1.一種帶ITO薄膜結(jié)構(gòu)的LED芯片，包括GaAs襯底，在GaAs襯底的上面依次設(shè)有緩沖層、n-AIGaInP限制層、多量子阱有源層、p-AIGaInP限制層和p-GaP窗口層，在p-GaP窗口層上設(shè)有ITO薄膜層，在GaAs襯底的下面制作背電極，其特征在于：在ITO薄膜層上設(shè)有金屬電極層；金屬電極層包括主電極和擴(kuò)展電極，主電極連接在p-GaP窗口層上，擴(kuò)展電極連接在ITO薄膜層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶ITO薄膜結(jié)構(gòu)的LED芯片，其特征在于：主電極為圓形，直徑90μm，擴(kuò)展電極為矩形，長(zhǎng)度為20μm，寬度為10μm，材料為Cr/Au，厚度50/2500nm。