本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種靜電防護(hù)電路、基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

在液晶顯示器制造過(guò)程中，如干燥、刻蝕、配向膜摩擦、切割和搬運(yùn)等工藝中都會(huì)導(dǎo)致靜電的發(fā)生。靜電放電可能會(huì)將絕緣層擊穿導(dǎo)致兩層金屬直接導(dǎo)通，從而直接影響著生產(chǎn)液晶面板的良率。靜電放電是一種靜電積累，在不同物體間靜電電荷轉(zhuǎn)移釋放的現(xiàn)象。靜電釋放的時(shí)間很短，一般只有納米等級(jí)。靜電在這樣短的時(shí)間內(nèi)釋放會(huì)產(chǎn)生非常大的瞬間電流，這樣高的電流通過(guò)集成電路時(shí)就會(huì)將器件燒毀，導(dǎo)致電路不能正常工作。因此，在半導(dǎo)體制造中會(huì)用一些如離子風(fēng)機(jī)等設(shè)備去減少靜電的發(fā)生，或者在電路中設(shè)置一些靜電防護(hù)電路(ESD)防止信號(hào)線收到干擾，影響面板的正常顯示。

ESD器件，是薄膜晶體管液晶顯示器(薄膜晶體管-LCD)中防止靜電對(duì)被保護(hù)的信號(hào)線造成損傷的一種保護(hù)電路，對(duì)面板的正常顯示有重要的作用。常用的ESD器件有兩種類型：第一種是由一個(gè)N薄膜晶體管構(gòu)成的二極管和一個(gè)P薄膜晶體管構(gòu)成的二極管組成(CMOS類型ESD器件)，圖1為該類型ESD器件的結(jié)構(gòu)示意圖，被保護(hù)的信號(hào)線與VGL信號(hào)線之間設(shè)置有第一N型薄膜晶體管NT1，第一N型薄膜晶體管NT1的柵極與VGL信號(hào)線相交形成第一連接點(diǎn)P1，第一N型薄膜晶體管NT1的漏極通過(guò)第一甲金屬焊盤11與被保護(hù)的信號(hào)線相交形成第二連接點(diǎn)B1，第一N型薄膜晶體管NT1的源極通過(guò)第一乙金屬焊盤21與所述VGL信號(hào)線相交形成第三連接點(diǎn)P2，所述第一甲金屬焊盤11與所述第一乙金屬焊盤21相互無(wú)限靠近但相互絕緣；被保護(hù)的信號(hào)線與所述VGH信號(hào)線之間設(shè)置有第一P型薄膜晶體管PT1，第一P型薄膜晶體管PT1的柵極與VGH信號(hào)線相交形成第四連接點(diǎn)Q1，第一P型薄膜晶體管PT1的源極通過(guò)第二甲金屬焊盤12與被保護(hù)的信號(hào)線10相交形成第五連接點(diǎn)B2，第一P型薄膜晶體管PT1的漏極通過(guò)第三乙金屬焊盤23與VGH信號(hào)線相交形成第六連接點(diǎn)Q2，所述第二甲金屬焊盤12與所述第三乙金屬焊盤23相互無(wú)限靠近但相互絕緣。當(dāng)沒(méi)有靜電或靜電較小時(shí)，VGL、VGH均與被保護(hù)的信號(hào)線隔離，被保護(hù)的信號(hào)線10不受VGL、VGH的影響，當(dāng)靜電較大時(shí)，導(dǎo)致第一甲金屬焊盤和第一乙金屬焊盤融化短路，從而導(dǎo)致第一N型薄膜晶體管NT1的源極和漏極短路，即VGL與被保護(hù)的信號(hào)線短路，同時(shí)，當(dāng)靜電較大時(shí)，導(dǎo)致第二甲金屬焊盤與第三乙金屬焊盤融化短路，從而導(dǎo)致第一P型薄膜晶體管PT1的源極和漏極短路，即VGH與被保護(hù)的信號(hào)線短路，從而導(dǎo)致被保護(hù)的信號(hào)線出現(xiàn)異常，影響面板的正常顯示。

