1.一種圖案化碳納米管陰極的透射式X射線源結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括碳納米管、導(dǎo)電底座、絕緣罩、鈹窗、導(dǎo)電環(huán)和球管，所述球管的頂端開口，底端封閉，所述鈹窗通過所述導(dǎo)電環(huán)密封蓋合在所述球管的開口端，并形成一真空腔體，所述碳納米管、導(dǎo)電底座和絕緣罩均設(shè)置在所述真空腔體內(nèi)，所述導(dǎo)電底座的頂端設(shè)有凹槽，所述碳納米管通過所述絕緣罩固定在所述凹槽內(nèi)，所述導(dǎo)電底座連接有第一電極，所述鈹窗朝向所述碳納米管的一面設(shè)有金屬薄膜，所述金屬薄膜與所述導(dǎo)電環(huán)連接，所述導(dǎo)電環(huán)連接有第二電極。
2.如權(quán)利要求1所述的圖案化碳納米管陰極的透射式X射線源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述碳納米管是利用微納加工技術(shù)制作出一定高度的微柱，然后利用CVD工藝在其表面生長一定高度的碳管，通過精確控制碳管生長高度，以及微柱表面的催化劑沉積，進(jìn)而長出3D圖案化的碳納米管。
3.如權(quán)利要求1所述的圖案化碳納米管陰極的透射式X射線源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽的尺寸與所述碳納米管的尺寸匹配。
4.如權(quán)利要求1所述的圖案化碳納米管陰極的透射式X射線源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣罩設(shè)有與所述碳納米管相對的通孔。
5.如權(quán)利要求4所述的圖案化碳納米管陰極的透射式X射線源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣罩與所述導(dǎo)電底座的頂端通過螺紋結(jié)構(gòu)連接；所述絕緣罩與所述導(dǎo)電底座連接時，所述通孔的邊緣壓緊所述碳納米管。
6.如權(quán)利要求1所述的圖案化碳納米管陰極的透射式X射線源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極為電極桿，所述第一電極的一端固定連接于所述導(dǎo)電底座的底端，所述球管的封閉端設(shè)有第一電極孔，所述第一電極的另一端穿過所述第一電極孔并伸至X射線源結(jié)構(gòu)外部連接電源，所述第一電極與所述第一電極孔密封固定，所述電源對所述導(dǎo)電底座施加負(fù)電位。
7.如權(quán)利要求1所述的圖案化碳納米管陰極的透射式X射線源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二電極為電極桿，所述第二電極的一端固定連接于所述導(dǎo)電環(huán)，所述球管的封閉端設(shè)有第二電極孔，所述第二電極的另一端穿過所述第二電極孔并伸至X射線源結(jié)構(gòu)外部連接電源，所述第二電極與所述第二電極孔密封固定，所述電源對所述導(dǎo)電環(huán)施加零電位。
8.如權(quán)利要求1所述的圖案化碳納米管陰極的透射式X射線源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電底座的底端為掏空結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求1至8任一項所述的圖案化碳納米管陰極的透射式X射線源結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括有冷卻容器，所述冷卻容器的頂端開口，底端封閉，所述鈹窗通過所述導(dǎo)電環(huán)密封蓋合在所述冷卻容器的開口端，并在所述球管外周圍合形成一冷卻腔體。
10.如權(quán)利要求9所述的圖案化碳納米管陰極的透射式X射線源結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述冷卻容器設(shè)有與所述冷卻腔體連通的進(jìn)油孔和出油孔。