本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種高密度封裝體、引線框架、封裝單元及封裝方法。

背景技術(shù)：

在半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，如何實現(xiàn)高密度設(shè)計，是研究者追尋的重點之一。由于引腳與引腳間有很多的間隙，這些間隙空間是框架不能利用的，間隙越多浪費也就越多，因此高密度設(shè)計可考慮從改變引腳設(shè)計入手。下面列舉一個現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝的例子，參見圖1所示，封裝陣列包括多個封裝體10，每一封裝體10包括一封裝部11及多個突出于所述封裝部11的引腳12，每一所述封裝體10相鄰的兩個引腳12通過阻擋條13連接，每一所述封裝體10的引腳12與相鄰的封裝體10的阻擋條13彼此連接，且所述阻擋條13至其所在的封裝體的封裝部11的距離小于0.1mm。

上述半導(dǎo)體封裝陣列存在如下問題：1、每一所述封裝體10的引腳12與相鄰的封裝體10的阻擋條13彼此連接，成型時需要將引腳12與阻擋條13分離，由于分離刀片的厚度以及公差的原因，引腳12的設(shè)計長度應(yīng)比POD的管腳長度＞0.2mm以上，增加了引腳12占用的空間，無法實現(xiàn)高密度封裝。2、由于塑封時模具的公差阻擋條13與封裝部11之間不可能完全沒有間隙，那么在封裝后，這個間隙內(nèi)就不可避免的會有飛邊，傳統(tǒng)的設(shè)計是盡量減少阻擋條13與封裝部11之間的距離到＜0.1mm，以減少飛邊的長度，而將去飛邊的工作留到后面的工序，這導(dǎo)致生產(chǎn)周期延長，生產(chǎn)效率降低。

因此，亟需一種新型的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法解決上述技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種高密度封裝體、引線框架、封裝單元及封裝方法，其能夠?qū)崿F(xiàn)高密度封裝，并能夠避免飛邊產(chǎn)生。

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種高密度封裝陣列，包括多個封裝體，每一所述封裝體包括一封裝部及多個突出于所述封裝部的引腳，每一所述封裝體相鄰的兩個引腳通過阻擋條連接，每一所述封裝體的引腳與相鄰的封裝體的阻擋條彼此分離。

進一步，相鄰的兩個封裝體的引腳呈叉指狀排布，以使相鄰的兩個封裝體的引腳部分重疊。

進一步，每一所述封裝體的所述阻擋條至所述封裝部的距離大于一倍材料厚度，以允許外部阻擋塊插入所述阻擋條與所述封裝部之間。

進一步，每一所述封裝體的引腳至相鄰的封裝體的阻擋條的距離小于一倍材料厚度。

本發(fā)明還提供一種引線框架，包括多個引線框架單元，每一所述引線框架單元包括一封裝區(qū)域及多個突出于所述封裝區(qū)域的引腳，每一所述引線框架單元相鄰的兩個引腳通過阻擋條連接，每一所述引線框架單元的引腳與相鄰的引線框架單元的阻擋條彼此分離。

進一步，相鄰的兩個引線框架單元的引腳呈叉指狀排布，以使相鄰的兩個引線框架單元的引腳部分重疊。

進一步，每一所述引線框架單元的所述阻擋條至所述封裝區(qū)域的距離大于一倍材料厚度，以允許外部阻擋塊插入所述阻擋條與所述封裝區(qū)域之間。

進一步，每一所述引線框架單元的引腳至相鄰的引線框架單元的阻擋條的距離小于一倍材料厚度。

本發(fā)明還提供一種封裝單元，包括一封裝本體及多個突出于所述封裝本體的引腳，其特征在于，在引腳兩側(cè)及引腳之間的封裝本體的外露面上無外力去除溢膠的痕跡。

