技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種消除有源區(qū)中自間隙硅原子的方法，包括提供一具有頂層硅層的半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成有源區(qū)，對(duì)位于有源區(qū)的頂層硅層進(jìn)行H+注入處理，以使H與頂層硅層中的自間隙硅原子結(jié)合，形成Si?H對(duì)，進(jìn)行高溫?zé)崽幚恚允筍i?H對(duì)中的自間隙硅原子快速擴(kuò)散至Si?SiO2界面和/或Si?空氣界面；并且，本發(fā)明采用H+注入的方法，使H能直接進(jìn)入有源區(qū)的硅層中，從而降低了后續(xù)的熱處理溫度，節(jié)省了工藝成本，減少了工藝時(shí)間，同時(shí)也降低了襯底硅片的應(yīng)力。

技術(shù)研發(fā)人員：儲(chǔ)佳
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海集成電路研發(fā)中心有限公司
文檔號(hào)碼：201611076586
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.30
技術(shù)公布日：2017.02.22