技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開了一種垂直型發(fā)光二極管芯片，其從下至上依次包括：第一電極、導(dǎo)電基板、第一介電層、歐姆接觸半導(dǎo)體層、第一覆蓋層、發(fā)光層、第二覆蓋層、第二電極，所述歐姆接觸半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電基板的上表面劃分為歐姆接觸區(qū)和非歐姆接觸區(qū)，所述歐姆接觸區(qū)位于所述歐姆接觸半導(dǎo)體層的邊緣區(qū)域，所述第一覆蓋層、發(fā)光層、第二覆蓋層形成于所述非歐姆接觸區(qū)，一歐姆接觸金屬層，形成于所述歐姆接觸半導(dǎo)體層的歐姆接觸區(qū)，并通過一導(dǎo)電連接層從所述芯片的側(cè)壁連接與所述導(dǎo)電基板。

技術(shù)研發(fā)人員：吳超瑜;吳俊毅;王篤祥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天津三安光電有限公司
文檔號(hào)碼：201620527927
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.02
技術(shù)公布日：2016.12.07