1.一種高導(dǎo)納米晶磁芯，其特征是由如下質(zhì)量組分組成:納米晶合金粉末顆粒80-99%，余量為金屬軟磁帶卷繞磁芯材；控制所述納米晶合金粉末顆粒大小為-100至-500目，所述金屬軟磁帶卷繞磁芯材為厚度15 -500微米的金屬帶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種高導(dǎo)納米晶磁芯，其特征是所述納米晶合金粉末顆粒形狀為球形狀或片狀；所述金屬軟磁帶卷繞磁芯材為鐵基非晶、鈷基非晶、鐵基納米晶、鐵硅、鐵鎳帶材之一種或幾種。
3.一種高導(dǎo)納米晶磁芯的制備方法，是以納米晶合金粉末顆粒為原料，其特征是包括以下方法步驟：
1）納米晶合金粉末顆粒除濕包覆處理，先將顆粒大小為-100至-500目的納米晶合金粉末顆粒用除濕劑進(jìn)行除濕處理，然后與絕緣包覆劑混合處理，控制混合處理溫度為15-130℃，混合處理時間為5-80分鐘，為處理納米晶合金粉末顆粒；
2）金屬軟磁帶卷繞磁芯材熱處理，將厚度為15-500微米的金屬帶，置于硅酸鈉或硅酸鉀溶液中浸泡，然后在50℃-200℃溫度下，保溫固化處理、冷卻，為熱處理金屬軟磁帶卷繞磁芯材；
3）制納米晶磁芯粗品，將1）步處理納米晶合金粉末顆粒和2）步熱處理金屬軟磁帶卷繞磁芯材混合為混合物，控制混合物中處理納米晶合金粉末顆粒質(zhì)量比為80-99%，余量為熱處理金屬軟磁帶卷繞磁芯材，將混合物置于所需的形狀、大小模具中，加壓成型，為納米晶磁芯粗品，控制成型壓力為10-30T/cm2，控制加壓時間為1-30秒；
4）制納米晶磁粉芯處理產(chǎn)品，將上步納米晶磁芯粗品置于熱處理裝置中，于真空或惰性氣體保護(hù)條件下進(jìn)行預(yù)處理，控制預(yù)處理溫度為100℃-300℃，壓力為0.1Pa-0.001Pa， 預(yù)處理時間為10-80分鐘；為納米晶磁芯處理產(chǎn)品；
5）制高導(dǎo)納米晶磁芯產(chǎn)品，將納米晶磁芯處理產(chǎn)品于熱處理裝置中進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)處理，控制高溫?zé)Y(jié)環(huán)境為惰性氣體或真空狀態(tài)下進(jìn)行，控制高溫?zé)Y(jié)溫度為300℃-450℃，燒結(jié)時間為10-80分鐘，于此溫度下恒溫保持不大于120分鐘，冷卻，最后倒角涂層，即為高導(dǎo)納米晶磁芯產(chǎn)品。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種高導(dǎo)納米晶磁芯的制備方法，其特征是1）步所述絕緣包覆劑為如下質(zhì)量比組分硅酸鈉5-8、硅酸鉀25-35、正硅酸乙酯15-25、硬脂酸鋅8-12、硅酮樹脂8-12、云母5-8、高嶺土15-25混合組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種高導(dǎo)納米晶磁芯的制備方法，其特征是1）步經(jīng)除濕處理的納米晶合金粉末顆粒與絕緣包覆劑混合，控制所述絕緣包覆劑加入量為納米晶合金粉末顆粒質(zhì)量的0.5-8Wt%。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種高導(dǎo)納米晶磁芯的制備方法，其特征是1）步所述除濕劑為質(zhì)量濃度為1-2Wt%無機(jī)酸和/或1-2 Wt%的硅酸鹽溶液的混合液；所述硅酸鹽為硅酸鈉和/或硅酸鉀。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種高導(dǎo)納米晶磁芯的制備方法，其特征是2）步金屬軟磁帶卷繞磁芯材熱處理，控制所述硅酸鈉或硅酸鉀溶液的質(zhì)量濃度為1-20Wt%，控制浸泡2-20分鐘，控制保溫固化處理時間維持時間10-80分鐘。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種高導(dǎo)納米晶磁芯的制備方法，其特征是5）步所述高溫?zé)Y(jié)是分三次的階段化加熱、升溫、恒溫?zé)Y(jié)處理，第一階段加熱10-20min,升溫至300－350℃,恒溫保溫10-20min；第二階段加熱10-20min,升溫至350－400℃，恒溫保溫10-20min；第三階段加熱10-20min,升溫至400－450℃，恒溫保溫20-40min；最后，爐冷卻至室溫納米晶磁芯產(chǎn)品。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述一種高導(dǎo)納米晶磁粉芯的制備方法，其特征是，其特征是2）、5）步所述冷卻為空氣中自然或風(fēng)冷冷卻。