一種新型led芯片的互聯(lián)結(jié)構(gòu)及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED領(lǐng)域，具體涉及一種新型LED芯片的互聯(lián)結(jié)構(gòu)及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]LED發(fā)光芯片具有體積小、能耗低、壽命長以及環(huán)保等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于照明領(lǐng)域。LED芯片的主體是一個發(fā)光PN結(jié)，主要由N型半導(dǎo)體、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體組成，所述N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體上分別設(shè)置有金屬電極?，F(xiàn)有的LED芯片一般在發(fā)光PN結(jié)外覆蓋一層鈍化層(S1jl)，起保護作用，光阻層(由光刻膠形成)設(shè)置在鈍化層外。由于現(xiàn)有的LED芯片在制作過程中需要分別添加鈍化層和光阻層，之后還需對金屬電極上方的光阻層和鈍化層分別進行蝕刻，使金屬電極外露，工序繁瑣，制作麻煩，增加成本，同時，當多個LED芯片通過金屬導(dǎo)線連接時，串聯(lián)用的金屬導(dǎo)線蒸鍍在鈍化層上，由于S12的附著力低，容易使金屬導(dǎo)線脫離并斷開，影響LED芯片之間的連接；此外，由于S12是硬性材料，抗沖擊、抗壓的能力較差，鈍化層不能很好起到保護作用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種新型LED芯片的互聯(lián)結(jié)構(gòu)，利用軟性材料的光刻膠取代鈍化層對LED芯片的主體進行保護，同時承托蒸鍍的金屬導(dǎo)線層；此外，本發(fā)明還提供了制作上述新型LED芯片的互聯(lián)結(jié)構(gòu)的方法。
[0004]本發(fā)明為解決其技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是:
一種新型LED芯片的互聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括襯底，所述襯底上設(shè)置有至少兩塊LED芯片，所述LED芯片包括依次設(shè)置在襯底上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層，其中N型半導(dǎo)體層部分暴露在發(fā)光層外，所述N型半導(dǎo)體層的暴露區(qū)上設(shè)置有N電極，P型半導(dǎo)體層表面設(shè)置有P電極，所述襯底上表面和LED芯片外涂抹有透明絕緣的光刻膠，并通過光刻工藝形成光阻層，所述光阻層上設(shè)置有使P電極和N電極外露的缺口，所述光阻層表面蒸鍍有金屬導(dǎo)線層，所述金屬導(dǎo)線層兩端分別連接不同的LED芯片上的電極。
[0005]作為上述技術(shù)方案的進一步改進，所述金屬導(dǎo)線層一端連接P電極，另一端連接N電極。
[0006]作為上述技術(shù)方案的進一步改進，所述襯底上方設(shè)置有用于分隔LED芯片的絕緣的芯片隔離帶，所述芯片隔離帶用絕緣光刻膠填充，起到分隔LED芯片的作用。
[0007]本發(fā)明提供了一種制作上述LED芯片互聯(lián)結(jié)構(gòu)的方法，，包括以下步驟:
51、準備一襯底，在襯底上方依次設(shè)置N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層，通過刻蝕工藝暴露部分N型半導(dǎo)體層和形成絕緣的芯片隔離帶，芯片隔離帶通過干刻腐蝕到襯底表面，得到多個由芯片隔離帶分隔的LED芯片；
52、在N型半導(dǎo)體層暴露區(qū)設(shè)置N電極，P型半導(dǎo)體層上表面設(shè)置P電極；
53、通過光刻工藝將透明絕緣的光刻膠直接覆蓋在襯底、芯片隔離帶和LED芯片外，形成光阻層，采用顯影液把P電極和N電極上方的光阻層刻蝕，使P電極和N電極暴露出來； S4、在光阻層上蒸鍍金屬導(dǎo)線層，金屬導(dǎo)線層的兩端分別連接不同的LED芯片上的電極。
[0008]本發(fā)明還提供了另一種制作上述LED芯片互聯(lián)結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟:
Tl、準備一襯底，在襯底上方依次設(shè)置N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層，通過刻蝕工藝暴露部分N型半導(dǎo)體層和形成絕緣的芯片隔離帶，芯片隔離帶通過干刻腐蝕到襯底表面，得到多個由芯片隔離帶分隔的LED芯片；
T2、通過光刻工藝將透明絕緣的光刻膠直接覆蓋在襯底、芯片隔離帶和LED芯片外，形成光阻層，采用顯影液把N型半導(dǎo)體層暴露區(qū)和P型半導(dǎo)體層上表面的部分光阻層刻蝕掉，使N型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層暴露出來；
T3、在暴露出來的N型半導(dǎo)體層上設(shè)置N電極，P型半導(dǎo)體層上設(shè)置P電極；
T4、在光阻層上蒸鍍金屬導(dǎo)線層，金屬導(dǎo)線層的兩端分別連接不同的LED芯片上的電極。
[0009]本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明采用透明絕緣的光阻層直接覆蓋LED芯片，金屬導(dǎo)線層蒸鍍在光阻層上，由于光阻層是采用軟性的光刻膠制作而成，易填充在LED芯片之間的空間，形成良好的支撐面，能很好地降低金屬線的大幅度起伏引起的電壓升高，且具備一定的粘附力，能很好的粘附金屬導(dǎo)線層。此外，光刻膠的抗沖擊、抗壓的能力比硬性材料的S1^為優(yōu)秀，光阻層取代鈍化層能更好的起到保護作用；光阻層取代鈍化層還減少了設(shè)置鈍化層和蝕刻鈍化層兩道工序，提高了 LED芯片的生產(chǎn)效率，并降低制造成本。
【附圖說明】
[0010]以下結(jié)合附圖和實例作進一步說明。
[0011]圖1是本發(fā)明的LED芯片的互聯(lián)結(jié)構(gòu)的不意圖。
【具體實施方式】
[0012]參照圖1，本發(fā)明提供的一種新型LED芯片的互聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括襯底10，所述襯底10上設(shè)置有至少兩塊LED芯片，所述LED芯片包括依次設(shè)置在襯底10上的N型半導(dǎo)體層20、發(fā)光層30和P型半導(dǎo)體層40，其中N型半導(dǎo)體層20部分暴露在發(fā)光層30外，所述N型半導(dǎo)體層20的暴露區(qū)上設(shè)置有N電極52，P型半導(dǎo)體層40表面設(shè)置有P電極51，所述襯底10上表面和LED芯片外涂抹有透明絕緣的光刻膠，并通過光刻工藝形成光阻層60，所述光阻層60上設(shè)置有使P電極51和N電極52外露的缺口，所述光阻層60表面蒸鍍有金屬導(dǎo)線層70，所述金屬導(dǎo)線層70兩端分別連接不同的LED芯片上的電極，其中一端連接P電極51，另一端連接N電極52。
[0013]此外，本發(fā)明提供了一種制作上述LED芯片互聯(lián)結(jié)構(gòu)的方法，包括以下步驟:S1、準備一襯底10，在襯底10上方依次設(shè)置N型半導(dǎo)體層20、發(fā)光層30、P型半導(dǎo)體層40，通過刻蝕工藝暴露部分N型半導(dǎo)體層20和形成絕緣的芯片隔離帶，芯片隔離帶通過干刻腐蝕到襯底10表面，得到多個由芯片隔離帶分隔的LED芯片；S2、在N型半導(dǎo)體層20暴露區(qū)設(shè)置N電極52，P型半導(dǎo)體層40上表面設(shè)置P電極51 ;S3、通過光刻工藝將透明絕緣的光刻膠直接覆蓋在襯底10、芯片隔離帶和LED芯片外，形成光阻層