本實(shí)用新型涉及射頻功率電阻器領(lǐng)域，特別是指一種雙L形射頻功率電阻器。

背景技術(shù)：

在飛速發(fā)展的廣播通信領(lǐng)域,射頻器件的設(shè)計(jì)也越來越多元化，對(duì)于射頻功率電阻器的要求也越來越苛刻，由于很多器件的尺寸已經(jīng)固化，如何在原有的尺寸下提升其功率容量和頻率特性從而使得器件的整體性能獲得提升成為一個(gè)急需解決的問題。現(xiàn)有的雙引線功率電阻采用的是如圖所示設(shè)計(jì)。

現(xiàn)有的功率電阻為了設(shè)計(jì)方便采用的是簡(jiǎn)單的電流直通式設(shè)計(jì)(電流流經(jīng)方向)如圖4所示，由于此類型設(shè)計(jì)電阻的長(zhǎng)度(電流流經(jīng)的長(zhǎng)度)受限，要增加電阻體面積提高功率容量，就只能把電阻體的寬度(電流流經(jīng)的寬度)加寬。在射頻功率電阻器的設(shè)計(jì)當(dāng)中由于電阻體的寬度決定了電阻器整體的阻抗，加寬后會(huì)導(dǎo)致阻抗發(fā)生變化使得匹配失衡，從而使整體頻率特性降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提出一種雙L形射頻功率電阻器，能夠在不降低頻率特性的情況下增加功率容量。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種雙L形射頻功率電阻器，包括法蘭盤和基體，還包括A面電極、B面電極、電阻體和金屬引線，所述A面電極連接在基體的上表面，B面電極采用絲網(wǎng)漏印工藝印在基體的下表面且全部覆蓋；電阻體位于A面電極之上并且保證與A面電極搭接端搭接，還包括覆蓋在整個(gè)電阻體上起保護(hù)作用的介質(zhì)保護(hù)層；所述金屬引線位采用焊接工藝焊接于A面電極之上；所述A面電極為兩個(gè)L形電極組成并且呈中心對(duì)稱，其兩個(gè)搭接端位于基體較短的兩個(gè)邊上，且電阻體橫向放置搭接在兩個(gè)搭接端上。

作為優(yōu)選，所述基體上表面還設(shè)有保護(hù)電阻器有效零件的封裝蓋板，且封裝蓋板采用高溫粘接劑粘接。

作為優(yōu)選，所述法蘭盤為紫銅材料，并在表面鍍上便于焊接的銀層。

作為優(yōu)選，所述基體采用氧化鈹陶瓷。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于：本設(shè)計(jì)在未改變?cè)幸龆朔较虻那疤嵯聦㈦娮梵w橫放，充分的利用了基體的剩余面積，電阻體的長(zhǎng)度不再受電極焊區(qū)的限制。在保障頻率特性的情況下提升了電阻體的面積從而提升了電阻器的功率容量。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型金屬引線和封裝蓋板部分的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型介質(zhì)保護(hù)層部分的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型A面電極部分的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為現(xiàn)有的電流直通式設(shè)計(jì)。

圖中：1、法蘭盤；2、基體；3、B面電極；41、42、A面電極；5、電阻體；6、介質(zhì)保護(hù)層；71、72、金屬引線；8、封裝蓋板。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

實(shí)施例：參見圖1、圖2和圖3，一種雙L形射頻功率電阻器，包括法蘭盤1和基體2，還包括A面電極41、42、B面電極3、電阻體5和金屬引線71、72，所述A面電極41、42連接在基體2的上表面，B面電極3采用絲網(wǎng)漏印工藝印在基體2的下表面且全部覆蓋；電阻體5位于A面電極41、42之上并且保證與A面電極41、42搭接端搭接，還包括覆蓋在整個(gè)電阻體5上起保護(hù)作用的介質(zhì)保護(hù)層6；所述金屬引線71、72位采用焊接工藝焊接于A面電極41、42之上；所述A面電極41、42為兩個(gè)L形電極組成并且呈中心對(duì)稱，電阻體5橫向放置搭接在兩個(gè)搭接端上。

作為優(yōu)選，所述基體2上表面還設(shè)有保護(hù)電阻器有效零件的封裝蓋板8，且封裝蓋板8采用高溫粘接劑粘接。

作為優(yōu)選，所述法蘭盤1為紫銅材料，并在表面鍍上便于焊接的銀層。

作為優(yōu)選，所述基體2采用氧化鈹陶瓷。

如圖所示，本實(shí)用新型包括了法蘭盤1，基體2，B面電極3，A面電極(包含2個(gè)電極41、42)，電阻體5，介質(zhì)保護(hù)層6，金屬引線(包含兩根引線71、72)，封裝蓋板8。

法蘭盤1優(yōu)先選用紫銅，并在表面鍍上銀層便于焊接；基體2采用氧化鈹陶瓷；B面電極3采用絲網(wǎng)漏印工藝印在基體2的下表面并且覆蓋全部下表面，A面電極41、42在基體2的上表面，電阻體5位于基體2的上表面并與A面電極4其搭接端搭接良好；介質(zhì)保護(hù)層6覆蓋整個(gè)電阻體5以保護(hù)電阻體5受到物理傷害并防止其在使用過程中遭到熱擊穿；金屬引線71、72位采用焊接工藝焊接于A面電極41、42之上；封裝蓋板8在基體2上表面，采用高溫粘接劑粘接，有效保護(hù)電阻器有效零件，確保整個(gè)電阻器的結(jié)構(gòu)完整性和性能穩(wěn)定性。

本設(shè)計(jì)在未改變?cè)幸龆朔较虻那疤嵯聦㈦娮梵w5橫放，充分的利用了基體2的剩余面積，電阻體5的長(zhǎng)度不再受電極焊區(qū)的限制。在保障整體阻抗不變(電阻體5寬度不變)的情況下增加電阻體5長(zhǎng)度從而增加電阻體5面積提高功率容量。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。