(cè)的所述柵氧結(jié)構(gòu)3的表面以及所述淺溝槽隔離區(qū)2表面沉積有至少兩個多晶硅條4，且所述多晶硅條4之間設(shè)有間距。

作為示例，所述晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)中的器件與真實晶圓結(jié)構(gòu)中器件的關(guān)鍵尺寸大小相同。也即，在測試結(jié)構(gòu)區(qū)域的有源區(qū)1上，首先定義一個與實際產(chǎn)品CD(關(guān)鍵尺寸)大小同樣的多晶硅條4和柵氧結(jié)構(gòu)3，這是為了真實反映測試的結(jié)果。

作為示例，所述柵氧結(jié)構(gòu)3均為長條狀且相互平行，并與所述淺溝槽隔離區(qū)2相平行。由于是靠近所述淺溝槽隔離區(qū)2兩側(cè)的所述柵氧結(jié)構(gòu)3，所述柵氧結(jié)構(gòu)3由也所述淺溝槽隔離區(qū)2隔離開來。

作為示例，所述多晶硅條4均為長條狀且相互平行，并與所述柵氧結(jié)構(gòu)3及所述淺溝槽隔離區(qū)2均垂直。

需要注意的是，事實上所述多晶硅條4是表面不平整的，因為所述多晶硅條4的兩端部分是覆蓋在所述柵氧結(jié)構(gòu)3的表面，中間部分是覆蓋在所述淺溝槽隔離區(qū)2的表面，而所述柵氧結(jié)構(gòu)3和所述淺溝槽隔離區(qū)2處于不同的層，且其表面的水平高度高于所述淺溝槽隔離區(qū)2表面的水平高度。

作為示例，這里的所述半導(dǎo)體襯底為N型襯底或者是P型襯底。

需要注意的是，如圖5中所示，所述柵氧結(jié)構(gòu)3的表面還覆蓋有柵氧化層6(Oxide)。

作為示例，所述多晶硅條4兩端的表面均設(shè)有測試端。

作為示例，所述測試端包括接地端51和懸空端52，所述接地端51和所述懸空端52位于不同的所述多晶硅條4上。

作為示例，所述接地端51和所述懸空端52之間通過電子束掃描測試電路的通和斷。

在該實施例中，如圖4所示，包括一個所述淺溝槽隔離區(qū)2和由所述淺溝槽隔離區(qū)2隔離的兩個所述有源區(qū)1，四個所述柵氧結(jié)構(gòu)3和四個所述多晶硅條4，其中兩個所述柵氧結(jié)構(gòu)3和兩個所述多晶硅條4組成一個最小的測試結(jié)構(gòu)單元8，也即該實施例中包括了兩個最小的測試結(jié)構(gòu)單元8。

通過電子束掃描來偵測的時候，任意選擇一個所述接地端51和一個所述懸空端52，即可檢測所述接地端51所在的多晶硅條4與所述懸空端52所在的多晶硅條4之間是否導(dǎo)通，若所述測試端點發(fā)亮，則導(dǎo)通，說明測試的所述多晶硅條4之間存在多晶硅刻蝕殘留，該所述多晶硅刻蝕殘留形成了多晶硅橋7，使測試的所述多晶硅條4之間電路導(dǎo)通；反之，若所述測試端點不亮，則沒有導(dǎo)通，說明測試的所述多晶硅條4之間不存在多晶硅刻蝕殘留，沒有形成了多晶硅橋7。

實施例2

根據(jù)需要，所述晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)可以有多個所述最小測試結(jié)構(gòu)單元8構(gòu)成，如圖6所示，為本實用新型晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)于實施例二中的俯視示意圖，該實施例中，所述晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)包括兩個所述淺溝槽隔離區(qū)2和由所述淺溝槽隔離區(qū)2隔離的四個所述有源區(qū)1，八個所述柵氧結(jié)構(gòu)3和八個所述多晶硅條4，也即該實施例中包括了一排四個最小的測試結(jié)構(gòu)單元8。任意選擇一個所述接地端51和一個所述懸空端52通過電子束掃描偵測，即可檢測所述接地端51所在的多晶硅條4與所述懸空端52所在的多晶硅條4之間是否導(dǎo)通，進而判斷兩個測試端(兩個多晶硅條4)之間是否存在多晶硅橋7。圖6中由于所述接地端51所在的多晶硅條4與所述懸空端52所在的多晶硅條4之間沒有存在所述多晶硅橋7，所以不會導(dǎo)通。

綜上所述，本實用新型的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)位于晶圓切割道內(nèi)，適于對多晶硅刻蝕殘留的偵測，包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括有源區(qū)和位于所述有源區(qū)之間的淺溝槽隔離區(qū)，所述有源區(qū)至少有兩個，所述有源區(qū)的表面至少設(shè)有一個柵氧結(jié)構(gòu)；靠近所述淺溝槽隔離區(qū)兩側(cè)的所述柵氧結(jié)構(gòu)的表面以及所述淺溝槽隔離區(qū)表面沉積有至少兩個多晶硅條，且所述多晶硅條之間設(shè)有間距。本實用新型的晶圓可接受測試結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)簡單、測試方便，能夠及時有效的偵測出淺溝槽隔離區(qū)中多晶硅刻蝕的殘留，進而做出相應(yīng)的措施，減小晶圓良率的損失；提供了一種監(jiān)測低信號缺陷的通用方法，在當(dāng)前晶圓行業(yè)關(guān)鍵尺寸設(shè)計越來越小的情況下，適用于大量類似案例，適用范圍廣；大大降低了在線監(jiān)測儀器的監(jiān)測周期，減少對lot的影響。

上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實用新型的權(quán)利要求所涵蓋。