第二種是由兩個(gè)N薄膜晶體管構(gòu)成的二極管組成(NMOS類型ESD器件)，圖2為該類型的ESD器件的結(jié)構(gòu)示意圖，第二種ESD器件的被保護(hù)的信號(hào)線10與VGL信號(hào)線之間的設(shè)置與第一種ESD器件的設(shè)置完全相同，第二種ESD器件的被保護(hù)的信號(hào)線10與VGH信號(hào)線之間設(shè)置有第三N型薄膜晶體管NT3，第三N型薄膜晶體管NT3的柵極與被保護(hù)的信號(hào)線10相交形成第七連接點(diǎn)K1，所述第三N型薄膜晶體管NT3的漏極通過(guò)第五乙金屬焊盤25與VGH信號(hào)線相交形成第八連接點(diǎn)Q3，所述第三N型薄膜晶體管NT3的源極通過(guò)第三甲金屬焊盤13與被保護(hù)的信號(hào)線10相交形成第九連接點(diǎn)K2，所述第三甲金屬焊盤與所述第五乙金屬焊盤相互無(wú)限靠近但相互絕緣。同樣，當(dāng)沒(méi)有靜電或靜電較小時(shí)，VGL、VGH均與被保護(hù)的信號(hào)線隔離，被保護(hù)的信號(hào)線不受VGL、VGH的影響，當(dāng)靜電較大時(shí)，由于第一甲金屬焊盤和第一乙金屬焊盤融化短路，從而導(dǎo)致VGL與被保護(hù)的信號(hào)線短路，同時(shí)，當(dāng)靜電較大時(shí)，由于第二甲金屬焊盤與第三乙金屬焊盤融化短路，從而導(dǎo)致VGH與被保護(hù)的信號(hào)線短路，從而導(dǎo)致被保護(hù)的信號(hào)線出現(xiàn)異常，影響面板的正常顯示。

上文中，第一甲金屬焊盤、第二甲金屬焊盤均位于第一層金屬層中，第一乙金屬焊盤、第三乙金屬焊盤、第五乙金屬焊盤均位于第二層金屬層中。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決大靜電時(shí)，VGL或VGH對(duì)被保護(hù)的信號(hào)線的影響，本發(fā)明提出一種靜電防護(hù)電路及包含該結(jié)構(gòu)的顯示裝置。

下文中，第一甲金屬焊盤、第二甲金屬焊盤、第三甲金屬焊盤均位于基板的第一層金屬層中，第一乙金屬焊盤、第二乙金屬焊盤、第三乙金屬焊盤、第四乙金屬焊盤、第五乙金屬焊盤、第六乙金屬焊盤均位于基板的第二層金屬層中。

本發(fā)明提出的靜電防護(hù)電路，包括被保護(hù)的信號(hào)線、VGL信號(hào)線，VGH信號(hào)線，其中，所述被保護(hù)的信號(hào)線與所述VGL信號(hào)線之間設(shè)置有第一N型薄膜晶體管，所述第一N型薄膜晶體管柵極與所述VGL信號(hào)線相交形成第一連接點(diǎn)，所述第一N型薄膜晶體管漏極通過(guò)第一甲金屬焊盤與信號(hào)線相交形成第二連接點(diǎn)，所述第一N型薄膜晶體管源極通過(guò)第一乙金屬焊盤與所述VGL信號(hào)線相交形成第三連接點(diǎn)，

所述第一乙金屬焊盤與所述第三連接點(diǎn)之間設(shè)置有第二P型薄膜晶體管，

所述第二P型薄膜晶體管的漏極連接至所述第三連接點(diǎn)，所述第二P型薄膜晶體管的源極連接至所述第一乙金屬焊盤，所述第二P型薄膜晶體管柵極與第二乙金屬焊盤相連，

