本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)是一種極具發(fā)展前景的平板顯示技術(shù)，具有十分優(yōu)異的顯示性能，如主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光亮度高、色純度高、色域廣、響應(yīng)速度快、低能耗以及可柔性化等優(yōu)點(diǎn)。

為實(shí)現(xiàn)OLED顯示全彩化，目前OLED器件的制作采用精細(xì)掩模板(Fine Metal Mask，F(xiàn)MM)技術(shù)，但是FMM的制作成本非常高，而且壽命短，在制程中或者搬運(yùn)、清洗中稍有不當(dāng)會(huì)造成損壞。并且FMM和背板玻璃的對(duì)位精度要求非常高，這樣才能保證RGB像素不會(huì)混色。但是FMM和玻璃基板的下垂量不同，導(dǎo)致部分區(qū)域FMM和玻璃基板不能很好的貼合，導(dǎo)致混色，產(chǎn)品良率低。

此外，還通過白光有機(jī)發(fā)光二極管(WOLED)和彩色濾光層(CF，Color Filter)的方式來實(shí)現(xiàn)。由于可利用CF技術(shù)，不需要FMM精準(zhǔn)對(duì)位，極大地簡(jiǎn)化了蒸鍍過程，因而能降低生產(chǎn)成本。通過白光有機(jī)發(fā)光二極管(WOLED)和彩色濾光層(CF)來實(shí)現(xiàn)全彩主要是利用制備有WOLED的TFT陣列基板和CF基板貼合的方式。在進(jìn)行貼合時(shí)，WOLED與CF層之間存在一定的縫隙，且WOLED是自發(fā)光的光源，發(fā)光單元的光在側(cè)向到達(dá)CF層會(huì)因縫隙的原因而漏光，進(jìn)而會(huì)造成顯示混色等現(xiàn)象，影響顯示的質(zhì)量。此外，CF層吸收了大部分的光能，只有約30％的光能透過，導(dǎo)致OLED器件發(fā)光的效率較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于此，有必要提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：

LTPS基板；

陽極層，形成于所述基板上；

有機(jī)發(fā)光層，形成于所述陽極層上，所述有機(jī)發(fā)光層為藍(lán)光有機(jī)發(fā)光層；

陰極層，形成于所述有機(jī)發(fā)光層上；

量子點(diǎn)層，形成于所述陰極層上，所述量子點(diǎn)層包括紅色子像素、綠色量子像素以及空白子像素；

封裝層，形成于所述量子點(diǎn)層上。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述紅色子像素由紅色量子點(diǎn)材料形成。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述綠色子像素由綠色量子點(diǎn)材料形成。

在一個(gè)實(shí)施例中，還包括形成于所述陰極層與所述量子點(diǎn)層之間的保護(hù)層。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝層包括第一封裝層、第二封裝層和第三封裝層，所述第一封裝層、所述第二封裝層和所述第三封裝層依次形成于所述量子點(diǎn)層上。

一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括：

提供一LTPS基板；

在所述基板上形成陽極層；

在所述陽極層上形成有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層用于發(fā)射藍(lán)光；

在所述有機(jī)發(fā)光層上形成陰極層；

在所述陰極層上形成包括紅色子像素、綠色量子像素以及空白子像素的量子點(diǎn)層；

在所述量子層上形成封裝層。

在一個(gè)實(shí)施例中，采用噴墨打印形成包括紅色子像素、綠色量子像素以及空白子像素的量子點(diǎn)層。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述陰極層上形成包括紅色子像素、綠色量子像素以及空白子像素的量子點(diǎn)層的步驟包括：

在所述陰極層上形成保護(hù)層，在所述保護(hù)層上形成所述量子點(diǎn)層。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述基板上形成陽極層的步驟之前包括：

在所述基板上形成低溫多晶硅層；

所述在所述基板上形成陽極層的步驟包括：

在所述低溫多晶硅層上形成所述陽極層。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述量子層上形成封裝層的步驟包括：

