本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板、包括該陣列基板的顯示面板以及包括該顯示面板的顯示裝置。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置具有無(wú)輻射、輕薄和省電等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于各種信息、通訊、消費(fèi)性電子產(chǎn)品中。液晶顯示裝置通常包括一顯示面板，顯示面板包括彼此相對(duì)設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，以及設(shè)置在該兩個(gè)基板之間的液晶層。陣列基板包括掃描線和數(shù)據(jù)線，掃描線和數(shù)據(jù)線彼此絕緣交叉以限定多個(gè)子像素；每個(gè)子像素包括像素電極、公共電極和薄膜晶體管，像素電極與薄膜晶體管的漏極電連接。顯示時(shí)，通過(guò)在掃描線上施加掃描信號(hào)，使與掃描線連接的薄膜晶體管導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線的上施加的數(shù)據(jù)電壓通過(guò)導(dǎo)通的薄膜晶體管對(duì)像素電極進(jìn)行充電，從而在像素電極與公共電極之間形成電場(chǎng)，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)液晶旋轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)圖像顯示。

隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，人們對(duì)于高PPI(Pixels Per Inch，每英寸像素?cái)?shù)目)、甚至超高PPI的需求越來(lái)越高。

然而，伴隨著顯示面板PPI的不斷提高，像素排列也越來(lái)越緊密，每個(gè)子像素的尺寸越來(lái)越小，這不僅給顯示面板的器件設(shè)計(jì)帶來(lái)了巨大挑戰(zhàn)，同時(shí)也引發(fā)諸多令人頭疼的難題，比如像素開(kāi)口率由于受工藝制程對(duì)線寬線距要求的影響，成為瓶頸；亦或在曝光工藝制程中，由于相鄰子像素中需形成的圖形之間的間距越來(lái)越小，使得圖形之間的曝光量越來(lái)越少，無(wú)法得到穩(wěn)定的曝光，從而造成曝光工藝的不良并造成顯示面板的不良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板、包括該陣列基板的顯示面板以及包括該顯示面板的顯示裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的諸多問(wèn)題。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括：一襯底基板，位于所述襯底基板一側(cè)的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線沿第一方向并排排列，所述多條數(shù)據(jù)線沿第二方向并排排列，且所述多條掃描線和所述多條數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定多個(gè)子像素；所述子像素包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括位于所述襯底基板一側(cè)的有源層、柵極、源極和漏極，所述有源層包括溝道區(qū)域，在垂直于所述陣列基板的方向上，所述有源層與所述柵極交疊的區(qū)域?yàn)樗鰷系绤^(qū)域；所述溝道區(qū)域包括在所述第二方向上相對(duì)的兩個(gè)邊緣，所述邊緣的延伸方向與所述第一方向具有第一夾角，所述第一夾角大于0°且小于等于40°。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，包括上述第一方面所提供的陣列基板。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述第二方面所提供的顯示面板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的陣列基板、顯示面板及顯示裝置由于將薄膜晶體管的溝道區(qū)域在第二方向上相對(duì)的兩個(gè)邊緣的延伸方向(以下稱為溝道區(qū)域的延伸方向)與第一方向具有第一夾角，第一夾角大于0°且小于等于40°，使得在制作該陣列基板時(shí)，在形成薄膜晶體管的曝光工藝制程中，由于溝道區(qū)域的延伸方向相對(duì)第一方向具有一定的傾斜，使得相鄰兩個(gè)子像素的薄膜晶體管中同種膜層結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)圖形的相對(duì)長(zhǎng)度變小，圖形間的曝光量得到增加，從而增加了曝光穩(wěn)定性，提高了陣列基板的制作成功率。此外，由于溝道傾斜后，子像素中薄膜晶體管的部分膜層也需要傾斜，從而與陣列基板上其他膜層的重疊面積發(fā)生變化，使得開(kāi)口率得到一定程度的提高。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的的局部俯視示意圖；

