利用射頻芯片溫度補(bǔ)償晶體特性的裝置及方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子通信技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種溫度補(bǔ)償晶體特性的裝置及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前，移動(dòng)通信用戶對(duì)通信質(zhì)量與容量的要求不斷提高，為滿足需求，移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)一直處于演進(jìn)之中，當(dāng)前我國(guó)國(guó)內(nèi)使用的移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)已從2G(The SecondGenerat1n Mobile Telecommunicat1n,第二代移動(dòng)通信)的全球通信系統(tǒng)(GSM,Global System for Mobile Communicat1ns)發(fā)展到4G(The Fourth Generat1n MobileTelecommunicat1n,第四代移動(dòng)通信)的長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù)(LTE, Long Term Evolut1n)。
[0003]移動(dòng)通信技術(shù)的演進(jìn)來(lái)自于多種通信技術(shù)的優(yōu)化與新技術(shù)的引入，其中重要一項(xiàng)優(yōu)化針對(duì)的是調(diào)制技術(shù)，目前使用的調(diào)制方式已經(jīng)從2G時(shí)代的GMSK(Gaussian MinimumShift Keying,高斯最小頻移鍵控)升級(jí)到4G時(shí)代的64-QAM(Quadrature AmplitudeModulat1n, 64正交幅相調(diào)制)，調(diào)制階數(shù)的增加對(duì)移動(dòng)終端內(nèi)部時(shí)鐘器件輸出頻率的準(zhǔn)確度與穩(wěn)定度提出了越來(lái)越高的要求。
[0004]移動(dòng)終端內(nèi)部時(shí)鐘器件廣泛采用石英晶體振蕩器，石英晶體振蕩器是利用具有壓電效應(yīng)的石英晶體片制成的，優(yōu)點(diǎn)在于體積小、重量輕、可靠性高、頻率穩(wěn)定度好。但是，石英晶體振蕩器具有振蕩頻率隨周圍溫度而變化的特性，輸出頻率誤差可達(dá)到+/-10ppm，為提高時(shí)鐘精度則需進(jìn)行溫度補(bǔ)償。振蕩頻率溫度補(bǔ)償?shù)姆绞接卸喾N，最常見的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCX0, Temperature Compensate Crystal Oscillator)利用溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)來(lái)產(chǎn)生補(bǔ)償電壓從而改善溫度補(bǔ)償晶體振蕩器的輸出頻率溫度特性，然而這種補(bǔ)償技術(shù)的溫度補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)較為復(fù)雜，需要單獨(dú)的熱敏器件，增加了成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于，提供一種利用射頻芯片溫度補(bǔ)償晶體特性的裝置，解決以上技術(shù)問題。
[0006]本發(fā)明的目的還在于，提供一種利用射頻芯片溫度補(bǔ)償晶體特性的方法，解決以上技術(shù)問題。
[0007]本發(fā)明所解決的技術(shù)問題可以采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
[0008]利用射頻芯片溫度補(bǔ)償晶體特性的裝置，用于移動(dòng)終端，所述移動(dòng)終端的內(nèi)部設(shè)置有射頻芯片和控制器，所述控制器產(chǎn)生頻率控制參數(shù)控制所述射頻芯片工作，其中，
[0009]所述射頻芯片包括射頻收發(fā)單元和緊貼所述射頻收發(fā)單元設(shè)置的晶體振蕩器；所述射頻收發(fā)單元內(nèi)置溫度感測(cè)單元，用于獲取所述射頻收發(fā)單元的當(dāng)前溫度；所述控制器與所述溫度感測(cè)單元耦接，用以根據(jù)所述射頻收發(fā)單元的當(dāng)前溫度修正所述頻率控制參數(shù)，所述射頻收發(fā)單元在修正后的所述頻率控制參數(shù)的作用下以補(bǔ)償所述晶體振蕩器產(chǎn)生的頻率變化。
[0010]優(yōu)選地，包括一存儲(chǔ)單元，與所述控制器連接，用以存儲(chǔ)所述射頻收發(fā)單元的溫度和與所述溫度對(duì)應(yīng)的輸出頻率修正值。
[0011]優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)有所述射頻收發(fā)單元的溫度和與所述溫度對(duì)應(yīng)的所述晶體振蕩器的輸出頻率；
[0012]所述控制器根據(jù)所述射頻收發(fā)單元的溫度查詢獲得對(duì)應(yīng)的所述晶體振蕩器的輸出頻率，并根據(jù)所述晶體振蕩器的輸出頻率計(jì)算對(duì)應(yīng)的輸出頻率修正值。