所述第一甲金屬焊盤、所述第一乙金屬焊盤、所述第二乙金屬焊盤相互無(wú)限靠近但相互絕緣，

所述信號(hào)線與所述VGH信號(hào)線之間設(shè)置有第一P型薄膜晶體管。

第二P型薄膜晶體管的設(shè)置，尤其當(dāng)?shù)诙型薄膜晶體管的柵極與處于浮動(dòng)狀態(tài)的第二乙金屬焊盤相連時(shí)，且第二乙金屬焊盤靠近第一甲金屬焊盤和第一乙金屬焊盤，當(dāng)無(wú)靜電或靜電較小時(shí)，很顯然被保護(hù)的信號(hào)線與VGL信號(hào)線為斷開(kāi)狀態(tài)，被保護(hù)的信號(hào)線不會(huì)受到VGL信號(hào)線的干擾。當(dāng)靜電較大時(shí)，這三個(gè)金屬焊盤由于融化短路，使得第二P型薄膜晶體管的柵極與被保護(hù)的信號(hào)線相連，當(dāng)被保護(hù)的信號(hào)線是低電位時(shí)，第二P型薄膜晶體管的源極和漏極處于導(dǎo)通狀態(tài)，被保護(hù)的低電位信號(hào)線與VGL信號(hào)線相連；當(dāng)被保護(hù)的信號(hào)線是高電位時(shí)，第二P型薄膜晶體管的源極和漏極處于斷開(kāi)狀態(tài)，被保護(hù)的信號(hào)線與VGL信號(hào)線斷開(kāi)，不會(huì)受到VGL信號(hào)線的干擾，所以，無(wú)論被保護(hù)的信號(hào)線是高電位還是低電位，其均不會(huì)受到VGL信號(hào)線的干擾。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第一P型薄膜晶體管柵極與所述VGH信號(hào)線相交形成第四連接點(diǎn)，所述第一P型薄膜晶體管源極通過(guò)第二甲金屬焊盤與信號(hào)線相交形成第五連接點(diǎn)，所述第一P型薄膜晶體管漏極通過(guò)第三乙金屬焊盤與所述VGH信號(hào)線相交形成第六連接點(diǎn)，所述第二甲金屬焊盤與所述第三乙金屬焊盤相互無(wú)限靠近但相互絕緣。

由于所述第一P型薄膜晶體管的柵極與高電位信號(hào)線VGH相連，所以第一P型薄膜晶體管的源極和漏極在無(wú)靜電或靜電較小時(shí)始終處于斷開(kāi)狀態(tài)，被保護(hù)的信號(hào)線不會(huì)受到VGH信號(hào)線的干擾。

尤其當(dāng)在所述第三乙金屬焊盤與所述第六連接點(diǎn)之間設(shè)置有第二N型薄膜晶體管，所述第二N型薄膜晶體管的源極連接至所述第六連接點(diǎn)，所述第二N型薄膜晶體管的漏極連接至所述第三乙金屬焊盤，所述第二N型薄膜晶體管的柵極與第四乙金屬焊盤相連，所述第二甲金屬焊盤、所述第三乙金屬焊盤、所述第四乙金屬焊盤相互無(wú)限靠近但相互絕緣，在靜電較大時(shí)，所述第二甲金屬焊盤、所述第三乙金屬焊盤和所述第四乙金屬焊盤融化短路，當(dāng)被保護(hù)的信號(hào)線是低電位時(shí)，所述第二N型薄膜晶體管的源極和漏極處于斷開(kāi)狀態(tài)，被保護(hù)的信號(hào)線不會(huì)受到VGH信號(hào)線的干擾，到被保護(hù)的信號(hào)線是高電位時(shí)，所述第二N型薄膜晶體管的源極和漏極處于導(dǎo)通狀態(tài)，被保護(hù)的高電位信號(hào)線與高電位的VGH信號(hào)線相連，所以無(wú)論被保護(hù)的信號(hào)線是高電位還是低電位，其均不會(huì)受到VGH信號(hào)線的干擾。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)重新設(shè)置被保護(hù)的信號(hào)線與所述VGH信號(hào)線之間的薄膜晶體管類型，本發(fā)明進(jìn)一步提出了另一種靜電防護(hù)電路，本發(fā)明提出的靜電防護(hù)電路，包括被保護(hù)的信號(hào)線、VGL信號(hào)線，VGH信號(hào)線，其中，所述被保護(hù)的信號(hào)線與所述VGL信號(hào)線之間設(shè)置有第一N型薄膜晶體管，所述第一N型薄膜晶體管柵極與所述VGL信號(hào)線相交形成第一連接點(diǎn)，所述第一N型薄膜晶體管漏極通過(guò)第一甲金屬焊盤與信號(hào)線相交形成第二連接點(diǎn)，所述第一N型薄膜晶體管源極通過(guò)第一乙金屬焊盤與所述VGL信號(hào)線相交形成第三連接點(diǎn)，

