技術(shù)編號：12274886
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種消除有源區(qū)中自間隙硅原子的方法。背景技術(shù)隨著集成電路工藝的持續(xù)發(fā)展，器件特征線寬越來越小，由此帶來了很多小尺寸效應(yīng)、如短溝道效應(yīng)等，使得集成電路的功耗持續(xù)上升。另外，由于應(yīng)用范圍的不斷擴大，使得空間應(yīng)用對集成電路提出了更高的要求。上述問題使得傳統(tǒng)的CMOS集成電路面臨更多的挑戰(zhàn)。例如如何消除栓鎖效應(yīng)(Latch-up)，以及消除高能粒子產(chǎn)生的離化效應(yīng)等。這些挑戰(zhàn)催生了一種新的襯底材料：絕緣層上硅(SiliconOnInsulator，S...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。