1.一種減少光刻標(biāo)記圖形損失的方法,其特征在于，包括以下步驟：
步驟1，在半導(dǎo)體襯底上沉積控制柵層；
步驟2，對(duì)所述控制柵層的預(yù)設(shè)位置進(jìn)行刻蝕直到露出所述半導(dǎo)體襯底，形成至少一個(gè)凸起圖形；
步驟3，在所述凸起圖形上表面以及凸起圖形外側(cè)沉積介質(zhì)層；
步驟4，對(duì)所述介質(zhì)層的上表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械平坦化處理，直至露出所述凸起圖形的上表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種減少光刻標(biāo)記圖形損失的方法，其特征在于，步驟2中，采用干法刻蝕方法形成所述至少一個(gè)凸起圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種減少光刻標(biāo)記圖形損失的方法，其特征在于，所述凸起圖形為長(zhǎng)方體狀凸起圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3任一所述的一種減少光刻標(biāo)記圖形損失的方法，其特征在于，所述控制柵層為多層結(jié)構(gòu)，自下而上依次為多晶硅層和氮化硅層，所述多晶硅層沉積在半導(dǎo)體襯底上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種減少光刻標(biāo)記圖形損失的方法，其特征在于，所述凸起圖形的寬度范圍為90nm～150nm，所述凸起圖形的高度范圍為200nm～300nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種減少光刻標(biāo)記圖形損失的方法，其特征在于，步驟1中，采用低壓化學(xué)氣相沉積方法沉積所述多晶硅層和氮化硅層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種減少光刻標(biāo)記圖形損失的方法，其特征在于，所述介質(zhì)層為多晶硅層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種減少光刻標(biāo)記圖形損失的方法，其特征在于，步驟3中，采用低壓化學(xué)氣相沉積方法沉積所述介質(zhì)層。
9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括半導(dǎo)體襯底和利用權(quán)利要求1～8任一所述的減少光刻標(biāo)記圖形損失的方法在半導(dǎo)體襯底上形成的至少一個(gè)所述凸起圖形，所述凸起圖形的外側(cè)沉積有介質(zhì)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸起圖形為長(zhǎng)方體狀凸起圖形，所述凸起圖形的寬度范圍為90nm～150nm，所述凸起圖形的高度范圍為200nm～300nm。