所述第一乙金屬焊盤與所述第三連接點(diǎn)之間設(shè)置有第二P型薄膜晶體管，

所述第二P型薄膜晶體管的漏極連接至所述第三連接點(diǎn)，所述第二P型薄膜晶體管的源極連接至所述第一乙金屬焊盤，所述第二P型薄膜晶體管柵極與第二乙金屬焊盤相連，

所述第一甲金屬焊盤、所述第一乙金屬焊盤、所述第二乙金屬焊盤相互無(wú)限靠近但相互絕緣，

所述信號(hào)線與所述VGH信號(hào)線之間設(shè)置有第三N型薄膜晶體管。所述第三N型薄膜晶體管的柵極與所述VGH信號(hào)線相交形成第七連接點(diǎn)，所述第三N型薄膜晶體管的漏極通過(guò)第五乙金屬焊盤與VGH信號(hào)線相交形成第八連接點(diǎn)，所述第三N型薄膜晶體管的源極通過(guò)第三甲金屬焊盤與信號(hào)線相交形成第九連接點(diǎn)，所述第三甲金屬焊盤與所述第五乙金屬焊盤相互無(wú)限靠近但相互絕緣。

在無(wú)靜電或靜電較小時(shí)，當(dāng)被保護(hù)的信號(hào)線為低電位時(shí)，所述第三N型薄膜晶體管的源極和漏極處于斷開(kāi)狀態(tài)，低電位的信號(hào)線不會(huì)受到高電位的VGH信號(hào)線的干擾，當(dāng)被保護(hù)的信號(hào)線為高電位時(shí)，所述第三N型薄膜晶體管的源極和漏極處于導(dǎo)通狀態(tài)，被保護(hù)的高電位信號(hào)線與VGH信號(hào)線相連，所以，無(wú)論被保護(hù)的信號(hào)線是高電位還是低電位，其均不會(huì)受到VGH信號(hào)線的干擾。

尤其當(dāng)在所述第三甲金屬焊盤與第九連接點(diǎn)之間設(shè)置有第三P型薄膜晶體管，所述第三P型薄膜晶體管的漏極連接至所述第九連接點(diǎn)，所述第三P型薄膜晶體管的源極連接至所述第三甲金屬焊盤，所述第三P型薄膜晶體管的柵極第六乙金屬焊盤相連，所述第三甲金屬焊盤、所述第五乙金屬焊盤、所述第六乙金屬焊盤相互無(wú)限靠近但相互絕緣。當(dāng)靜電很大時(shí)，第三甲金屬焊盤、所述第五乙金屬焊盤和所述第六乙金屬焊盤融化短路，使得所述第三P型薄膜晶體管的柵極與高電位VGH信號(hào)線相連，導(dǎo)致所述第三P型薄膜晶體管的源極與漏極始終處于斷開(kāi)狀態(tài)，被保護(hù)的信號(hào)線不會(huì)受到VGH信號(hào)線的干擾。

本發(fā)明還提出了一種基板，其特征在于包含本發(fā)明所述的靜電防護(hù)電路，同時(shí)，本發(fā)明還提出了一種包含上述基板的顯示裝置。包含本發(fā)明所述的靜電防護(hù)電路的顯示裝置，被保護(hù)的信號(hào)線在無(wú)靜電、較小靜電或較大靜電時(shí)，均不會(huì)受到VGL信號(hào)線和VGH信號(hào)線的干擾，即VGL信號(hào)線和VGH信號(hào)線不會(huì)影響顯示裝置的正常顯示。

附圖說(shuō)明

在下文中將基于實(shí)施例并參考附圖來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。其中：

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中第一種常用的靜電防護(hù)電路示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中第二種常用的靜電防護(hù)電路示意圖；

