1.一種靜電防護(hù)電路，包括被保護(hù)的信號(hào)線、VGL信號(hào)線，VGH信號(hào)線，其中
所述被保護(hù)的信號(hào)線與所述VGL信號(hào)線之間設(shè)置有第一N型薄膜晶體管，所述第一N型薄膜晶體管柵極與所述VGL信號(hào)線相交形成第一連接點(diǎn)，所述第一N型薄膜晶體管漏極通過第一甲金屬焊盤與所述被保護(hù)的信號(hào)線相交形成第二連接點(diǎn)，所述第一N型薄膜晶體管源極通過第一乙金屬焊盤與所述VGL信號(hào)線相交形成第三連接點(diǎn)，
其中，所述第一乙金屬焊盤與所述第三連接點(diǎn)之間設(shè)置有第二P型薄膜晶體管，
所述第二P型薄膜晶體管的漏極連接至所述第三連接點(diǎn)，所述第二P型薄膜晶體管的源極連接至所述第一乙金屬焊盤，所述第二P型薄膜晶體管柵極與第二乙金屬焊盤相連，
所述第一甲金屬焊盤、所述第一乙金屬焊盤、所述第二乙金屬焊盤相互無限靠近但相互絕緣，
其中，第一甲金屬焊盤位于面板的第一層金屬層中，第一乙金屬焊盤、第二乙金屬焊盤均位于基板的第二層金屬層中，
所述被保護(hù)的信號(hào)線與所述VGH信號(hào)線之間設(shè)置有第一P型薄膜晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電防護(hù)電路，其特征在于，所述第一P型薄膜晶體管柵極與所述VGH信號(hào)線相交形成第四連接點(diǎn)，所述第一P型薄膜晶體管源極通過第二甲金屬焊盤與所述被保護(hù)的信號(hào)線相交形成第五連接點(diǎn)，所述第一P型薄膜晶體管漏極通過第三乙金屬焊盤與所述VGH信號(hào)線相交形成第六連接點(diǎn)，所述第二甲金屬焊盤與所述第三乙金屬焊盤相互無限靠近但相互絕緣，
其中，第二甲金屬焊盤位于基板的第一層金屬層中，第三乙金屬焊盤位于基板的第二層金屬層中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電防護(hù)電路，其特征在于，所述第三乙金屬焊盤與所述第六連接點(diǎn)之間設(shè)置有第二N型薄膜晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的靜電防護(hù)電路，其特征在于，所述第二N型薄膜晶體管的源極連接至所述第六連接點(diǎn)，所述第二N型薄膜晶體管的漏極連接至所述第三乙金屬焊盤，所述第二N型薄膜晶體管的柵極與第四乙金屬焊盤相連，
所述第二甲金屬焊盤、所述第三乙金屬焊盤、所述第四乙金屬焊盤相互無限靠近但相互絕緣，
其中，第四乙金屬焊盤位于基板的第二層金屬層中。
5.一種靜電防護(hù)電路，包括被保護(hù)的信號(hào)線、VGL信號(hào)線，VGH信號(hào)線，其中
所述被保護(hù)的信號(hào)線與所述VGL信號(hào)線之間設(shè)置有第一N型薄膜晶體管，所述第一N型薄膜晶體管柵極與所述VGL信號(hào)線相交形成第一連接點(diǎn)，所述第一N型薄膜晶體管漏極通過第一甲金屬焊盤與所述被保護(hù)的信號(hào)線相交形成第二連接點(diǎn)，所述第一N型薄膜晶體管源極通過第一乙金屬焊盤與所述VGL信號(hào)線相交形成第三連接點(diǎn)，
其中，所述第一乙金屬焊盤與所述第三連接點(diǎn)之間設(shè)置有第二P型薄膜晶體管，
所述第二P型薄膜晶體管的漏極連接至所述第三連接點(diǎn)，所述第二P型薄膜晶體管的源極連接至所述第一乙金屬焊盤，所述第二P型薄膜晶體管柵極與第二乙金屬焊盤相連，
所述第一甲金屬焊盤、所述第一乙金屬焊盤、所述第二乙金屬焊盤相互無限靠近但相互絕緣，
其中，第一甲金屬焊盤位于面板的第一層金屬層中，第一乙金屬焊盤、第二乙金屬焊盤均位于基板的第二層金屬層中，
所述被保護(hù)的信號(hào)線與所述VGH信號(hào)線之間設(shè)置有第三N型薄膜晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的靜電防護(hù)電路，其特征在于，所述第三N型薄膜晶體管的柵極與所述被保護(hù)的信號(hào)線相交形成第七連接點(diǎn)，所述第三N型薄膜晶體管的漏極通過第五乙金屬焊盤與VGH信號(hào)線相交形成第八連接點(diǎn)，所述第三N型薄膜晶體管的源極通過第三甲金屬焊盤與所述被保護(hù)的信號(hào)線相交形成第九連接點(diǎn)，所述第三甲金屬焊盤與所述第五乙金屬焊盤相互無限靠近但相互絕緣，其中，第三甲金屬焊盤位于基板的第一層金屬層中，第五乙金屬焊盤位于基板的第五層金屬層中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的靜電防護(hù)電路，其特征在于，所述第三甲金屬焊盤與第九連接點(diǎn)之間設(shè)置有第三P型薄膜晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的靜電防護(hù)電路，其特征在于，所述第三P型薄膜晶體管的漏極連接至所述第九連接點(diǎn)，所述第三P型薄膜晶體管的源極連接至所述第三甲金屬焊盤，所述第三P型薄膜晶體管的柵極與第六乙金屬焊盤相連，
所述第三甲金屬焊盤、所述第五乙金屬焊盤、所述第六乙金屬焊盤相互無限靠近但相互絕緣，
其中，所述第六乙金屬焊盤位于基板的第二層金屬層中。
9.一種基板，其特征在于，包含如權(quán)利要求1～8任一所述的靜電防護(hù)電路。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包含如權(quán)利要求9所述的基板。