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高導納米晶磁芯及其制備方法與流程

文檔序號:12128813閱讀:331來源:國知局
本發(fā)明涉及一種納米磁芯及制備方法,特別是涉及一種高導納米晶磁芯及其制備方法。
背景技術(shù)
:在電源電器開關(guān)設(shè)備中磁芯是其主要元配件之一,其在很大程度上決定著開關(guān)電源的質(zhì)量與節(jié)能降耗的功效。開關(guān)電源是現(xiàn)在生活中離不開的用電設(shè)備。如材料工程、電子學領(lǐng)域的開關(guān)電源用PFC功率因素校正,磁性器件等。從家庭用的燈飾、空調(diào)、電視、電腦電源等到辦公室打印復(fù)印機等等。隨著國內(nèi)外能源日益緊張,環(huán)境污染問題日益嚴重,對用電設(shè)備節(jié)能降耗的要求越來越高,也就對其電源使用效率的要求越來越高。在現(xiàn)有的開關(guān)電源中存在兩類主要問題:一是不同負載時效率無法均衡;用電設(shè)備不會24小時都在額定功率滿負荷運行,有部分時間處于待機狀態(tài)。而主動式PFC設(shè)計時會針對50%以上負載做主要設(shè)計,導致輕載時電源的效率低下。如何來調(diào)整輕載是負載阻抗,使PFC作用在輕重載時均能有效發(fā)揮作用,提高能效。二是斷續(xù)工作模式下的主動式PFC或者感性負載上有交變的大電流,都會導致開關(guān)器件容易受到損傷,開關(guān)損耗加大,無功功耗增加,降低整機的效率。如何來提出的新型器件,能有效提高瞬變感抗,降低瞬態(tài)電流,起到軟開關(guān)的作用。從而能有效降低開關(guān)損耗,提高能效。因此,如何來提供一種開關(guān)電源中存在兩類主要問題的開關(guān)電源的設(shè)備,即磁芯,是當前現(xiàn)實中需要面對和解決的問題。能有效降低開關(guān)損耗,提高能效,實現(xiàn)環(huán)保節(jié)能功效。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明是提供一種新型高導納米晶磁芯及其制備方法,其是由納米晶合金粉末顆粒和金屬卷繞磁芯帶材混合制成,制備的納米晶磁芯能有效提高瞬變感抗,降低瞬態(tài)電流,起到軟開關(guān)的作用。從而能有效降低開關(guān)損耗,提高能效。本發(fā)明提供一種高導納米晶磁芯,其是由如下質(zhì)量組分組成:納米晶合金粉末顆粒80-99%,余量為金屬軟磁帶卷繞磁芯材;控制所述納米晶合金粉末顆粒大小為-100至-500目,所述金屬軟磁帶卷繞磁芯材為厚度15-500微米的金屬帶。本發(fā)明所述一種高導納米晶磁芯,優(yōu)選是所述納米晶合金粉末顆粒形狀為球形或片狀;所述金屬軟磁帶材為鐵基非晶、鈷基非晶、鐵基納米晶、鐵硅、鐵鎳帶材之一種或幾種。本發(fā)明另一目的是一種高導納米晶磁芯的制備方法,是以納米晶合金粉末顆粒為原料,其包括以下方法步驟:1)納米晶合金粉末顆粒除濕包覆處理,先將顆粒大小為-100至-500目的納米晶合金粉末顆粒用除濕劑進行除濕處理,然后與絕緣包覆劑混合處理,控制混合處理溫度為15-130℃,混合處理時間為5-80分鐘,為處理納米晶合金粉末顆粒;2)金屬軟磁帶卷繞磁芯材熱處理,將厚度為15-500微米的金屬帶,置于硅酸鈉或硅酸鉀溶液中浸泡,然后在50℃-200℃溫度下,保溫固化處理、冷卻,為熱處理金屬軟磁帶卷繞磁芯材;3)制納米晶磁芯粗品,將1)步處理納米晶合金粉末顆粒和2)步熱處理金屬軟磁帶卷繞磁芯材混合為混合物,控制