本發(fā)明涉及顯示裝置及顯示裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，已知有如下的顯示裝置：其具有通過構(gòu)成圖像的多個單位像素的各個單位像素控制亮度從而發(fā)光的發(fā)光元件層、和覆蓋發(fā)光元件層的封固層。封固層是為了抑制來自外部的水分侵入裝置內(nèi)部而設置的。作為具有封固層的顯示裝置，例如，如日本特開2013-105947號公報公開的那樣，已知這樣的顯示裝置，其具有由無機材料形成的封固層、和在該封固層上設置的、由有機樹脂形成的平坦化層、和在該平坦化層上設置的、由無機材料形成的封固層。平坦化層由具有紫外線固化性的丙烯酸樹脂等形成，其通過照射紫外線而固化，且形成在發(fā)光元件層的上方。

此處，在對平坦化層照射紫外線的情況下，設置于平坦化層的下方的發(fā)光元件層受到紫外線的影響，其結(jié)果，發(fā)光特性可能降低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，提供一種抑制發(fā)光特性降低的顯示裝置及其制造方法。

作為本發(fā)明的一個方式的顯示裝置，其特征在于，具有：基板；發(fā)光元件層，其設置于所述基板上，通過構(gòu)成圖像的多個單位像素的各個單位像素控制亮度從而發(fā)光；封固結(jié)構(gòu)，其設置于所述發(fā)光元件層上；紫外線吸收層，其設置于所述發(fā)光元件層上，所述封固結(jié)構(gòu)包括設置于所述紫外線吸收層上、且由具有紫外線固化性的有機樹脂形成的第1平坦化層。

作為本發(fā)明的其他方式的顯示裝置的制造方法，其特征在于，包括：準備基板的工序；在所述基板上設置發(fā)光元件層的工序；在所述發(fā)光元件層上設置由無機材料形成的封固層的工序；在所述封固層上設置紫外線吸收層的工序；在所述紫外線吸收層上設置具有紫外線固化性的有機樹脂的工序；對所述有機樹脂照射紫外線從而使之固化的工序。

附圖說明

圖1為第1至3實施方式涉及的顯示裝置的外觀立體圖。

圖2為示意性地示出第1實施方式涉及的顯示裝置的剖面的示意剖面圖。

圖3為示出各像素中形成的電路的電路圖。

圖4為說明第1實施方式涉及的顯示裝置的制造方法的流程圖。

圖5為示意性地示出第2實施方式涉及的顯示裝置的剖面的示意剖面圖。

圖6為示意性地示出第3實施方式涉及的顯示裝置的剖面的示意剖面圖。

附圖標記說明

10tft基板，11基板，11a開關tft，11b保持電容，11c驅(qū)動tft，12發(fā)光元件層，12a下部電極，12b有機el層，12c上部電極，13、16、19封固層，14紫外線吸收層，15、18平坦化層，17堤層，20對置基板，30填充層，100、200、300顯示裝置，m顯示區(qū)域，n邊框區(qū)域，p單位像素

具體實施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。

另外，在本發(fā)明的實施方式中，對于在某結(jié)構(gòu)體之“上”配置其他結(jié)構(gòu)體的方式的表述，當簡單地表述為“上”時，除非另有說明，否則包括下述兩者：以與某結(jié)構(gòu)體相接觸的方式在其正上方直接配置其他結(jié)構(gòu)體的情況，和在某結(jié)構(gòu)體的上方，隔著第3結(jié)構(gòu)體而配置其他結(jié)構(gòu)體的情況。

首先，參照圖1、圖2，對第1實施方式涉及的顯示裝置的整體構(gòu)成的概要進行說明。圖1為第1實施方式涉及的顯示裝置的外觀立體圖。圖2為示意性地示出第1實施方式涉及的顯示裝置的剖面的示意剖面圖。在第1實施方式中，作為顯示裝置，對使用有機el(electroluminescence)的所謂有機el顯示裝置進行說明，但不限于此，只要是具有通過構(gòu)成像素的多個單位像素p的各個單位像素控制亮度從而發(fā)光的層的顯示裝置即可。