進一步，所述引腳兩側(cè)具有切面，頂面無切面。

進一步，所述切面的下邊緣至所述封裝本體的距離大于一倍材料厚度。

本發(fā)明還提供一種封裝方法，包括如下步驟：

提供一引線框架，所述引線框架包括多個引線框架單元，每一所述引線框架單元包括一封裝區(qū)域及多個突出于所述封裝區(qū)域的引腳，每一所述引線框架單元相鄰的兩個引腳通過阻擋條連接，每一所述引線框架單元的引腳與相鄰的引線框架單元的阻擋條彼此分離；將一阻擋塊設(shè)置在阻擋條與封裝區(qū)域之間；在設(shè)置阻所述擋塊之前或之后，在所述引線框架上固定芯片，并將芯片與引線框架的引腳電連接；塑封，形成封裝體；切割所述引腳，使所述引腳與所述阻擋條分離，并將所述阻擋塊與所述封裝體分離。

進一步，塑封后，所述阻擋塊貼合在所述封裝體側(cè)面。

本發(fā)明的優(yōu)點在于，將每一所述封裝體的引腳與相鄰的封裝體的阻擋條彼此分離，減小了引腳占用的空間，提高了封裝密度，能夠提供一種高密度的封裝陣列。用傳統(tǒng)的73mm寬度的引線框架只能容納18Row封裝體，而本發(fā)明78mm寬度的引線框架能容納27Row封裝體，引線框架利用率提高了40%，大大提高了封裝密度。另外，本發(fā)明增大阻擋條與封裝體的距離，在塑封時，模具的阻擋塊可插入阻擋條與封裝體之間，從根本上避免飛邊產(chǎn)生。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有的封裝陣列的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明高密度封裝陣列的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明封裝單元的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的高密度封裝體、引線框架、封裝單元及封裝方法的具體實施方式做詳細(xì)說明。

參見圖2所示，本發(fā)明高密度封裝陣列包括多個封裝體，在本具體實施方式中，為了清楚說明本發(fā)明技術(shù)特征，示意性地繪出兩個封裝體，并命名為第一封裝體20和第二封裝體21，所述第一封裝體20與第二封裝體21相鄰設(shè)置。

所述第一封裝體20包括一封裝部201及多個突出于所述封裝部201的引腳202。在本具體實施方式中，示意性地列舉出兩個引腳202。兩個所述引腳202通過阻擋條203連接。優(yōu)選地，在本具體實施方式中，所述阻擋條203分別連接兩個引腳202的側(cè)邊，以減小引腳202及阻擋條203所占用的空間。

所述第二封裝體21包括一封裝部211及多個突出于所述封裝部211的引腳212。在本具體實施方式中，示意性地繪出一個引腳212。所述引腳212通過阻擋條213連接，在本具體實施方式中，示意性地繪出兩個阻擋條213。優(yōu)選地，在本具體實施方式中，所述阻擋條213分別連接引腳212的側(cè)邊，以減小引腳212及阻擋條213所占用的空間。

每一所述封裝體的引腳與相鄰的封裝體的阻擋條彼此分離。即所述第一封裝體20的引腳202與所述第二封裝體21的阻擋條213彼此分離，所述第二封裝體21的引腳212與所述第一封裝體20的阻擋條203彼此分離，即所述第一封裝體20的引腳202與所述第二封裝體21的阻擋條213不連接，所述第二封裝體21的引腳212與所述第一封裝體20的阻擋條203不連接。其優(yōu)點在于，引腳與相鄰的封裝體的阻擋條之間只需要留一個滿足沖壓或者蝕刻框架要求的最小間隙，最小間隙＜0.2mm，并且框架越薄這個間隙就越小，縮小了引腳所占用的空間，提高了封裝陣列的封裝密度。而現(xiàn)有技術(shù)中，參見圖1，每一所述封裝體10的引腳12與相鄰的封裝體10的阻擋條13彼此連接，成型時需要將引腳12與阻擋條13分離，由于分離刀片的厚度以及公差的原因，引腳12的設(shè)計長度應(yīng)比POD的管腳長度＞0.2mm以上，增加了引腳12占用的空間，無法實現(xiàn)高密度排列。

