本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體發(fā)光二極管領(lǐng)域，尤其是涉及一種帶ITO薄膜結(jié)構(gòu)的LED芯片。

背景技術(shù)：

具有高光效、低能耗、長(zhǎng)壽命、高安全性、高環(huán)保等優(yōu)勢(shì)，是一種有廣闊應(yīng)用前景的照明方式，受到越來(lái)越多國(guó)家的重視。目前LED已廣泛應(yīng)用于高效固態(tài)照明領(lǐng)域中，如顯示屏、汽車(chē)用燈、背光源、交通信號(hào)燈、景觀照明等。

如圖1所示，常規(guī)AlGaInP發(fā)光二極管包含GaAs襯底100、緩沖層101、n-AIGaInP限制層102、MQW多量子阱有源層103、p-AIGaInP限制層104和p-GaP窗口層105，金屬電極層106直接設(shè)置在p-GaP窗口層105上，GaAs襯底100背面設(shè)置有背電極層201。由于常規(guī)AlGaInP發(fā)光二極管的出光層為P-GaP層105，同時(shí)GaP層也起著歐姆接觸層和電流擴(kuò)展的重要作用，這就會(huì)使電流容易集中從與電極接觸的正下方區(qū)域流過(guò)，即電極正下方區(qū)域的電流密度增加，卻不能使電流得到充分的擴(kuò)展，從而降低了LED的發(fā)光效率。ITO（摻錫氧化銦，IndiumTinOxide，一般簡(jiǎn)稱(chēng)為ITO）薄膜相比GaP層具有良好的橫向電流擴(kuò)展性，同時(shí)具有透過(guò)率高、導(dǎo)電性好、耐磨損、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，且與GaP層的粘附性好，因此，ITO薄膜通常被用于作為提高AlGaInP基芯片亮度的透明電極材料。在實(shí)際應(yīng)用中，先是在GaP層上面生長(zhǎng)一層ITO薄膜層，然后再沉積作為焊盤(pán)材料使用的金屬電極層，但在對(duì)焊盤(pán)的焊線(xiàn)測(cè)試中發(fā)現(xiàn)，很容易出現(xiàn)ITO薄膜層脫落、金屬電極層脫落的異常現(xiàn)象，這會(huì)導(dǎo)致金屬電極層的焊盤(pán)性能、AlGaInP基芯片的使用可靠性受到嚴(yán)重影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種焊線(xiàn)可靠性高、便于生產(chǎn)、發(fā)光效率高的帶ITO薄膜結(jié)構(gòu)的LED芯片。

本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種帶ITO薄膜結(jié)構(gòu)的LED芯片，包括GaAs襯底，在GaAs襯底的上面依次設(shè)有緩沖層、n-AIGaInP限制層、多量子阱（MQW）有源層、p-AIGaInP限制層和p-GaP窗口層，在p-GaP窗口層上設(shè)有ITO薄膜層，在GaAs襯底的下面制作背電極，特征是：在ITO薄膜層上設(shè)有金屬電極層；金屬電極層包括主電極和擴(kuò)展電極，主電極連接在p-GaP窗口層上，擴(kuò)展電極連接在ITO薄膜層上。

主電極為圓形，直徑90μm，擴(kuò)展電極為矩形，長(zhǎng)度為20μm，寬度為10μm，材料為Cr/Au，厚度50/2500nm。

本實(shí)用新型的由于作為焊盤(pán)的主電極直接連接在p-GaP窗口層上，從而避免了在焊線(xiàn)測(cè)試時(shí)造成ITO薄膜層脫落，并且由于擴(kuò)展電極連接在ITO薄膜層上，這樣既起到了降低接觸電壓的作用，同時(shí)又對(duì)主電極起到了防護(hù)作用，提高了整個(gè)金屬電極層的附著性和完整性，確保了產(chǎn)品的工作電壓穩(wěn)定，提高了產(chǎn)品的焊線(xiàn)可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有的常規(guī)AlGaInP發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例并對(duì)照附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

一種帶ITO薄膜結(jié)構(gòu)的LED芯片，包括GaAs襯底100，在GaAs襯底100的上面依次設(shè)有緩沖層101、n-AIGaInP限制層102、多量子阱有源層103、p-AIGaInP限制層104和p-GaP窗口層105，在p-GaP窗口層105上設(shè)有ITO薄膜層106，在ITO薄膜層106上設(shè)有金屬電極層107，在GaAs襯底100的下面制作背電極201。

金屬電極層107包括主電極和擴(kuò)展電極，主電極連接在p-GaP窗口層105上，擴(kuò)展電極連接在ITO薄膜層106上。