在所述量子點(diǎn)層上依次形成第一封裝層、第二封裝層和第三封裝層。

上述有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，通過直接在陰極層上形成量子點(diǎn)層，并通過有機(jī)發(fā)光層發(fā)出的藍(lán)光對(duì)量子點(diǎn)層的紅色子像素和綠色量子像素的激發(fā)，并通過該空白子像素對(duì)藍(lán)光的穿透，從而發(fā)出不同顏色的光，有效提升色飽和度以及色域，且能夠有效降低成本，提高生產(chǎn)效率。

上述有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，由于各層在同一基板上依次形成，各層之間能夠緊密連接，能夠有效避免量子點(diǎn)層與有機(jī)發(fā)光層(量子點(diǎn)層與陰極層)之間存在間隙，有效避免顯示混色的情況，使得顯示效果更佳。此外，由于各層在同一基板上依次形成，使得原本繁瑣的生產(chǎn)過程更為簡(jiǎn)單，并避免了由于CF的透光率較差而導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光顯示裝置發(fā)光的效率較低的情況，使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置發(fā)光顯示效果更佳。

附圖說明

圖1為一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的局部剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了本發(fā)明的較佳實(shí)施方式。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施方式。相反地，提供這些實(shí)施方式的目的是使對(duì)本發(fā)明的公開內(nèi)容理解的更加透徹全面。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在本發(fā)明的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施方式的目的，不是旨在于限制本發(fā)明。本文所使用的術(shù)語“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。

例如，一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：基板；陽極層，形成于所述基板上；有機(jī)發(fā)光層，形成于所述陽極層上，所述有機(jī)發(fā)光層為藍(lán)光有機(jī)發(fā)光層；陰極層，形成于所述有機(jī)發(fā)光層上；量子點(diǎn)層，形成于所述陰極層上，所述量子點(diǎn)層包括紅色子像素、綠色量子像素以及空白子像素；封裝層，形成于所述量子點(diǎn)層上。

如圖1所示，其為一實(shí)施例的一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置10，包括：基板100、陽極層200、有機(jī)發(fā)光層300、陰極層400、量子點(diǎn)層500和封裝層600；陽極層200形成于所述基板100上；有機(jī)發(fā)光層300形成于所述陽極層200上，所述有機(jī)發(fā)光層300為藍(lán)光有機(jī)發(fā)光層300；陰極層400形成于所述有機(jī)發(fā)光層300上；量子點(diǎn)層500形成于所述陰極層400上，所述量子點(diǎn)層500包括紅色子像素、綠色量子像素以及空白子像素；封裝層600形成于所述量子點(diǎn)層500上。

例如，該基板100為帶有LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅)的基板100，例如，該基板100包括玻璃基板100，例如，該基板100包括柔性基板100。例如，所述陽極層200采用高反射材料制成，例如，陽極層200的材料為氧化銦錫(ITO)，例如，所述陽極層的材料為銀，例如，所述陽極層包括依次連接的氧化銦錫層、銀質(zhì)層和/氧化銦錫層。例如，陽極層200的厚度為100～300nm，又如，陽極層200的厚度為200nm。例如，該陰極采用透明材料制成，使得有機(jī)發(fā)光層300發(fā)出的光線能夠穿透該陰極，例如，該陰極的材料為鎂銀合金。具體的，所述陰極層400形成于所述有機(jī)發(fā)光層300上。例如，所述陰極層400由透明導(dǎo)電材料制成。又如，所述陰極層400的透過率為75～92％，折射率為1.5～15。又如，所述陰極層400的厚度為100～200nm。

例如，該有機(jī)發(fā)光層300的材料為藍(lán)色有機(jī)發(fā)光材料，即，該有機(jī)發(fā)光層300的材料在電壓驅(qū)動(dòng)下發(fā)出藍(lán)光。例如，有機(jī)發(fā)光層300的厚度為400nm?？梢岳斫猓枠O層200與其上的有機(jī)發(fā)光層300及陰極層400可構(gòu)成一個(gè)發(fā)光單元，在本實(shí)施例中，發(fā)光單元為藍(lán)色發(fā)光單元，即，發(fā)光單元為藍(lán)光OLED(BLOED)。

