1.一種NMOS低壓觸發(fā)的雙向SCR結(jié)構(gòu)，包括有P型襯底（1），其特征在于：在P型襯底（1）上形成PWell阱（2）NWell阱（3），其中PWell阱（2）設(shè)在中間位置， PWell阱（2）兩側(cè)形成NWell阱（3）；一側(cè)的NWell阱（3）里形成第一N+注入?yún)^(qū)（4）和第一P+注入?yún)^(qū)（5）,另一側(cè)的NWell阱（3）里形成第二N+注入?yún)^(qū)（6）和第二P+注入?yún)^(qū)（7）；在中間的PWell阱（2）與兩側(cè)的NWell阱（3）交界處分別形成第三N+注入?yún)^(qū)（8）或第四N+注入?yún)^(qū)（9）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種NMOS低壓觸發(fā)的雙向SCR結(jié)構(gòu)，包括有P型襯底（1），其特征在于：所述的第三N+注入?yún)^(qū)（8）與第四N+注入?yún)^(qū)（9）之間形成浮空的柵氧化層多晶硅柵（10）。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種NMOS低壓觸發(fā)的雙向SCR結(jié)構(gòu)，包括有P型襯底（1），其特征在于：所述的第一N+注入?yún)^(qū)（4）和第一P+注入?yún)^(qū)（5）構(gòu)成T1端口，第二N+注入?yún)^(qū)（6）和第二P+注入?yún)^(qū)（7）構(gòu)成T2端口。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種NMOS低壓觸發(fā)的雙向SCR結(jié)構(gòu)，包括有P型襯底（1），其特征在于：從T1到T2，正向ESD電流泄放路徑SCR2為，由第一P+注入?yún)^(qū)（5）依次經(jīng)過NWell阱（3）、PWell阱（2）、NWell阱（3），最后到第二N+注入?yún)^(qū)（6）；從T2到T1，反向ESD電流泄放路徑SCR1為，由第二P+注入?yún)^(qū)（7）依次經(jīng)過NWell阱（3）、PWell阱（2）、NWell阱（3），最后到第一N+注入?yún)^(qū)（4）。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種NMOS低壓觸發(fā)的雙向SCR結(jié)構(gòu)，包括有P型襯底（1），其特征在于：所述的SCR1與SCR2通路長度一致，且為對稱性的結(jié)構(gòu)。