本發(fā)明涉及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種oled器件及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(active-matrixorganiclightemittingdiode，簡(jiǎn)稱amoled)是一種主要利用有機(jī)半導(dǎo)體和發(fā)光材料在電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)下，通過(guò)載流子注入和復(fù)合而發(fā)光的的面板。與傳統(tǒng)lcd相比，amoled顯示屏具有響應(yīng)速度快、廣色域、高對(duì)比度、自發(fā)光及更低功耗的優(yōu)點(diǎn)。

然而在現(xiàn)有的oled器件中，在接觸絕緣層(contactlayer，簡(jiǎn)稱ctlayer)形成后，因疊層結(jié)構(gòu)應(yīng)力釋放問(wèn)題導(dǎo)致接觸絕緣層在hole(通孔)邊緣發(fā)生開(kāi)裂的現(xiàn)象，因而無(wú)法保持良好絕緣性能，進(jìn)而導(dǎo)致像素(pixel)電路實(shí)際功能失效，影響產(chǎn)品的性能，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員所不期望看到的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述存在的問(wèn)題，本發(fā)明公開(kāi)了一種oled器件，包括：

第一金屬層(metallayer-1)；

接觸絕緣層，設(shè)置在所述第一金屬層之上；

第二金屬層(metallayer-2)，設(shè)置在所述接觸絕緣層之上；

其中，所述第二金屬層和所述接觸絕緣層之間還設(shè)置有粘性材料層，所述粘性材料層用以當(dāng)所述接觸絕緣層產(chǎn)生裂痕時(shí)，由所述粘性材料層填充所述裂痕。

上述的oled器件，其中，所述粘性材料層包括有機(jī)光阻層。

上述的oled器件，其中，所述有機(jī)光阻層的厚度為0.1～2μm。

上述的oled器件，其中，所述粘性材料層還包括保護(hù)膜，且所述保護(hù)膜位于所述有機(jī)光阻層之上。

上述的oled器件，其中，所述保護(hù)膜的材質(zhì)為氧化銦錫(ito)或氧化硅(sio)。

上述的oled器件，其中，所述保護(hù)膜的厚度為20～50nm。

上述的oled器件，其中，還包括：

基板；

多晶硅層(polysilicon)，設(shè)置于所述基板之上；

絕緣材料層(insulator)，設(shè)置于所述多晶硅層和所述第一金屬層之間；

其中，所述絕緣材料層中設(shè)置有通孔，所述第一金屬層通過(guò)所述通孔與所述多晶硅層電連接。

本發(fā)明還公開(kāi)了一種oled器件的制備方法，包括：

提供一基板；

于所述基板之上形成多晶硅層；

于所述多晶硅層之上形成具有通孔的絕緣材料層；

于所述絕緣材料層之上形成第一金屬層；

于所述第一金屬層之上形成接觸絕緣層；

于所述接觸絕緣層之上形成粘性材料層，所述粘性材料層用以當(dāng)所述接觸絕緣層產(chǎn)生裂痕時(shí)，由所述粘性材料層填充所述裂痕；以及

于所述粘性材料層之上形成第二金屬層。

上述的oled器件的制備方法，其中，于所述接觸絕緣層之上形成粘性材料層的步驟包括：在所述接觸絕緣層上形成有機(jī)光阻層。

上述的oled器件的制備方法，其中，于所述接觸絕緣層之上形成粘性材料層的步驟還包括：在所述有機(jī)光阻層上形成保護(hù)膜。

上述的oled器件的制備方法，其中，形成所述粘性材料層與形成所述接觸絕緣層的步驟采用相同的光罩。

本發(fā)明還公開(kāi)一種顯示裝置，包括上述的oled器件。

上述發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)或者有益效果：

本發(fā)明公開(kāi)了一種oled器件及其制備方法、顯示裝置，通過(guò)在接觸絕緣層和第二金屬層之間設(shè)置有機(jī)光阻層，利用有機(jī)光阻的高粘度性質(zhì)來(lái)填充接觸絕緣層的開(kāi)裂部分，達(dá)到絕緣第一金屬層和第二金屬層的目的，使像素電路正常工作。且形成該有機(jī)光阻層和形成接觸絕緣層采用相同的光罩，不產(chǎn)生額外的光罩費(fèi)用；同時(shí)高像素產(chǎn)品制程穩(wěn)定性增強(qiáng)，進(jìn)而提高了產(chǎn)品良率。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀參照以下附圖對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明及其特征、外形和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加明顯。在全部附圖中相同的標(biāo)記指示相同的部分。并未可以按照比例繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中oled器件的示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例中制備oled器件的方法流程圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明，但是不作為本發(fā)明的限定。