例如，所述量子點(diǎn)層500的厚度為50～100nm，例如，所述量子點(diǎn)層500的厚度為50nm，又如，所述量子點(diǎn)層500的厚度為70nm，值得一提的是，量子點(diǎn)層500的厚度不宜過大，過大則發(fā)光強(qiáng)度太強(qiáng)，導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光顯示裝置色偏，而量子點(diǎn)層500的厚度不宜過小，過小則使得紅色子像素和綠色子像素的激發(fā)后的發(fā)光強(qiáng)度較弱，也將導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光效果不佳，因此，本實(shí)施例中，所述量子點(diǎn)層500的厚度為50～100nm，一方面使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置不產(chǎn)生色偏問題，另一方面，使得紅色子像素和綠色子像素的發(fā)光強(qiáng)度較強(qiáng)，進(jìn)而使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置的發(fā)光效果更佳，

例如，該量子點(diǎn)層500的厚度為50nm。例如，所述紅色子像素由紅色量子點(diǎn)材料形成，例如，該紅色量子點(diǎn)材料包括硒化鎘(CdSe)，例如，該紅色量子點(diǎn)材料包括硫化鎘(CdS)，例如，該紅色量子點(diǎn)材料包括鈣鈦礦系材料，例如，該鈣鈦礦系材料能夠用結(jié)構(gòu)通式AMX₃表示，其中，A為CH₃NH³⁺、NH₂^-CH＝NH₂⁺和Cs⁺中的任意一種，M為Pb²⁺、Sn²⁺、Ge²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Mn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺和Bi³⁺中的任意一種，X為Cl^-、Br^-和I^-中的任意一種，例如，該紅色量子點(diǎn)材料包括碳量子點(diǎn)，又如，該紅色量子點(diǎn)材料包括石墨烯量子點(diǎn)。例如，該量子點(diǎn)層500包括紅色像素區(qū)域，該紅色像素區(qū)域由紅色量子點(diǎn)材料形成。

例如，所述綠色子像素由綠色量子點(diǎn)材料形成，例如，該量子點(diǎn)層500包括綠色像素區(qū)域，該綠色像素區(qū)域由綠色量子點(diǎn)材料形成。例如，該綠色量子點(diǎn)材料包括硒化鎘(CdSe)，例如，該綠色量子點(diǎn)材料包括硫化鋅(ZnS)，例如，該綠色量子點(diǎn)材料包括硒化鋅(ZnSe)，例如，該綠色量子點(diǎn)材料包括鈣鈦礦系材料，例如，該鈣鈦礦系材料能夠用結(jié)構(gòu)通式AMX₃表示，其中，A為CH₃NH³⁺、NH₂^-CH＝NH₂⁺和Cs⁺中的任意一種，M為Pb²⁺、Sn²⁺、Ge²⁺、Co²⁺、Fe²⁺、Mn²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺和Bi³⁺中的任意一種，X為Cl^-、Br^-和I^-中的任意一種，例如，該綠色量子點(diǎn)材料包括碳量子點(diǎn)，又如，該綠色量子點(diǎn)材料包括石墨烯量子點(diǎn)。

例如，該紅色子像素和綠色子像素之間間隔形成空白子像素，例如，該量子點(diǎn)層500包括空白像素區(qū)域，該空白像素區(qū)域?yàn)榧t色子像素和綠色子像素間隔區(qū)域，即該空白像素區(qū)域不包含像素，例如，該量子點(diǎn)層包括空白的子像素，該空白的子像素為空白子像素。

在另外的實(shí)施例中，該空白子像素由無色材料形成，例如，該無色材料包括聚酰亞胺(PI)，例如，該無色材料包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)，例如，該無色材料包括聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，例如，該無色材料包括環(huán)氧樹脂。例如，該量子點(diǎn)層500包括空白子像素，該空白子像素分別與紅色子像素和綠色子像素連接，該空白子像素由無色材料形成，該空白子像素能直接透射光線，即透射有機(jī)發(fā)光層300的藍(lán)色光線。

