1.一種雙L形射頻功率電阻器，包括法蘭盤(1)和基體(2)，其特征在于：還包括A面電極(41、42)、B面電極(3)、電阻體(5)和金屬引線(71、72)，所述A面電極(41、42)連接在基體(2)的上表面，B面電極(3)采用絲網(wǎng)漏印工藝印在基體(2)的下表面且全部覆蓋；電阻體(5)位于A面電極(41、42)之上并且保證與A面電極(41、42)搭接端搭接，還包括覆蓋在整個電阻體(5)上起保護(hù)作用的介質(zhì)保護(hù)層(6)；所述金屬引線(71、72)位采用焊接工藝焊接于A面電極(41、42)之上；所述A面電極(41、42)為兩個L形電極組成并且呈中心對稱，電阻體(5)橫向放置搭接在兩個搭接端上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙L形射頻功率電阻器，其特征在于：所述基體(2)上表面還設(shè)有保護(hù)電阻器有效零件的封裝蓋板(8)，且封裝蓋板(8)采用高溫粘接劑粘接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙L形射頻功率電阻器，其特征在于：所述法蘭盤(1)為紫銅材料，并在表面鍍上便于焊接的銀層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙L形射頻功率電阻器，其特征在于：所述基體(2)采用氧化鈹陶瓷。