本發(fā)明涉及薄膜晶體管(tft)陣列基板或igzo(indiumgalliumzincoxide，銦鎵鋅氧化物)/ltps(lowtemperaturepolysilicon，低溫多晶硅)/amoled基板。主要是在高像素/高解析度產(chǎn)品設(shè)計(jì)與生產(chǎn)中，在接觸絕緣層形成后，通過(guò)在接觸絕緣層上新增有機(jī)光阻層來(lái)解決因疊層結(jié)構(gòu)應(yīng)力釋放問(wèn)題而導(dǎo)致接觸絕緣層部分開(kāi)裂，而無(wú)法保持良好的絕緣性能的問(wèn)題，以達(dá)到絕緣上下金屬的目的。

實(shí)施例一：

如圖1所示，本實(shí)施例涉及一種oled器件，該oled器件包括按照從下至上的順序依次設(shè)置的基板1、多晶硅層2、絕緣材料層3，第一金屬層4、接觸絕緣層5、粘性材料層6以及第二金屬層7；其中，絕緣材料層3中形成有通孔31，且該第一金屬層4覆蓋該通孔31的側(cè)壁以及底部，并通過(guò)該通孔31與多晶硅層2形成接觸。在 本發(fā)明的實(shí)施例中，于第二金屬層7和接觸絕緣層5之間設(shè)置粘性材料層6的目的是當(dāng)接觸絕緣層5因疊層結(jié)構(gòu)應(yīng)力釋放問(wèn)題而發(fā)生開(kāi)裂產(chǎn)生裂痕或裂縫時(shí)，用以填充該裂痕或裂縫，進(jìn)而避免第一金屬層4和第二金屬層7形成電接觸。圖1中示出了接觸絕緣層5在通孔31下方的邊緣發(fā)生了開(kāi)裂，但由于粘性材料層6的填充，可以很好的保持絕緣性能，使得第一金屬層4和第二金屬層7彼此絕緣，進(jìn)而使像素電路得以正常工作，優(yōu)選的，該粘性材料層6為具有高粘度性質(zhì)的材料，以更好的起到絕緣第一金屬層4和第二金屬層7的作用。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述粘性材料層6包括有機(jī)光阻層。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述有機(jī)光阻層的厚度為0.1μm-2μm(例如0.1μm、0.5μm、1μm或者2μm等)。

在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步的，上述粘性材料層6還包括位于有機(jī)光阻層之上的保護(hù)膜(圖中未標(biāo)示出該有機(jī)光阻層和保護(hù)膜)。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述保護(hù)膜的材質(zhì)為氧化銦錫或氧化硅。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述保護(hù)膜的厚度為20～50nm(例如20nm、30nm、40nm或者50nm等)。

實(shí)施例二：

如圖2所示，本實(shí)施例涉及一種oled器件的制備方法，該方法具體包括如下步驟：

步驟s1，提供一基板，優(yōu)選的，該基板為玻璃基板。

步驟s2，于基板之上形成多晶硅層，形成該多晶硅層的工藝可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的技術(shù)，在此便不予贅述。

步驟s3，于多晶硅層之上形成具有通孔的絕緣材料層，具體的，于多晶硅層之上沉積一層絕緣材料，之后采用光刻工藝對(duì)絕緣材料進(jìn)行刻蝕形成該具有通孔的絕緣材料層，簡(jiǎn)單的說(shuō)，該絕緣材料層的制備流程為成膜->涂布光阻->曝光->顯影->刻蝕->剝離。