例如，紅色像素區(qū)域的面積為空白像素區(qū)域的二分之一，例如，綠色像素區(qū)域的面積為空白像素區(qū)域的二分之一，又如，該紅色像素區(qū)域的形狀為圓形，例如，該紅色像素區(qū)域的形狀為矩形，又如，該綠色像素區(qū)域的形狀為圓形，例如，該綠色像素區(qū)域的形狀為矩形，例如，兩個(gè)紅色像素區(qū)域之間設(shè)置一個(gè)空白像素區(qū)域，又如，兩個(gè)綠色像素區(qū)域之間設(shè)置一個(gè)空白像素區(qū)域。

例如，量子點(diǎn)層500在空白像素區(qū)域處的厚度大于其在紅色像素區(qū)域或其在綠色像素區(qū)域處的厚度；又如，量子點(diǎn)層500在空白像素區(qū)域處具有凸出結(jié)構(gòu)，所述凸出結(jié)構(gòu)為圓臺(tái)形狀或者部分球形，用于凹入到空白像素區(qū)域并至少部分填充空白像素區(qū)域。例如，紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域以及空白像素區(qū)域交替間隔設(shè)置。又如，紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域以及空白像素區(qū)域均勻設(shè)置，例如，紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域以及空白像素區(qū)域的面積相等，和/或，紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域以及空白像素區(qū)域?yàn)槿鹊男螤?，例如，紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域以及空白像素區(qū)域?yàn)槿鹊纳刃位蚓匦?；又如，紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域以及空白像素區(qū)域形成一個(gè)螺旋形，且紅色像素區(qū)域、綠色像素區(qū)域以及空白像素區(qū)域分別為其中的一個(gè)子螺旋形狀。

量子點(diǎn)是一種半導(dǎo)體納米粒子，粒徑一般在幾納米至數(shù)十納米之間。量子點(diǎn)由于量子限域效應(yīng)的存在，原本連續(xù)的能帶變成分立的能級(jí)結(jié)構(gòu)，受外界激發(fā)光激發(fā)后可發(fā)射可見光，例如，紅色量子點(diǎn)材料激發(fā)后發(fā)射紅色光，例如，綠色量子點(diǎn)材料激發(fā)后發(fā)射綠色光。由于量子點(diǎn)材料是單能級(jí)結(jié)構(gòu)，每個(gè)固定大小的量子點(diǎn)受激發(fā)后發(fā)出的光的頻譜是唯一的，即色彩是唯一的，是純色。所以，可以通過調(diào)節(jié)量子點(diǎn)尺寸大小，方便、精確地調(diào)節(jié)其產(chǎn)生的光波波長(zhǎng)，進(jìn)而產(chǎn)生不同顏色的光。量子點(diǎn)材料由于具有較小半高寬的發(fā)射峰，且發(fā)光顏色可通過量子點(diǎn)材料的尺寸或結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)節(jié)，因此量子點(diǎn)層500能夠有效提升有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的色飽和度以及色域。此外，量子點(diǎn)材料具備卓越的全色域顯示特征，對(duì)NTSC(National Television Standards Committee，國(guó)家電視標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì))標(biāo)準(zhǔn)色域覆蓋率高達(dá)120-130％，能夠真實(shí)還原色彩，有效提升色彩鮮艷度和真實(shí)感。量子點(diǎn)是無機(jī)晶體，穩(wěn)定性非常高，不會(huì)產(chǎn)生燒屏現(xiàn)象，色彩衰減更慢，使得具有量子點(diǎn)的顯示裝置使用壽命更長(zhǎng)，也因此，具有量子點(diǎn)的顯示裝置的亮度更高。量子點(diǎn)由溶液加工工藝制成，產(chǎn)品線所需要的成本很低，使得量子點(diǎn)的原材料使用效率高。

例如，所述封裝層600的材料為氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiOx)、碳化硅(SiC)、碳氧化硅(SiOC)、氮氧化硅(SiON)中的一種，所述封裝層600的厚度在0.1μm～2μm之間；又如，所述封裝層600的材料為二氧化硅(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋯(ZrOx)中的一種，所述封裝層600的厚度在5nm～100nm之間。