混合物中處理納米晶合金粉末顆粒質(zhì)量比為80-99%,余量為熱處理金屬軟磁帶卷繞磁芯材,將混合物置于所需的形狀、大小模具中,加壓成型,為納米晶磁芯粗品,控制成型壓力為10-30T/cm2,控制加壓時間為1-30秒;4)制納米晶磁粉芯處理產(chǎn)品,將上步納米晶磁芯粗品置于熱處理裝置中,于真空或惰性氣體保護條件下進行預(yù)處理,控制預(yù)處理溫度為100℃-300℃,壓力為0.1Pa-0.001Pa,預(yù)處理時間為10-80分鐘;為納米晶磁芯處理產(chǎn)品;5)制納米晶磁芯產(chǎn)品,將納米晶磁芯處理產(chǎn)品于熱處理裝置中進行高溫燒結(jié)處理,控制高溫燒結(jié)環(huán)境為惰性氣體或真空狀態(tài)下進行,控制高溫燒結(jié)溫度為300℃-450℃,燒結(jié)時間為10-80分鐘,于此溫度下恒溫保持不大于120分鐘,冷卻,最后倒角涂層,即為納米晶磁芯產(chǎn)品。本發(fā)明所述的制備方法,優(yōu)選的,是1)步所述絕緣包覆劑為如下質(zhì)量比組分硅酸鈉5-8、硅酸鉀30、正硅酸乙酯20-22、硬脂酸鋅10-12硅酮樹脂10-12、云母5-8、高嶺土20-22混合組成。本發(fā)明所述的制備方法,優(yōu)選的,是1)步經(jīng)除濕處理的納米晶合金粉末顆粒與絕緣包覆劑混合,控制所述絕緣包覆劑加入量為納米晶合金粉末顆粒質(zhì)量的0.5-8Wt%。本發(fā)明所述的制備方法,優(yōu)選的,是1)步所述除濕劑為質(zhì)量濃度為1-2Wt%無機酸和/或1-2Wt%的硅酸鹽溶液的混合液;所述硅酸鹽為硅酸鈉和/或硅酸鉀。本發(fā)明所述無機酸為磷酸或硫酸或鹽酸,亦或磷酸和硫酸,磷酸和鹽酸的混合。所述的制備方法,進一步的,是2)步金屬軟磁帶卷繞磁芯材熱處理,控制所述硅酸鈉或硅酸鉀溶液的質(zhì)量濃度為1-20Wt%,控制浸泡2-20分鐘,控制保溫固化處理時間維持時間10-80分鐘。本發(fā)明所述的制備方法,優(yōu)選的,是5)步所述高溫燒結(jié)是分三次的階段化加熱、升溫、恒溫燒結(jié)處理,第一階段加熱10-20min,升溫至300-350℃,恒溫保溫10-20min;第二階段加熱10-20min,升溫至350-400℃,恒溫保溫10-20min;第三階段加熱10-20min,升溫至400-450℃,恒溫保溫20-40min;最后,爐冷卻至室溫納米晶磁芯產(chǎn)品。本發(fā)明所述冷卻為空氣中自然或風冷冷卻。本發(fā)明采用上述步驟方法,制備的高導納米晶磁芯的應(yīng)用,能調(diào)整輕載是負載阻抗,使PFC作用在輕重載時均能有效發(fā)揮作用,提高能效。二是斷續(xù)工作模式下的主動式PFC或者感性負載上有交變的大電流,都會導致開關(guān)器件容易受到損傷,開關(guān)損耗加大,無功功耗增加,降低整機的效率。本發(fā)明提出的新型器件,能有效提高瞬變感抗,降低瞬態(tài)電流,起到軟開關(guān)的作用。有效降低開關(guān)損耗,提高能效。與現(xiàn)有方法制備的磁芯相比,降低了大電流的瞬變損耗,提高瞬變阻抗,起到大電流瞬間通斷軟著陸的作用,保護用電設(shè)備,提高電源功率因素。具體實施方式:下面結(jié)合具體實施方式對本發(fā)明作進一步的描述說明。