圖3為本發(fā)明第一種實(shí)施方式的靜電防護(hù)電路示意圖；

圖4為本發(fā)明第一種實(shí)施方式的靜電防護(hù)電路示意圖；

在附圖中，相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記。附圖并未按照實(shí)際的比例。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施方式。

下文中，第一甲金屬焊盤、第二甲金屬焊盤、第三甲金屬焊盤均位于基板的第一層金屬層中，第一乙金屬焊盤、第二乙金屬焊盤、第三乙金屬焊盤、第四乙金屬焊盤、第五乙金屬焊盤、第六乙金屬焊盤均位于基板的第二層金屬層中。

具體實(shí)施例一：

參考圖3，被保護(hù)的信號(hào)線10與VGL信號(hào)線之間設(shè)置有第一N型薄膜晶體管NT1，第一N型薄膜晶體管NT1的柵極與VGL信號(hào)線相交形成第一連接點(diǎn)P1，第一N型薄膜晶體管NT1的漏極通過(guò)第一甲金屬焊盤11與被保護(hù)的信號(hào)線10相交形成第二連接點(diǎn)B1，第一N型薄膜晶體管NT1的源極通過(guò)第一乙金屬焊盤21與第二P型薄膜晶體管PT2的源極相連，第二P型薄膜晶體管的漏極與VGL信號(hào)線相交于第三連接點(diǎn)P2，第二P型薄膜晶體管PT2的柵極與處于浮動(dòng)狀態(tài)的第二乙金屬焊盤22相連，第一甲金屬焊盤11、第一乙金屬焊盤21和第二乙金屬焊盤22相互無(wú)限靠近但相互絕緣；被保護(hù)的信號(hào)線與VGH信號(hào)線之間設(shè)置有第一P型薄膜晶體管PT1，第一P型薄膜晶體管PT1的柵極與VGH信號(hào)線相交形成第四連接點(diǎn)Q1，第一P型薄膜晶體管PT1的源極通過(guò)第二甲金屬焊盤12與被保護(hù)的信號(hào)線10相交形成第五連接點(diǎn)B2，第一P型薄膜晶體管PT1的漏極通過(guò)第三乙金屬焊盤23與第二N型薄膜晶體管NT2的漏極相連，第二N型薄膜晶體管NT2的源極與VGH信號(hào)線相交于第六連接點(diǎn)Q2，第二N型薄膜晶體管的柵極與處于浮動(dòng)狀態(tài)的第四乙金屬焊盤24相連，第二甲金屬焊盤12、第三乙金屬焊盤23和第四乙金屬焊盤24相互無(wú)限靠近但相互絕緣。

對(duì)于被保護(hù)的信號(hào)線與VGL信號(hào)線，當(dāng)無(wú)靜電或靜電較小時(shí)，此時(shí)第一甲金屬焊盤11、第一乙金屬焊盤21和第二乙金屬焊盤22相互絕緣，由于VGL為低電位，所以第一N型薄膜晶體管NT1的源極和漏極斷開(kāi)，第二P型薄膜晶體管PT2的源極和漏極斷開(kāi)，所以被保護(hù)的信號(hào)線10不會(huì)受到VGL信號(hào)線的干擾。

當(dāng)靜電較大足以擊穿第一甲金屬焊盤11、第一乙金屬焊盤21和第二乙金屬焊盤22相互之間的絕緣層，使得這三個(gè)焊盤融化短接，當(dāng)被保護(hù)的信號(hào)線10為高電位時(shí)，雖然第一N型薄膜晶體管NT1的源極和漏極導(dǎo)通了，但第二P型薄膜晶體管PT2的源極和漏極斷開(kāi)，所以被保護(hù)的信號(hào)線10不會(huì)受到VGL信號(hào)線的干擾；當(dāng)被保護(hù)的信號(hào)線10為低電位時(shí)，第一N型薄膜晶體管NT1的源極和漏極導(dǎo)通，由于第二P型薄膜晶體管的柵極同樣為低電位，使得第二P型薄膜晶體管PT2的源極和漏極導(dǎo)通，所以低電位的信號(hào)線10與低電位的VGL信號(hào)線相連，由于兩者為同一電位，不會(huì)相互干擾。