在本實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光層300發(fā)射的藍(lán)色光能夠激發(fā)量子點(diǎn)層500的紅色子像素和綠色量子像素，有機(jī)發(fā)光層300發(fā)射的藍(lán)色光線經(jīng)過由量子點(diǎn)材料形成的子像素，激發(fā)量子點(diǎn)材料發(fā)出相應(yīng)子像素顏色的光，對(duì)應(yīng)紅色像素區(qū)域或者綠色像素區(qū)域分別發(fā)出紅光或者綠光，藍(lán)色光線透過者空白像素區(qū)域發(fā)出藍(lán)光，各子像素或者各像素區(qū)域相互配合，使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置10顯示各種顏色。

本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置10，通過直接在陰極層400上形成量子點(diǎn)層500，并通過有機(jī)發(fā)光層300發(fā)出的藍(lán)光對(duì)量子點(diǎn)層500的紅色子像素和綠色量子像素激發(fā)，并通過該空白子像素對(duì)藍(lán)光的穿透，從而發(fā)出不同顏色的光，有效提升色飽和度以及色域，且能夠有效降低成本，提高生產(chǎn)效率。

為了避免對(duì)陰極層400造成損傷并且初步對(duì)陰極層400及有機(jī)材料進(jìn)行保護(hù)，在一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置10還包括形成于所述陰極層400與所述量子點(diǎn)層500之間的保護(hù)層700，例如，陰極層400與量子點(diǎn)層500之間還設(shè)置有保護(hù)層700，即，首先在陰極層400上形成一層保護(hù)層700，再在保護(hù)層700上形成量子點(diǎn)層500。例如，所述保護(hù)層700的材料包括氮化硅(SiNx)，例如，采用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)的方法在陰極層400上形成保護(hù)層700。例如，保護(hù)層700的厚度為0.1～1μm，進(jìn)而有效避免對(duì)陰極層400造成損傷并且初步對(duì)陰極層400及有機(jī)發(fā)光材料進(jìn)行保護(hù)。

為了實(shí)現(xiàn)對(duì)有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的封裝，對(duì)有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的各層進(jìn)行保護(hù)，在一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝層600包括第一封裝層610、第二封裝層620和第三封裝層630，所述第一封裝層610、所述第二封裝層620和所述第三封裝層630依次形成于所述量子點(diǎn)層500上。例如，第一封裝層610和第三封裝層630為無機(jī)物層，第二封裝層620為有機(jī)物層，例如，第二封裝層620為有機(jī)應(yīng)力控制層，該第二封裝層620能夠提高封裝層600的應(yīng)力性能，由于第一封裝層610和第三封裝層630的材料為無機(jī)物，二者韌性較差，比較脆，容易開裂，而第二封裝層620韌性好，第二封裝層620能夠有效釋放第一封裝層610和第三封裝層630中的應(yīng)力，從而提高封裝層600的應(yīng)力性能。

例如，第一封裝層610的材料包括氮化硅(SiNx)，例如，第一封裝層610的材料包括二氧化硅(SiO2)，例如，第一封裝層610的材料包括氧化鋁(AlOx)，例如，第三封裝層630的材料包括氮化硅(SiNx)，例如，第三封裝層630的材料包括二氧化硅(SiOx)，例如，第二封裝層620的材料包括亞克力。通過第一封裝層610、第二封裝層620和第三封裝層630對(duì)量子點(diǎn)層500的表面的封裝，使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置10得到有效保護(hù)。

例如，一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括：提供一基板；在所述基板上形成陽極層；在所述陽極層上形成有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層用于發(fā)射藍(lán)光；在所述有機(jī)發(fā)光層上形成陰極層；在所述陰極層上形成包括紅色子像素、綠色量子像素的量子點(diǎn)層，并在該量子點(diǎn)層上形成空白子像素；在所述量子層上形成封裝層。

如圖2所示，其為一實(shí)施例的一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括：

步驟102，提供一LTPS基板。

例如，基板為帶有LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅)的基板，例如，該基板包括玻璃基板，例如，該基板包括柔性基板，例如，該基板為帶有LTPS的玻璃基板，又如，該基板為帶有LTPS的柔性基板，具體地，基板采用玻璃或者柔性基板，如PET、PEN、PI、Si系列或Acryl系材料等。