本發(fā)明一種新型非晶磁芯,是以納米晶合金粉末顆粒為原料,和金屬軟磁帶材混合制成,其的制備方法步驟如下:1)納米晶合金粉末顆粒除濕包覆處理,先將顆粒大小為-100至-500目的納米晶合金粉末顆粒用除濕劑進行除濕處理,然后與絕緣包覆劑混合處理,控制混合處理溫度為15-130℃,混合處理時間為5-80分鐘,為處理納米晶合金粉末顆粒;2)金屬軟磁帶卷繞磁芯材熱處理,將厚度為15-500微米的金屬帶,置于硅酸鈉或硅酸鉀溶液中浸泡,然后在50℃-200℃溫度下,保溫固化處理、冷卻,為熱處理金屬軟磁帶卷繞磁芯材;3)制納米晶磁芯粗品,將1)步處理納米晶合金粉末顆粒和2)步熱處理金屬軟磁帶卷繞磁芯材混合為混合物,控制混合物中處理納米晶合金粉末顆粒質(zhì)量比為80-99%,余量為熱處理金屬軟磁帶卷繞磁芯材,將混合物置于所需的形狀、大小模具中,加壓成型,為納米晶磁芯粗品,控制成型壓力為10-30T/cm2,控制加壓時間為1-30秒;4)制納米晶磁粉芯處理產(chǎn)品,將上步納米晶磁芯粗品置于熱處理裝置中,于真空或惰性氣體保護條件下進行預(yù)處理,控制預(yù)處理溫度為100℃-300℃,壓力為0.1Pa-0.001Pa,預(yù)處理時間為10-80分鐘;為納米晶磁芯處理產(chǎn)品;5)制納米晶磁芯產(chǎn)品,將納米晶磁芯處理產(chǎn)品于熱處理裝置中進行高溫燒結(jié)處理,控制高溫燒結(jié)環(huán)境為惰性氣體或真空狀態(tài)下進行,控制高溫燒結(jié)溫度為300℃-450℃,燒結(jié)時間為10-80分鐘,于此溫度下恒溫保持不大于120分鐘,冷卻,最后倒角涂層,即為納米晶磁芯產(chǎn)品。本發(fā)明所述的制備方法,優(yōu)選的,是1)步所述絕緣包覆劑為如下質(zhì)量比組分硅酸鈉5-8、硅酸鉀30、正硅酸乙酯20-22、硬脂酸鋅10-12硅酮樹脂10-12、云母5-8、高嶺土20-22混合組成。進一步的具體操作為,1)將100-500目的納米晶合金粉末,先除濕處理,然后加入占納米晶合金粉末質(zhì)量比為0.5%到8%的絕緣包覆劑進行充分混合,所述絕緣包覆劑如下質(zhì)量比組分硅酸鈉5-8、硅酸鉀30、正硅酸乙酯20-22、硬脂酸鋅10-12硅酮樹脂10-12、云母5-8、高嶺土20-22混合組成。絕緣包覆劑可以是上面所述的各組分之間的配比,也可以按現(xiàn)有技術(shù)的方案進行配置,混合時溫度控制在15-130℃,混合時間為5到80分鐘;2)將厚度為15-500微米的金屬帶,所述金屬帶材料成分組成為鐵基非晶、鈷基非晶、鐵基納米晶、鐵硅、鐵鎳帶材之一種或幾種帶材;放在稀釋50倍到5倍即質(zhì)量比濃度為1-20Wt%的硅酸鈉或硅酸鉀中浸泡2-20分鐘,然后在50℃至200℃溫度下維持10到80分鐘進行固化處理、冷卻;3)按比例為80%到99%的處理過的納米晶合金粉末和比例為20%到1%的處理金屬軟磁帶卷繞磁芯材即金屬帶,放入需要的形狀和尺寸大小的設(shè)計模具中,進行加壓成型,壓力控制在10-30T/cm2,表示每平方厘米10-30噸,到規(guī)定壓力后,維持1-30秒成型,為納米晶磁芯粗品;4)成型后的納米晶磁芯粗品產(chǎn)品在真空熱處理爐真空壓力為0.1Pa-0.001Pa或者惰性氣體條件下進行預(yù)處理,處理溫度為100℃-300℃,時間為10-80分鐘,為納米晶磁芯處理產(chǎn)品;5)制產(chǎn)品,將上步的納米晶磁芯處理產(chǎn)品,再在真空壓力為0.1Pa-0.001Pa下或者流量為3升/分的惰性氣體所述惰性氣體為氮氣或者氬氣條件中進行高溫燒結(jié)處理,所述高溫燒結(jié)處理是分三次的階段化加熱、升溫、恒溫燒結(jié)處理,第一階段加熱10-20min,升溫至300-350℃,恒溫保溫10-20min;第二階段加熱10-20min,升溫至350-400℃,恒溫保溫10-20min;第三階段加熱10-20min,升溫至400-450℃,恒溫保溫20-40min;最后,爐冷卻至室溫,經(jīng)倒角,外表涂層,即為高導納米晶磁芯產(chǎn)品。