技術總結
本實用新型公開了一種帶ITO薄膜結構的LED芯片，包括GaAs襯底，在GaAs襯底的上面依次設有緩沖層、n?AIGaInP限制層、多量子阱（MQW）有源層、p?AIGaInP限制層和p?GaP窗口層，在p?GaP窗口層上設有ITO薄膜層，在GaAs襯底的下面制作背電極，其特征在于：在ITO薄膜層上設有金屬電極層；金屬電極層包括主電極和擴展電極，主電極連接在p?GaP窗口層上，擴展電極連接在ITO薄膜層上。本實用新型提高了整個金屬電極層的附著性，確保發(fā)光器件工作電壓穩(wěn)定，提高產品的焊線可靠性，極大地提升了產品的質量和良率。

技術研發(fā)人員：張銀橋;潘彬
受保護的技術使用者：南昌凱迅光電有限公司
文檔號碼：201620569290
技術研發(fā)日：2016.06.13
技術公布日：2016.12.07