技術總結
一種NMOS低壓觸發(fā)的雙向SCR結構，包括有P型襯底，其結構為：在P型襯底上形成PWell阱、NWell阱，其中PWell阱設在中間位置，PWell阱兩側形成NWell阱；一側的NWell阱里形成第一N+注入?yún)^(qū)和第一P+注入?yún)^(qū),另一側的NWell阱里形成第二N+注入?yún)^(qū)和第二P+注入?yún)^(qū)；在中間的PWell阱與兩側的NWell阱交界處分別形成第三N+注入?yún)^(qū)或第四N+注入?yún)^(qū)。本發(fā)明能夠在不使用額外器件的情況下，實現(xiàn)雙向SCR的功能，解決了現(xiàn)有技術中存在的大版圖面積的問題，且能夠實現(xiàn)雙向SCR的功能，工作穩(wěn)定，性能高，使用方便，節(jié)約了版圖面積。

技術研發(fā)人員：蔡小五;魏俊秀;高哲;梁超;劉興輝;翟麗蓉;呂川;閆明
受保護的技術使用者：遼寧大學
文檔號碼：201611077368
技術研發(fā)日：2016.11.30
技術公布日：2017.05.31