步驟s4，形成第一金屬層以將絕緣材料層的上表面、通孔的側(cè)壁以及通過(guò)通孔暴露的多晶硅層的上表面均予以覆蓋，具體的，于絕緣材料層之上沉積一層金屬材料，之后采用光刻工藝對(duì)位于通孔內(nèi)的金屬材料進(jìn)行刻蝕，以使得位于通孔的側(cè)壁及其底部的金屬材料與位于絕緣材料層的上表面的金屬材料厚度相當(dāng)，剩余的金屬材料形成該第一金屬層；在本發(fā)明的實(shí)施例中，該第一金屬層的部分表面直接與多晶硅層相接觸。

步驟s5，于第一金屬層之上形成接觸絕緣層，形成該接觸絕緣層的步驟可以采用不領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的步驟，在此便不予贅述。

步驟s6，于接觸絕緣層之上形成粘性材料層，在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，于接觸絕緣層之上形成粘性材料層的步驟具體為：在接觸絕緣層上形成有機(jī)光阻層之后，并于該有機(jī)光阻層上形成保護(hù)膜；即該粘性材料層包括有機(jī)光組層和位于該有機(jī)光組層之上的保護(hù)膜。具體的，形成該有機(jī)光阻層的步驟為：涂布有機(jī)光阻材料->曝光->顯影->烘烤->成膜->涂布光阻->曝光->顯影->刻蝕->剝離。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述粘性材料層的厚度為 0.1μm-2μm(例如0.1μm、0.5μm、1μm或者2μm等)。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述保護(hù)膜的材質(zhì)為氧化銦錫或氧化硅。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，上述保護(hù)膜的厚度為20nm-50nm(例如20nm、30nm、40nm或者50nm等)。

在本發(fā)明一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，形成粘性材料層與形成接觸絕緣層采用相同的光罩，具體的，形成有機(jī)光阻層和保護(hù)膜均可與形成接觸絕緣層采用相同的光罩，從而不會(huì)產(chǎn)生額外的光罩費(fèi)用。

步驟s7，于粘性材料層之上形成第二金屬層，形成該第二金屬層的工藝與第一金屬層相同，為了減少重復(fù)，在此便不予以贅述。

在本發(fā)明的實(shí)施例中，若接觸絕緣層因疊層結(jié)構(gòu)應(yīng)力釋放問(wèn)題或者其他問(wèn)題發(fā)生開(kāi)裂產(chǎn)生裂痕或裂縫，但由于粘性材料層對(duì)該裂痕或裂縫的填充，仍可以很好的保持絕緣性能，使得第一金屬層和第二金屬層彼此絕緣，進(jìn)而使像素電路得以正常工作，

不難發(fā)現(xiàn)，本實(shí)施例為與上述oled器件的實(shí)施例相對(duì)應(yīng)的方法實(shí)施例，本實(shí)施例可與上述oled器件的實(shí)施例互相配合實(shí)施。上述oled器件的實(shí)施例中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)在本實(shí)施例中依然有效，為了減少重復(fù)，這里不再贅述。相應(yīng)地，本實(shí)施方式中提到的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié)也可應(yīng)用在上述oled器件的實(shí)施例中。

實(shí)施例三：

本發(fā)明還公開(kāi)一種顯示裝置，包括上述實(shí)施例一種的oled器件。

綜上，本發(fā)明公開(kāi)了一種oled器件及其制備方法、顯示裝置，通過(guò)在接觸絕緣層和第二金屬層之間設(shè)置有機(jī)光阻層，利用有機(jī)光阻的高粘度性質(zhì)來(lái)填充接觸絕緣層的開(kāi)裂部分，達(dá)到絕緣第一金屬層和第二金屬層的目的，使像素電路正常工作。且形成該有機(jī)光阻層和形成接觸絕緣層采用相同的光罩，不產(chǎn)生額外的光罩費(fèi)用；同時(shí)高像素產(chǎn)品制程穩(wěn)定性增強(qiáng)，進(jìn)而提高了產(chǎn)品良率。

本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員在結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)以及上述實(shí)施例可以實(shí)現(xiàn)變化例，在此不做贅述。這樣的變化例并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容，在此不予贅述。

以上對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行了描述。需要理解的是，本發(fā)明并不局限于上述特定實(shí)施方式，其中未盡詳細(xì)描述的設(shè)備和結(jié)構(gòu)應(yīng)該理解為用本領(lǐng)域中的普通方式予以實(shí)施；任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例，這并不影響本發(fā)明的實(shí)質(zhì)內(nèi)容。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。