優(yōu)選地，每一所述封裝體的引腳至相鄰的封裝體的阻擋條的距離小于一倍材料厚度。即所述第一封裝體20的引腳202至第二封裝體21的阻擋條213的距離小于一倍材料厚度，所述第二封裝體21的引腳212至第一封裝體20的阻擋條203的距離小于一倍材料厚度。這里所述的一倍材料厚度是指所述封裝體采用的引線框架的厚度，即每一所述封裝體的引腳至相鄰的封裝體的阻擋條的距離的大小跟引線框架的材料厚度有關(guān)，例如，所述封裝體采用的引線框架的厚度是0.152mm，則每一所述封裝體的引腳至相鄰的封裝體的阻擋條的距離小于0.152mm，所述封裝體采用的引線框架的厚度是0.200mm，則每一所述封裝體的引腳至相鄰的封裝體的阻擋條的距離小于0.200mm。

優(yōu)選地，相鄰的兩個封裝體的引腳呈叉指狀排布，以使相鄰的兩個封裝體的引腳部分重疊。即所述第一封裝體20的引腳202與所述第二封裝體21的引腳212呈叉指狀排布，引腳202與引腳212部分重疊，以進一步減小所述引腳所占用的空間，提高封裝密度。

優(yōu)選地，每一所述封裝體的所述阻擋條至所述封裝部的距離大于一倍材料厚度，以允許外部阻擋塊插入所述阻擋條與所述封裝部之間。即所述第一封裝體20的阻擋條203至所述封裝部201的距離大于一倍材料厚度，所述第二封裝體21的阻擋條213至所述封裝部211的距離大于一倍材料厚度。所述一倍材料厚度與上文定義一致。其優(yōu)點在于，將封裝體與阻擋條之間的間距增大到大于一倍材料厚度，例如為大于0.2mm，則在塑封工藝中，可在封裝體與阻擋條之間插入阻擋塊（所述阻擋塊屬于外部模具設(shè)計），阻擋塊因為屬于模具本身設(shè)計，其能緊貼封裝體，所以在塑封時，由于阻擋塊的存在，封裝體側(cè)面不會存在飛邊的情況，能從根本上去飛邊黑膠。

本發(fā)明高密度封裝陣列將每一所述封裝體的引腳與相鄰的封裝體的阻擋條彼此分離，減小了引腳占用的空間，提高了封裝密度，能夠提供一種高密度的封裝陣列。

參見圖3所示，本發(fā)明還提供一種引線框架，所述引線框架可用于作為所述高密度封裝陣列的封裝基板。所述引線框架包括多個引線框架單元。在本具體實施方式中，為了清楚說明本發(fā)明技術(shù)特征，示意性地繪出兩個引線框架單元，并命名為第一引線框架單元30和第二引線框架單元31，所述第一引線框架單元30與第二引線框架單元31相鄰設(shè)置。

所述第一引線框架單元30包括一封裝區(qū)域301及多個突出于所述封裝區(qū)域301的引腳302，兩個所述引腳302通過阻擋條303連接。優(yōu)選地，在本具體實施方式中，所述阻擋條303分別連接兩個引腳302的側(cè)邊，以減小引腳302及阻擋條303所占用的空間。

所述第二引線框架單元31包括一封裝區(qū)域311及多個突出于所述封裝區(qū)域311的引腳312。所述引腳312通過阻擋條313連接，在本具體實施方式中，示意性地繪出兩個阻擋條313。優(yōu)選地，在本具體實施方式中，所述阻擋條313分別連接引腳312的側(cè)邊，以減小引腳312及阻擋條313所占用的空間。

