1.一種硅-氮化硅-碳復(fù)合材料，其特征在于，復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)組成中包括球形納米硅、氮化硅納米線及石墨烯包覆層，所述的氮化硅納米線原位生長(zhǎng)在球形納米硅顆粒的表面，氮化硅納米線外再修飾石墨烯包覆層，結(jié)構(gòu)組成中的重量百分比為：
球形納米硅 40～70％；
氮化硅 20～40％；
石墨烯 10～20％。
2.如權(quán)利要求1所述的一種硅-氮化硅-碳復(fù)合材料，其特征在于：所述球形納米硅顆粒中值粒徑10～200nm。
3.一種如權(quán)利要求1或2所述的硅-氮化硅-碳復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，采用如下制備步驟：
(1)、制備硅-氮化硅復(fù)合物：將球形納米硅置于氣氛爐中，通氮?dú)廒s走爐內(nèi)空氣，以1～10℃min升溫速率將爐內(nèi)溫度升至1200～1400℃，然后恒溫1～4h，恒溫結(jié)束后，自然降溫至室溫；且在升溫和降溫過(guò)程中，通入氨氣和氮?dú)獾幕旌蠚?，氨氣與氮?dú)饣旌系捏w積比為4∶1～8∶1，混合氣流速100～200SCCM，得到“硅-氮化硅”復(fù)合物；
(2)、制備漿料：將硅-氮化硅復(fù)合物投入到氧化石墨烯水溶液中混合均勻得到漿料；所述的氧化石墨烯水溶液中氧化石墨烯的固含量為5～10wt％，且氧化石墨烯水溶液中的氧化石墨烯固體與“硅-氮化硅”復(fù)合物的重量比為1∶2～1∶4.5；
(3)、噴霧造粒：將漿料送入噴霧造粒設(shè)備中進(jìn)行噴霧造粒，且噴霧造粒設(shè)備的進(jìn)口溫度為250～400℃，噴霧造粒設(shè)備的出口溫度為100～120℃，得到氧化石墨烯包覆的硅基復(fù)合材料；
(4)、熱處理：在熱處理設(shè)備中，并通入H2和氬氣混合氣氛，以3℃/min的升溫速率升溫至400～800℃對(duì)硅基復(fù)合材料進(jìn)行還原，然后恒溫0.5～1h，自然冷卻，得到由石墨烯、氮化硅納米線及球形納米硅復(fù)合結(jié)構(gòu)構(gòu)成的高容量硅基復(fù)合材料；
(5)、篩分：將高容量硅基復(fù)合材料過(guò)250目標(biāo)準(zhǔn)篩，得到D50＝8.3um的粉體，即“硅-氮化硅-碳”復(fù)合材料。
4.如權(quán)利要求3所述的硅-氮化硅-碳復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述的氧化石墨烯固體的層數(shù)在5～10層，氧含量45～48％，直徑0.2～5um。
5.如權(quán)利要求3所述的硅-氮化硅-碳復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述的噴霧造粒設(shè)備將位于其內(nèi)的物料的中值粒徑控制在5～15μm。
6.如權(quán)利要求3所述的硅-氮化硅-碳復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述的熱處理設(shè)備采用高溫回轉(zhuǎn)爐。
7.一種如權(quán)利要求1或2所述的硅-氮化硅-碳復(fù)合材料的應(yīng)用方法，其特征在于，將所述硅-氮化硅-碳復(fù)材料與石墨按重量比1∶9～3∶7的比例放入混料機(jī)中混料2～10小時(shí)，得到作為負(fù)極極片制備所需的活性物質(zhì)。
8.如權(quán)利要求7所述的硅-氮化硅-碳復(fù)合材料的應(yīng)用方法，其特征在于：所述的石墨包括人造石墨、中間相石墨、天然石墨。
9.如權(quán)利要求7所述的硅-氮化硅-碳復(fù)合材料的應(yīng)用方法，其特征在于：所述的石墨的D50粒徑為6～20um。