技術總結
本實用新型提出了一種雙L形射頻功率電阻器，包括法蘭盤和基體，還包括A面電極、B面電極、電阻體和金屬引線，所述A面電極連接在基體的上表面，B面電極采用絲網(wǎng)漏印工藝印在基體的下表面且全部覆蓋；電阻體位于A面電極之上并且保證與A面電極搭接端搭接，還包括覆蓋在整個電阻體上起保護作用的介質保護層；所述A面電極為兩個L形電極組成并且呈中心對稱，電阻體橫向放置搭接在兩個搭接端上。本設計在未改變原有引出端方向的前提下將電阻體橫放，充分的利用了基體的剩余面積，電阻體的長度不再受電極焊區(qū)的限制。在保障整體阻抗不變的情況下增加電阻體長度從而增加電阻體面積提高功率容量。

技術研發(fā)人員：劉洋
受保護的技術使用者：成都昊天宏達電子有限公司
文檔號碼：201620934936
技術研發(fā)日：2016.08.24
技術公布日：2017.05.31