如圖1所示，顯示裝置100具有tft(thinfilmtransistor)基板10和對置基板20，該tft基板10具有薄膜晶體管等。如圖2所示，對置基板20以隔著填充材料30而與tft基板10對置的方式設置。另外，顯示裝置100具有進行圖像顯示的顯示區(qū)域m和顯示區(qū)域m周邊的邊框區(qū)域n。顯示區(qū)域m中設置有多個單位像素p。需要說明的是，在圖1中，雖然僅示出了1個單位像素p，但實際上，在顯示區(qū)域m中以矩陣狀配置有多個單位像素p。

如圖2所示，tft基板10具有：基板11；設置于基板11上的發(fā)光元件層12；設置于發(fā)光元件層12上、由無機材料形成的封固層13；設置于封固層13上的紫外線吸收層14；設置于紫外線吸收層14上、由有機樹脂形成的平坦化層15；設置于封固層15上、由無機材料形成的封固層16。以下，對tft基板10中所含的各層、各基板的詳情進行說明。

基板11至少具有包括布線的電路層。對電路層的布線的詳情在后面描述。需要說明的是，基板11既可以是由具有撓性的聚酰亞胺等形成的樹脂基板，也可以是玻璃基板等。

發(fā)光元件層12為通過構(gòu)成圖像的多個單位像素p的各個單位像素控制亮度從而發(fā)光的層。發(fā)光元件層12至少設置于顯示區(qū)域m，并且是包括有機el層12a、設置于有機el層的下部的下部電極12b、和設置于有機el層12a的上部的上部電極12c的層。雖然未對有機el層12a的詳情進行圖示，但其包括電荷傳輸層、電荷注入層、發(fā)光層等。

有機el層12a之中與下部電極12b相接觸的區(qū)域與各單位像素p對應，在該區(qū)域進行發(fā)光。另外，各單位像素p由堤層14劃分，有機el層12a和下部電極12b通過堤層14而隔開的區(qū)域成為不進行發(fā)光的區(qū)域。上部電極12c在有機el層12a上跨越多個單位像素p而配置。在第1實施方式中，以下部電極12b為陽極，以上部電極12c為陰極，但不限于此，也可以將極性反轉(zhuǎn)。需要說明的是，對于來自有機el層12a的光所通過的上部電極12c，可使用透明導電材料等形成為透過電極。作為透明導電材料，可使用例如ito(indiumtinoxide)、izo(indiumzincoxide)等。另外，也可以使用鋁(al)、銀(ag)、或者銀和鎂(mg)的合金、以光能夠透過的程度的薄膜的形式形成上部電極12c，上部電極12c也可以是以上述金屬薄膜和透明導電材料的層疊膜的形式形成。

需要說明的是，在第1實施方式中，可采用分別涂布方式，其以與各像素顏色相應的顏色而發(fā)光的方式分別涂布有機el層12a，也可以采用彩色濾光片方式，其中所有像素以同一顏色(例如白)發(fā)光，通過設置于對置基板20的彩色濾光片，在各像素中僅使特定波長的光透過。

封固層13、16為用于抑制來自外部的水分侵入顯示裝置100內(nèi)部而設置的。需要說明的是，封固層13、16由氮化硅(sin)形成，但只要是由耐濕性高的無機材料形成的話，并不限于此，可以由例如氧化硅等形成。另外，平坦化層15由丙烯酸樹脂形成，但并不限于此，只要是具有紫外線固化性的有機樹脂即可，也可以由例如環(huán)氧樹脂等形成。

此處，參照圖2及圖3，對發(fā)光元件層的發(fā)光原理進行說明。圖3為示出各單位像素p中形成的電路的電路圖。如圖3所示，基板11中所含的電路層的布線包括掃描線lg、與掃描線lg垂直的圖像信號線ld、及與掃描線lg垂直的電源線ls。另外，在電路層的各單位像素p中，設置像素控制電路sc，像素控制電路sc通過接觸孔(未圖示)而連接于下部電極12b。像素控制電路sc包含薄膜晶體管和/或電容器，并控制對設置于各單位像素p的有機發(fā)光二極管od的電流供給。需要說明的是，有機發(fā)光二極管od由參照圖2而在上面描述了的有機el層12a、下部電極12b和上部電極12c構(gòu)成。