圖3是圖2中沿aa’方向的剖視示意圖；

圖4是圖2中部分膜層的俯視示意圖；

圖5是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的局部俯視圖；

圖6是圖5中部分膜層的俯視示意圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的局部俯視示意圖；

圖8是圖7中沿bb’方向的剖視示意圖；

圖9是圖7中部分膜層的俯視示意圖；

圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種陣列基板的局部俯視示意圖；

圖11是圖10中部分膜層的俯視示意圖；

圖12是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種陣列基板的局部俯視示意圖；

圖13是圖12中沿cc’方向的剖視示意圖；

圖14是圖10中部分膜層的俯視示意圖；

圖15是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的局部俯視示意圖；

圖16是圖15中沿dd’方向的剖視示意圖；

圖17是圖15中部分膜層的俯視示意圖；

圖18是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種陣列基板的局部俯視示意圖；

圖19是圖18中沿ee’方向的剖視示意圖；

圖20是圖18中部分膜層的俯視示意圖；

圖21是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種陣列基板的局部俯視示意圖；

圖22是圖21中部分膜層的俯視示意圖；

圖23是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的局部俯視示意圖；

圖24是圖23中部分膜層的俯視示意圖；

圖25是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種陣列基板的局部俯視示意圖；

圖26是圖25中部分膜層的俯視示意圖；

圖27是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種陣列基板的局部俯視示意圖；

圖28是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖29是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括一襯底基板，位于所述襯底基板一側(cè)的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條掃描線沿第一方向并排排列，所述多條數(shù)據(jù)線沿第二方向并排排列，且所述多條掃描線和所述多條數(shù)據(jù)線絕緣交叉限定多個(gè)子像素；所述子像素包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括位于所述襯底基板一側(cè)的有源層、柵極、源極和漏極，所述有源層包括溝道區(qū)域，在垂直于所述陣列基板的方向上，所述有源層與所述柵極交疊的區(qū)域?yàn)樗鰷系绤^(qū)域；所述溝道區(qū)域包括在所述第二方向上相對(duì)的兩個(gè)邊緣，所述邊緣的延伸方向與所述第一方向具有第一夾角，所述第一夾角大于0°且小于等于40°。

請(qǐng)參考圖1-圖4，圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖，圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的局部俯視示意圖，圖3是圖2中沿aa’方向的剖視示意圖，圖4是圖2中部分膜層的俯視示意圖。該陣列基板包括一襯底基板100，位于襯底基板100一側(cè)的多條掃描線101和多條數(shù)據(jù)線102，多條掃描線101沿第一方向x并排排列，多條數(shù)據(jù)線102沿第二方向y并排排列，且多條掃描線101和多條數(shù)據(jù)線102絕緣交叉限定多個(gè)子像素；子像素包括薄膜晶體管103，薄膜晶體管103包括位于襯底基板100一側(cè)的有源層1031、柵極1032、源極1033和漏極1034，有源層1031包括溝道區(qū)域C，在垂直于該陣列基板的方向上，有源層1031與柵極1032交疊的區(qū)域?yàn)闇系绤^(qū)域C；溝道區(qū)域C包括在第二方向y上相對(duì)的兩個(gè)邊緣，邊緣的延伸方向R與第一方向x具有第一夾角α，第一夾角α大于0°且小于等于40°。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，以薄膜晶體管103為頂柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明，即柵極1032位于有源層1031遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)，如圖所示。在本發(fā)明其他可選的實(shí)施方式中，薄膜晶體管也可以是底柵結(jié)構(gòu)，即柵極位于有源層靠近襯底基板的一側(cè)。此外，如圖2和圖3所示，薄膜晶體管103為頂柵結(jié)構(gòu)時(shí)，源極1033可以是數(shù)據(jù)線102的一部分，柵極1032可以是掃描線101的一部分，源極1033和漏極1034可以分別通過(guò)過(guò)孔h1和h2與有源層1031連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例提供的陣列基板將薄膜晶體管103的溝道區(qū)域C在第二方向y上相對(duì)的兩個(gè)邊緣的延伸方向R(以下稱為溝道區(qū)域C的延伸方向R)與第一方向x具有第一夾角α，第一夾角α大于0°且小于等于40°，使得在制作該陣列基板時(shí)，在形成薄膜晶體管的曝光工藝制程中，由于溝道區(qū)域C的延伸方向R相對(duì)第一方向x具有一定的傾斜，使得相鄰兩個(gè)子像素的薄膜晶體管中同種膜層結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)圖形的相對(duì)長(zhǎng)度變小，圖形間的曝光量得到增加，從而增加了曝光穩(wěn)定性，提高了陣列基板的制作成功率。以形成有源層1041時(shí)為例，結(jié)合圖4、圖5和圖6，其中，圖5是現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的局部俯視圖，圖6是圖5中部分膜層的俯視示意圖。圖6中有源層103’與掃描線101’交疊的區(qū)域?yàn)橄鄳?yīng)的溝道區(qū)域C’，該溝道區(qū)域C’在第二方向y上相對(duì)的兩個(gè)邊緣的延伸方向R’與第一方向x平行。假設(shè)圖4和圖6中有源層圖形的形狀和大小一致，圖6中有源層1041’對(duì)應(yīng)的圖形在第一方向x上的長(zhǎng)度為l，則圖6中相鄰兩個(gè)子像素的有源層1041’對(duì)應(yīng)的圖形的相對(duì)長(zhǎng)度L’＝l，而圖4中相鄰兩個(gè)子像素的有源層1041對(duì)應(yīng)的圖形的相對(duì)長(zhǎng)度L＝l×cosα，由于第一夾角α大于0°且小于等于40°，故L＜L’。由此可知，本實(shí)施例中，相鄰兩個(gè)子像素的有源層1041對(duì)應(yīng)的圖形的相對(duì)長(zhǎng)度變小，圖形間的曝光量得到增加，從而增加了曝光穩(wěn)定性，提高了陣列基板的制作成功率。