在一個(gè)實(shí)施例中，在所述基板上形成低溫多晶硅層，在本實(shí)施例中，基板為玻璃基板，在該玻璃基板上形成低溫多晶硅層，從而形成帶有低溫多晶硅的基板。

步驟104，在所述基板上形成陽極層。

具體地，本步驟，在基板上沉積陽極層，例如，采用濺射方式在基板上形成陽極層。例如，沉積的陽極層的厚度為200nm，陽極層采用高反射材料制成，例如，陽極層沉積的材料為氧化銦錫(ITO)，例如，陽極層沉積的材料為銀，例如，在基板上因此沉積形成氧化銦錫層、銀質(zhì)層和氧化銦錫層。

在一個(gè)實(shí)施例中，在所述低溫多晶硅層上形成所述陽極層。例如，在基板上形成低溫多晶硅層，再在低溫多晶硅層上形成所述陽極層。應(yīng)該理解的是，包括陽極層、有機(jī)發(fā)光層和陰極層的發(fā)光單元由低溫多晶硅層點(diǎn)亮。

步驟106，在所述陽極層上形成有機(jī)發(fā)光層，所述有機(jī)發(fā)光層用于發(fā)射藍(lán)光。

例如，采用真空蒸鍍的方式在陽極層上形成有機(jī)發(fā)光層，該有機(jī)發(fā)光層用于發(fā)射藍(lán)色光，例如，該有機(jī)發(fā)光層的材料為藍(lán)色發(fā)光材料，即，該有機(jī)發(fā)光層的材料在電壓驅(qū)動(dòng)下發(fā)出藍(lán)光。例如，有機(jī)發(fā)光層的厚度為400nm。

步驟108，在所述有機(jī)發(fā)光層上形成陰極層。

例如，在所述有機(jī)發(fā)光層上形成透明陰極層，例如，所述陰極層由透明導(dǎo)電材料制成，例如，所述陰極層的材料為鎂銀合金，例如，采用真空蒸鍍的方式在有機(jī)發(fā)光層上制作陰極層。例如，所述陰極層的透過率為75～92％，折射率為1.5～15。又如，所述陰極層的厚度為100～200nm。

步驟110，在所述陰極層上形成包括紅色子像素、綠色量子像素以及空白子像素的量子點(diǎn)層。

例如，所述量子點(diǎn)層的厚度為50～100nm。例如，采用噴墨打印形成包括紅色子像素、綠色量子像素以及空白子像素的量子點(diǎn)層，例如，采用噴墨打印在所述陰極層上形成包括紅色子像素、綠色量子像素以及空白子像素的量子點(diǎn)層。例如，所述紅色子像素由紅色量子點(diǎn)材料形成，例如，該量子點(diǎn)層包括紅色像素區(qū)域，該紅色像素區(qū)域由紅色量子點(diǎn)材料形成，例如，所述綠色子像素由綠色量子點(diǎn)材料形成，例如，該量子點(diǎn)層包括綠色像素區(qū)域，該綠色像素區(qū)域由綠色量子點(diǎn)材料形成，例如，該空白子像素為空白的像素區(qū)域，即采用噴墨打印在陰極層上在紅色像素區(qū)域形成紅色子像素，在綠色像素區(qū)域形成綠色子像素，該紅色像素區(qū)域和綠色像素區(qū)域之間間隔形成空白像素區(qū)域，即在該空白像素區(qū)域內(nèi)不作處理，形成空白子像素。

例如，該空白子像素由無色材料形成，例如，采用噴墨打印在陰極層上，在紅色像素區(qū)域形成紅色子像素，在綠色像素區(qū)域形成綠色量子像素，在空白像素區(qū)域形成空白子像素，該空白子像素由無色材料形成，例如，該無色材料包括聚酰亞胺(PI)，例如，該無色材料包括聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)，例如，該無色材料包括聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，例如，該無色材料包括環(huán)氧樹脂。