實施例11)將150目重量為23.5克的納米晶合金粉末,放入1%磷酸+1%硅酸鈉溶液混合液中,浸泡10分鐘,然后在100℃的溫度下烘烤二十分鐘;2)將厚度為25微米的鐵基非晶(國標1k101)金屬卷繞磁芯,尺寸為OD23mm*ID20mm*HT6.5mm,用質(zhì)量濃度為3%的硅酸鈉溶液,進行浸泡5分鐘,然后在200℃溫度下烘烤50分鐘。3)將重量12g處理后的納米晶合金粉末放入OD26.9mm*ID14.7mm*HT11.2mm是模腔中;3)將本實施例的第二步制備好的金屬卷繞磁芯放入模腔中;5)然后再將余下的11.5克納米晶合金粉末放入其中;6)壓力達到21T/cm2時,保持10秒鐘,退模成型。7)將加壓成型的磁芯即納米晶磁芯粗品,在真空度0.08Pa的條件下,加溫200℃保溫50分鐘預(yù)處理。8)在同樣的真空條件下,將溫度升到420℃恒溫60分鐘,隨爐冷卻取出,冷卻至室溫,取出倒角、表面涂層,完成即制成新型高導納米晶磁芯產(chǎn)品。下表為本實施例1制備的高導納米晶磁芯產(chǎn)品和傳統(tǒng)產(chǎn)品在相同磁場下磁導率對比說明,表1,磁場強度Oe0.20.50.81102030405060708090現(xiàn)有納米晶粉芯磁導率59605858575449.2454236333028.8實施例1納米晶磁芯磁導率2000150080080665348.2444342403734說明,從上表1看出,本發(fā)明制備的高導納米晶磁芯在0.8奧斯特(Oe)之前,遠遠高于現(xiàn)有市場上所得的非晶粉芯。0.2Oe時基本為帶材產(chǎn)品的初始磁導率2000。用航嘉500wpc電源測試實際磁芯更換后的效率由96.6%提升到98%。實施例2本實施具體實施方案除下述說明外其余與實施例1及上述說明之處相同;1)將250目重量為40克的納米晶合金粉末,放入0.8g正硅酸乙酯和0.8g硬脂酸鋅組成的溶液中,浸泡并加溫到80℃,維持20分鐘;2)將厚度為50微米的鐵鎳合金帶材,型號為國標1j79,卷繞磁芯,其尺寸為OD30mm*ID24mm*HT10mm,用質(zhì)量濃度為1%左右的硅酸鈉進行5分鐘浸泡,然后用300℃烘烤30分鐘。3)將重量20g處理后的納米晶合金粉末放入OD40mm*ID15mm*HT14mm是模腔中;4)將本實施例第二步制備好的金屬卷繞磁芯放入模腔中。5)然后再將余下的20克納米晶合金粉末放入其中;6)壓力達到18T/cm2時保持15秒鐘,退模成型。7)在流量為5升/分的氮氣條件中進行燒結(jié)處理,處理溫度為410℃,保溫時間為90分鐘;將完成任務(wù)的產(chǎn)品進行倒角,外表涂層。即制成新型高導納米晶磁芯產(chǎn)品。本實施例燒結(jié)處理可采用分三次的階段化加熱、升溫、恒溫燒結(jié)處理,制備出的新型高導納米晶磁芯產(chǎn)品質(zhì)量更佳。下表為本實施例1制備的高導納米晶磁芯產(chǎn)品和傳統(tǒng)產(chǎn)品在相同磁場下磁導率對比說明,表2,說明,從上表2看出,本發(fā)明制備的高導納米晶磁芯在0.8奧斯特(Oe)之前,遠遠高于現(xiàn)有非晶粉芯。0.2Oe時基本為鐵氧體磁芯的初始磁導率3000。用航嘉500wpc電源測試實際磁芯更換本發(fā)明產(chǎn)品后的效率由96.6%提升到98.1%。當前第1頁1 2 3 
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