如圖3所示，像素控制電路sc具有驅(qū)動tft11a、保持電容11b和開關tft11c。開關tft11c的柵極連接于掃描線lg，開關tft11c的漏極連接于圖像信號線ld。開關tft11c的源極連接于保持電容11b及驅(qū)動tft11a的柵極。驅(qū)動tft11a的漏極連接于電源線ls，驅(qū)動tft11a的源極連接有機發(fā)光二極管od。通過對掃描線lg施加柵極電壓，開關tft11c成為導通(on)的狀態(tài)。此時，若從圖像信號線ld提供圖像信號，則電荷在保持電容11b中存儲。并且，通過將電荷存儲在保持電容11b中，驅(qū)動tft11a成為導通(on)狀態(tài)，電流自電源線ls流向有機發(fā)光二極管od，由此有機發(fā)光二極管od發(fā)光。

需要說明的是，像素控制電路sc只要是用于控制對有機發(fā)光二極管od的電流供給的電路即可，不限于圖3所示的那樣。例如，除了保持電容11b，像素控制電路sc還可進一步包括用于增加容量的輔助電容，構(gòu)成電路的晶體管的極性也不限于圖3所示的極性。

在第1實施方式中，紫外線吸收層14由具有透明性的氧化鈦(titaniumoxide:tiox，x主要為2)形成。氧化鈦具有吸收波長為365nm的紫外線、并透過可見光的特性。該紫外線吸收層14是為了保護發(fā)光元件層12免受紫外線傷害而設置的。需要說明的是，紫外線吸收層14不限于由氧化鈦形成的層，只要是由能夠吸收紫外線，并且透過發(fā)光元件層12的光的材料形成的層即可。

在第1實施方式涉及的顯示裝置100中，由于在發(fā)光元件層12與設置于發(fā)光元件層12上的由具有紫外線固化性的有機樹脂形成的平坦化層15之間具有紫外線吸收層14，因此即便為了使平坦化層15固化而照射紫外線的情況下，發(fā)光元件層12也不易受紫外線的影響。因此，能夠抑制由紫外線的照射引起的發(fā)光元件層12的劣化，能夠抑制裝置的壽命縮短。

接下來，參照圖4，對第1實施方式涉及的顯示裝置的制造方法進行說明。圖4為對第1實施方式涉及的顯示裝置的制造方法進行說明的流程圖。

首先，準備包括電路層的基板11(步驟st1)。接著，在基板11上將堤層14及發(fā)光元件層12成膜(步驟st2)。進而，在發(fā)光元件層12上，利用化學蒸鍍法(chemicalvapordesposition，以下稱為cvd法)，使用成分中包含硅、氨氣和氮氣的材料，將由氮化硅形成的封固層13進行成膜(步驟st3)。作為cvd法，可采用使原料氣體等離子化而發(fā)生化學反應的等離子cvd法。需要說明的是，在該工序中，通過硅和氨氣的反應而生成氮化硅，使用氮氣是為了調(diào)整氣壓量。封固層13以沿著發(fā)光元件層12的形狀而形成。

進而，在封固層13上，將由具有紫外線吸收性的氧化鈦形成的紫外線吸收層14成膜(步驟st4)。接著，在紫外線吸收層14上，設置丙烯酸樹脂(步驟st5)。進一步地，為了使具有流動性的丙烯酸樹脂固化，照射紫外線(步驟st6)。被紫外線照射的丙烯酸樹脂發(fā)生固化，由此，平坦化層15以樹脂層的形式形成。另外，由氧化鈦形成的紫外線吸收層14通過接受紫外線，發(fā)揮親水性的功能，因此，設置于紫外線吸收層14上的丙烯酸樹脂潤濕性變好。因此，與在封固層13上將平坦化層15直接成膜的情況相比，平坦化層15能夠?qū)崿F(xiàn)在紫外線吸收層14上均勻地進行成膜，而沒有不均。

