本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種ITO結(jié)構(gòu)LED芯片。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管具有高光效、低能耗、長壽命、多波段等優(yōu)勢，是一種有廣闊應(yīng)用前景的新光源，目前AlGaInP發(fā)光二極管已大量應(yīng)用于高效固態(tài)照明領(lǐng)域中，如顯示屏、汽車用燈、背光源、交通信號(hào)燈、景觀照明等。

作為AlGaInP發(fā)光二極管首選的半導(dǎo)體GaAs襯底材料，其化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，具有與AlGaInP材料晶格匹配性佳、導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性好、制造的晶體質(zhì)量高、大批量制造成本低等明顯優(yōu)勢。對(duì)于GaAs襯底的AlGaInP LED芯片，一般采用精密切割機(jī)系統(tǒng)，預(yù)先編程設(shè)定切割路徑條件，利用高速旋轉(zhuǎn)（30000-45000r/min）的超薄鉆石刀片（厚度為10-25μm）對(duì)AlGaInP LED芯片進(jìn)行切割，使AlGaInP LED芯片分割成為單個(gè)的芯粒。摻錫氧化銦（IndiumTinOxide），一般簡稱為ITO，由于GaAs襯底材料屬于硬脆材料，特別是對(duì)于常規(guī)ITO結(jié)構(gòu)的AlGaInP LED芯片而言，在芯片制造過程中會(huì)在外延片上表面生長一層ITO薄膜層，然后再進(jìn)行制作金屬電極層，這使得AlGaInP LED芯片本身的應(yīng)力增加，而且ITO薄膜層與外延層的結(jié)合力遠(yuǎn)小于外延片內(nèi)部的各個(gè)外延層之間的結(jié)合力，再加上切割時(shí)超薄鉆石刀片直接接觸ITO薄膜層、外延層和GaAs襯底，這就使得AlGaInP LED芯片加工時(shí)極其容易造成不同程度的物理損傷，特別是在AlGaInP LED芯片的正面周圍、邊緣容易產(chǎn)生外延層和GaAs襯底材料的崩角、崩邊、裂紋、裂紋等問題，從而影響AlGaInP LED芯片的外觀質(zhì)量和可靠性，產(chǎn)品合格率低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種外觀質(zhì)量好、可靠性高的ITO結(jié)構(gòu)LED芯片。

本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種ITO結(jié)構(gòu)LED芯片，包括GaAs襯底，在GaAs襯底的上面依次設(shè)有外延生長緩沖層、n-AIGaInP限制層、多量子阱（multiple quantum well，MQW）有源層、p-AIGaInP限制層和p-GaP窗口層，在p-GaP窗口層上設(shè)有ITO薄膜層，在GaAs襯底的下面設(shè)有背電極，特征是：在ITO薄膜層上設(shè)有圖形化的鉆石刀片切割走道，在圖形化的ITO薄膜層上設(shè)有金屬電極層。

鉆石刀片切割走道的寬度大于刀片厚度4-6μm。

本實(shí)用新型具有AlGaInP LED芯片的外觀質(zhì)量好、便于生產(chǎn)、可靠性高、合格率高等優(yōu)點(diǎn)，解決了ITO薄膜和GaP層在刀片切割時(shí)直接接觸容易伴隨碎屑附著和產(chǎn)生的崩角、崩邊、裂紋等問題，極大地提升了產(chǎn)品的外觀質(zhì)量、可靠性和成品良率。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例并對(duì)照附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

一種ITO結(jié)構(gòu)LED芯片，包括GaAs襯底100，在GaAs襯底100的上面依次設(shè)有外延生長緩沖層101、n-AIGaInP限制層102、多量子阱有源層103、p-AIGaInP限制層104和p-GaP窗口層105，在p-GaP窗口層105上設(shè)有ITO薄膜層106，在ITO薄膜層106上設(shè)有圖形化的鉆石刀片切割走道109，在圖形化的ITO薄膜層106上設(shè)有金屬電極層107；在GaAs襯底100的下面設(shè)有背電極201。

鉆石刀片切割走道的寬度大于刀片厚度4-6μm。