對(duì)于被保護(hù)的信號(hào)線與VGH信號(hào)線，當(dāng)無(wú)靜電或靜電較小時(shí)，此時(shí)第二甲金屬焊盤12、第三乙金屬焊盤23、第四乙金屬焊盤24相互絕緣，由于VGH為高電位，所以第一P型薄膜晶體管PT1的源極和漏極為斷開(kāi)狀態(tài)，所以被保護(hù)的信號(hào)線10不會(huì)受到VGH信號(hào)線的干擾。

當(dāng)靜電較大足以擊穿第二甲金屬焊盤12、第三乙金屬焊盤23和第四乙金屬焊盤24相互之間的絕緣層，使得這三個(gè)焊盤融化短接，導(dǎo)致第二N型薄膜晶體管NT2的柵極和漏極均與信號(hào)線10相連，當(dāng)被保護(hù)的信號(hào)線10為高電位時(shí)，第二N型薄膜晶體管NT2的漏極和源極導(dǎo)通，從而使得高電位的信號(hào)線10與高電位的VGH信號(hào)線相連，由于兩者為同一電位，不會(huì)相互干擾；當(dāng)信號(hào)線10為低電位時(shí)，第二N型薄膜晶體管NT2的漏極和源極斷開(kāi)，低電位的信號(hào)線10不會(huì)受到VGH信號(hào)線的干擾。

具體實(shí)施例二：

參考圖4，實(shí)施例二中，被保護(hù)的信號(hào)線10與VGL信號(hào)線之間的電路設(shè)置與實(shí)施例一中的被保護(hù)的信號(hào)線10與VGL信號(hào)線之間的電路設(shè)置完全相同，在此不再贅述。

被保護(hù)的信號(hào)線10與VGH信號(hào)線之間設(shè)置有第三N型薄膜晶體管NT3，第三N型薄膜晶體管NT3的柵極與被保護(hù)的信號(hào)線10相交于第七連接點(diǎn)K1，第三N型薄膜晶體管NT3的漏極通過(guò)第五乙金屬焊盤25與VGH信號(hào)線相交于第八連接點(diǎn)Q3，第三N型薄膜晶體管NT3的源極通過(guò)第三甲金屬焊盤13與第三P型薄膜晶體管PT3的源極相連，第三P型薄膜晶體管PT3的漏極與被保護(hù)的信號(hào)線10相交于第九連接點(diǎn)K2，第三P型薄膜晶體管PT3的柵極與浮動(dòng)的第六乙金屬焊盤26相連，第三甲金屬焊盤13、第五乙金屬焊盤25、第六乙金屬焊盤26相互無(wú)限靠近但相互絕緣。

當(dāng)無(wú)靜電或靜電較小時(shí)，此時(shí)第三甲金屬焊盤13、第五乙金屬焊盤25、第六乙金屬焊盤26相互絕緣，由于第三P型薄膜晶體管PT3的柵極浮動(dòng)，所以第三P型薄膜晶體管PT3的源極和漏極斷開(kāi)，所以被保護(hù)的信號(hào)線10不會(huì)受到VGH信號(hào)線的干擾。

當(dāng)靜電較大足以擊穿第三甲金屬焊盤13、第五乙金屬焊盤25、第六乙金屬焊盤26相互之間的絕緣層，使得這三個(gè)焊盤融化短接，第三P型薄膜晶體管PT3的柵極與高電位VGH信號(hào)線相連，使得第三P型薄膜晶體管PT3的源極和漏極始終處于斷開(kāi)，此時(shí)無(wú)論信號(hào)線10為低電位還是高電位均不會(huì)受到VGH信號(hào)線的干擾。

本發(fā)明還提出了一種包含上述靜電防護(hù)電路的基板及包含該基板的顯示裝置。該顯示裝置可以為：液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。由于靜電防護(hù)電路的設(shè)計(jì)，提高了顯示裝置的顯示效果，也延長(zhǎng)了使用壽命。

最后說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的宗旨和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。