接著，在平坦化層15上，將由氮化硅形成的封固層16成膜(步驟st7)。封固層16的成膜方法可利用與封固層13同樣的方法進行。需要說明的是，由無機材料形成的封固層13、16的成膜不限于cvd法，也可使用濺射法、ald(atomiclayerdeposition)法等其他方法。另外，關于紫外線吸收層14的成膜，與封固層13、16同樣，可利用cvd法進行，也可使用濺射法、ald(atomiclayerdeposition)法等其他方法進行。通過以上工序，完成tft基板10的制造。

進一步地，在步驟st7完成后，隔著填充層30以與tft基板10對置的方式設置對置基板20(步驟st8)。經(jīng)過以上說明的工序，完成第1實施方式涉及的顯示裝置100的制造。

接著，參照圖5，對第2實施方式涉及的顯示裝置200進行說明。圖5為示意性地示出第2實施方式涉及的顯示裝置的剖面的示意剖面圖。顯示裝置200除了具有平坦化層18和封固層19外，為與顯示裝置100同樣的構(gòu)成。具體而言，顯示裝置200具有：設置于發(fā)光元件層12上的封固層13、設置于封固層13上的紫外線吸收層14、設置于紫外線吸收層14上的平坦化層15、設置于平坦化層15上的封固層16、設置于封固層16上的平坦化層18和設置于平坦化層18上的封固層19。

平坦化層18可使用與平坦化層15同樣的材料、以同樣的方法成膜。另外，封固層19可使用與封固層16同樣的材料、以同樣的方法成膜。像這樣，在顯示裝置200中，由有機樹脂形成的平坦化層設置成雙層，因此與顯示裝置100相比，可形成凹凸更小的層。另外，由于由無機材料形成的封固層設置成三層，因此與顯示裝置100相比，更易于抑制水分向裝置內(nèi)部的侵入。另外，當形成平坦化層15及平坦化層18時、需要分別進行照射紫外線而使有機樹脂固化的工序的時候，對于任一紫外線照射，紫外線吸收層14均發(fā)揮吸收紫外線、抑制紫外線對發(fā)光元件層12的影響的效果。

接著，參照圖6，對第3實施方式涉及的顯示裝置300進行說明。圖6為示意性地示出第3實施方式涉及的顯示裝置的剖面的示意剖面圖。顯示裝置300除了封固層13和紫外線吸收層14的層疊順序不同以外，為與顯示裝置100同樣的構(gòu)成。具體而言，顯示裝置300具有：設置于發(fā)光元件層12上的紫外線吸收層14、設置于紫外線吸收層14上的封固層13、設置于封固層13上的平坦化層15、設置于平坦化層15上的封固層16。即便對于這種構(gòu)成，也能夠與第1實施方式同樣地，在為了將由具有紫外線固化性的有機樹脂形成的平坦化層15固化從而照射紫外線的情況下，由于紫外線吸收層14吸收紫外線，因此發(fā)光元件層12不易受到紫外線的影響。

需要說明的是，第1實施方式中示出的由封固層13、16、平坦化層15形成的層疊結(jié)構(gòu)對應于本發(fā)明的封固結(jié)構(gòu)。另外，第1至3實施方式中示出的由封固層13、16、19、平坦化層15、18形成的層疊結(jié)構(gòu)對應于本發(fā)明的封固結(jié)構(gòu)，封固層13對應于本發(fā)明的第1封固層，封固層16對應于本發(fā)明的第2封固層，平坦化層15對應于第1平坦化層，平坦化層18對應于第2平坦化層。

對當前認為是本發(fā)明的某些實施方式進行了說明，但應當理解，可對其進行各種變型，在本發(fā)明的實質(zhì)和范圍內(nèi)，所附權(quán)利要求涵蓋所有這種變型。