在圖3中，采用虛線示意性地繪示出封裝區(qū)域301及封裝區(qū)域311的邊界。在所述封裝區(qū)域內(nèi)設(shè)置有芯片粘貼區(qū)（附圖中未標(biāo)示），所述封裝區(qū)域內(nèi)部的設(shè)置本領(lǐng)域技術(shù)人員可從現(xiàn)有技術(shù)中獲取，本文不再描述。

每一所述引線框架單元的引腳與相鄰的引線框架單元的阻擋條彼此分離；相鄰的兩個引線框架單元的引腳呈叉指狀排布，以使相鄰的兩個引線框架單元的引腳部分重疊；每一所述引線框架單元的所述阻擋條至所述封裝區(qū)域的距離大于一倍材料厚度，以允許外部阻擋塊插入所述阻擋條與所述封裝區(qū)域之間；每一所述引線框架單元的引腳至相鄰的引線框架單元的阻擋條的距離小于一倍材料厚度。具體描述可參見上文高密度封裝陣列的描述。

參見圖4，本發(fā)明還提供一種封裝單元，由上述高密度封裝陣列切割而成。所述封裝單元包括一封裝本體401及多個突出于所述封裝本體401的引腳402，在本具體實施方式中，示意性地繪示出兩個引腳402。在引腳402兩側(cè)及引腳402之間的封裝本體401的外露面上無外力去除溢膠的痕跡。

在現(xiàn)有技術(shù)中，在塑封后，會采用激光去除飛邊的方法去除飛邊，該方法會在封裝本體邊緣有非常少量飛邊，且切面整齊，有燒過的痕跡，引腳側(cè)面沒有溢膠；或者采用傳統(tǒng)的waterJet或者punch沖壓去除飛邊的方法去除飛邊，該方法會在封裝本體邊緣有不規(guī)則飛邊殘留，引腳側(cè)面有長短不一的溢膠殘留。而本發(fā)明在塑封工藝時，可在封裝體與阻擋條之間插入阻擋塊，在封裝本體側(cè)面不會存在飛邊的情況，能從根本上去飛邊黑膠，且在引腳402兩側(cè)及引腳402之間的封裝本體401的外露面上無外力去除溢膠的痕跡。

可選地，所述引腳402兩側(cè)具有切面403，頂面無切面。這是由于阻擋條與引腳402側(cè)面連接，引腳402頂面沒有與相鄰的阻擋條連接，則在封裝單元從封裝陣列上切割下來后，引腳側(cè)面留有阻擋條的切割痕跡，而頂面沒有切割痕跡?？蛇x地，所述切面403的下邊緣至所述封裝本體401的距離大于一倍材料厚度。

本發(fā)明還提供一種封裝方法，所述封裝方法包括如下步驟：

（1）提供一引線框架，所述引線框架的結(jié)構(gòu)可參見圖3所示。

（2）將一阻擋塊設(shè)置在阻擋條與封裝區(qū)域之間，即將一阻擋塊設(shè)置在阻擋條303與封裝區(qū)域301之間及阻擋條313與封裝區(qū)域311之間。所述阻擋塊屬于外部模具設(shè)計，在該步驟中，將引線框架放置在模具上后，阻擋塊會直接插入阻擋條與封裝區(qū)域之間。由于阻擋塊屬于模具本身設(shè)計，其能緊貼封裝區(qū)域邊緣，所以在塑封時，由于阻擋塊的存在，塑封后的封裝體側(cè)面不會存在飛邊的情況，能從根本上去飛邊黑膠。

（3）在設(shè)置阻所述阻擋塊之前或之后，在所述引線框架上固定芯片，并將芯片與引線框架的引腳電連接，該步驟為公知步驟。

（4）塑封，形成封裝體，該步驟為公知步驟，參見圖2所示。在該步驟完成后，所述阻擋塊貼合在所述封裝體側(cè)面，封裝體側(cè)面不會存在飛邊的情況。

（5）切割所述引腳，使所述引腳與所述阻擋條分離，并將所述阻擋塊與所述封裝體分離，形成封裝單元，參見圖4所示。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。