[0013]優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)單元還存儲(chǔ)所述溫度感測(cè)單元獲取的感測(cè)值和與所述感測(cè)值對(duì)應(yīng)的射頻收發(fā)單元的溫度，所述控制器根據(jù)所述溫度感測(cè)單元的感測(cè)值查詢獲得所述射頻收發(fā)單元的溫度。
[0014]優(yōu)選地，包括第一寄存器，設(shè)置于所述射頻收發(fā)單元內(nèi)，用以存儲(chǔ)所述溫度感測(cè)單元的感測(cè)值。
[0015]優(yōu)選地，包括第二寄存器，設(shè)置于所述射頻收發(fā)單元內(nèi)，用以存儲(chǔ)所述頻率控制參數(shù)。
[0016]優(yōu)選地，所述溫度感測(cè)單元采用一溫度-電壓變換電路，所述感測(cè)值為電壓值。
[0017]本發(fā)明還提供一種利用射頻芯片溫度補(bǔ)償晶體特性的方法，其中，應(yīng)用于上述的利用射頻芯片溫度補(bǔ)償晶體特性的裝置，包括以下步驟，
[0018]步驟1，檢測(cè)晶體振蕩器中振蕩晶體的溫度；
[0019]步驟2，依據(jù)振蕩晶體的當(dāng)前溫度讀取對(duì)應(yīng)的輸出頻率修正值；
[0020]步驟3，調(diào)取當(dāng)前的頻率控制參數(shù)，與輸出頻率修正值相加以獲得修正后的頻率控制參數(shù)；
[0021]步驟4，將修正后的頻率控制參數(shù)發(fā)送給射頻芯片實(shí)現(xiàn)頻率補(bǔ)償。
[0022]優(yōu)選地，步驟1中，通過(guò)讀取射頻收發(fā)單元的當(dāng)前溫度推算所述振蕩晶體的當(dāng)前溫度。
[0023]優(yōu)選地，步驟1之前，還包括建立射頻收發(fā)單元的溫度與輸出頻率修正值的對(duì)應(yīng)關(guān)系并進(jìn)行存儲(chǔ)。
[0024]有益效果:由于采用以上技術(shù)方案，本發(fā)明提出一種利用射頻芯片溫度補(bǔ)償晶體特性的裝置及方法，簡(jiǎn)化了溫度補(bǔ)償系統(tǒng)，可以為移動(dòng)終端提供具有溫度穩(wěn)定性能的時(shí)鐘器件，使得高階調(diào)制技術(shù)在移動(dòng)終端的實(shí)現(xiàn)成為可能。
【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為本發(fā)明的裝置架構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為本發(fā)明的方法流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0028]需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0029]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，但不作為本發(fā)明的限定。
[0030]參照?qǐng)D1，利用射頻芯片溫度補(bǔ)償晶體特性的裝置，用于移動(dòng)終端，移動(dòng)終端的內(nèi)部設(shè)置有射頻芯片和控制器2，控制器2產(chǎn)生頻率控制參數(shù)控制射頻芯片工作，其中，
[0031]射頻芯片包括射頻收發(fā)單元1和緊貼射頻收發(fā)單元1設(shè)置的晶體振蕩器4 ;射頻收發(fā)單元1內(nèi)置溫度感測(cè)單元3，用于獲取射頻收發(fā)單元1的當(dāng)前溫度；控制器2與溫度感測(cè)單元3耦接，用以根據(jù)射頻收發(fā)單元1的當(dāng)前溫度修正頻率控制參數(shù)，射頻收發(fā)單元1在修正后的頻率控制參數(shù)的作用下以補(bǔ)償晶體振蕩器4產(chǎn)生的頻率變化。
[0032]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選的實(shí)施例，包括一存儲(chǔ)單元，與控制器2連接，用以存儲(chǔ)射頻收發(fā)單元1的溫度和與溫度對(duì)應(yīng)的輸出頻率修正值。
[0033]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選的實(shí)施例，存儲(chǔ)單元還可以存儲(chǔ)有射頻收發(fā)單元1的溫度和與溫度對(duì)應(yīng)的晶體振蕩器4的輸出頻率；控制器根據(jù)射頻收發(fā)單元1的溫度查詢獲得對(duì)應(yīng)的晶體振蕩器的輸出頻率，并根據(jù)晶體振蕩器的輸出頻率計(jì)算對(duì)應(yīng)的輸出頻率修正值。
[0034]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選的實(shí)施例，存儲(chǔ)單元還可以存儲(chǔ)溫度感測(cè)單元3獲得的感測(cè)值和與感測(cè)值對(duì)應(yīng)的射頻收發(fā)單元1的溫度，控制器根據(jù)感測(cè)值查詢獲得射頻收發(fā)單元1的溫度。
[0035]本發(fā)明的控制器2根據(jù)溫度感測(cè)單元3獲得的射頻收發(fā)單元1的感測(cè)值計(jì)算射頻收發(fā)單元1對(duì)應(yīng)的溫度，由于晶體振蕩器4的振蕩晶體都是緊貼射頻芯片放置，因此可推算二者溫度基本相同。由此可得振蕩晶體的溫度，利用溫度與輸出頻率及輸出頻率修正值之間的關(guān)系以調(diào)整頻率