又如，在陰極層上形成保護(hù)層，在保護(hù)層上形成包括紅色子像素、綠色子像素以及空白子像素的量子點(diǎn)層，例如，采用噴墨打印在保護(hù)層上形成包括紅色子像素、綠色子像素以及空白子像素的量子點(diǎn)層，

步驟112，在所述量子層上形成封裝層。

具體的，所述封裝層采用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)或ALD(原子層沉積)方法制備得到，例如，采用PECVD方法制備，制備所述封裝層的材料為氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、碳化硅(SiC)、碳氧化硅(SiOC)、氮氧化硅(SiON)中的一種，其厚度在0.1μm～1μm之間；又如，采用ALD方法制備，制備所述封裝層的材料為氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鋯(ZrOx)中的一種，厚度在5nm～100nm之間。

本實(shí)施例中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的各層依次在同一基板上形成，通過直接在有機(jī)發(fā)光層形成陰極層，并在陰極層上形成量子點(diǎn)層，而無需在不同的基板上分別形成有機(jī)發(fā)光層和量子點(diǎn)層，從而減少了有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造工序，能夠有效降低成本，提高生產(chǎn)效率。此外，由于各層是在同一基板上連續(xù)成膜形成，因此，形成后的各層具有較好的兼容性和柔韌性，可以較容易實(shí)現(xiàn)顯示的柔性化，適應(yīng)不同的顯示器，此外，由于各層在同一基板上依次形成，各層之間能夠緊密連接，能夠有效避免各層之間存在間隙，例如，避免量子點(diǎn)層與有機(jī)發(fā)光層(量子點(diǎn)層與陰極層)之間存在間隙，有效避免顯示顯示混色的情況，使得顯示效果更佳。此外，由于各層在同一基板上依次形成，使得原本繁瑣的生產(chǎn)過程更為簡(jiǎn)單，并避免了由于CF的透光率較差而導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光顯示裝置發(fā)光的效率較低的情況，使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置發(fā)光顯示效果更佳。

在一個(gè)實(shí)施例中，步驟110包括：在所述陰極層上形成保護(hù)層，在所述保護(hù)層上形成所述量子點(diǎn)層。

例如，在所述陰極層上形成保護(hù)層，在所述保護(hù)層上形成包括紅色子像素、綠色量子像素以及空白子像素的量子點(diǎn)層。

例如，在陰極層上形成一層保護(hù)層，再在保護(hù)層上形成量子點(diǎn)層。例如，所述保護(hù)層的材料包括氮化硅(SiNx)，例如，采用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)的方法在陰極層上形成保護(hù)層。例如，保護(hù)層的厚度為0.1～1μm。該保護(hù)層能夠有效地對(duì)陰極及有機(jī)層進(jìn)行保護(hù)。

在一個(gè)實(shí)施例中，步驟112包括：在所述量子點(diǎn)層上依次形成第一封裝層、第二封裝層和第三封裝層。

例如，采用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)和噴墨技術(shù)在所述量子點(diǎn)層上依次形成第一封裝層、第二封裝層和第三封裝層，例如，采用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)在所述量子點(diǎn)層上形成第一封裝層，例如，采用噴墨打印技術(shù)在所述量子點(diǎn)層上形成第二封裝層，例如，采用PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)在第二封裝層上形成第三封裝層。

例如，第一封裝層和第三封裝層為無機(jī)物層，第二封裝層為有機(jī)物層，例如，第二封裝層為有機(jī)應(yīng)力控制層。

例如，第一封裝層的材料包括氮化硅(SiNx)，例如，第一封裝層的材料包括二氧化硅(SiOx)，例如，第一封裝層的材料包括氧化鋁(AlOx)，例如，第三封裝層的材料包括氮化硅(SiNx)，例如，第三封裝層的材料包括氧化硅(SiOx)，例如，第二封裝層的材料包括亞克力。通過第一封裝層、第二封裝層和第三封裝層對(duì)量子點(diǎn)層的表面的封裝，使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置得到有效保護(hù)。

以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合，為使描述簡(jiǎn)潔，未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述，然而，只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾，都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說明書記載的范圍。

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。