此外，發(fā)明人在對(duì)本實(shí)施例提供陣列基板進(jìn)行模擬研究時(shí)還發(fā)現(xiàn)，該陣列基板與現(xiàn)有的陣列基板相比，開(kāi)口率也有一定程度的提高，這是由于溝道C傾斜后，子像素中薄膜晶體管的部分膜層也需要傾斜，傾斜后這些膜層在第一方向上的長(zhǎng)度相對(duì)減少，并且與陣列基板上其他膜層的重疊面積也會(huì)有一定程度的增加，使得開(kāi)口率得到一定程度的提高。隨著子像素的尺寸越來(lái)越小，開(kāi)口率的提高也是非常重要的改進(jìn)和突破。

可選的，上述實(shí)施例中，在第二方向y上任意相鄰的兩個(gè)子像素的溝道區(qū)域C在第二方向y上相對(duì)的兩個(gè)邊緣的延伸方向R平行，即在第二方向y上，同一條子像素中，每個(gè)溝道區(qū)域C的延伸方向R均互相平行，溝道區(qū)域C的延伸方向R相對(duì)于第一方向x的傾斜方向一致，以便于工藝上的制作。

繼續(xù)參考圖2和圖3，本實(shí)施例中，每個(gè)子像素還包括像素電極104和公共電極105(圖2中未示出)，像素電極104位于公共電極105遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)，像素電極104包括至少一個(gè)子電極，此處稱之為像素子電極1040，圖2中示意性地示出了兩個(gè)像素子電極1040，公共電極105則可以是板狀電極。薄膜晶體管103的柵極與對(duì)應(yīng)的掃描線101電連接，源極與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線102電連接，漏極與對(duì)應(yīng)的像素電極104電連接。陣列基板工作時(shí)，在對(duì)應(yīng)的柵線101的控制下，薄膜晶體管103的源極對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線102通過(guò)薄膜晶體管103向漏極1034對(duì)應(yīng)的像素電極104實(shí)施充放電，像素電極104與公共電極105之間形成電場(chǎng)，以達(dá)到顯示功能。

需要說(shuō)明的是，如圖1所示，陣列基板通常包括顯示區(qū)AA和非顯示區(qū)N-AA，上述多個(gè)子像素通常設(shè)置在顯示區(qū)AA，而非顯示區(qū)N-AA則可以設(shè)置驅(qū)動(dòng)電路等元件，驅(qū)動(dòng)電路可以用來(lái)為上述掃描線101提供掃描信號(hào)、為數(shù)據(jù)線102提供數(shù)據(jù)信號(hào)、為公共電極提供公共電壓信號(hào)等。此外，陣列基板還可以包括實(shí)現(xiàn)顯示所需要的其他結(jié)構(gòu)，如各層結(jié)構(gòu)之間的絕緣層110、120、130、140等，這些絕緣層可以采用相同或者不同的材料，此處不再贅述。

請(qǐng)參考圖7-圖9，圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的局部俯視示意圖，圖8是圖7中沿bb’方向的剖視示意圖，圖9是圖7中部分膜層的俯視示意圖。本實(shí)施例中，對(duì)于頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，與圖2示出的陣列基板的不同之處在于，子像素還可以包括位于襯底基板100和有源層1031之間的遮光層106，相鄰的子像素的遮光層106互相絕緣，以防止遮光層106上靜電累積對(duì)相鄰的薄膜晶體管103造成不良影響，遮光層106在襯底基板100上的正投影完全覆蓋溝道區(qū)域C在襯底基板100上的正投影。遮光層106的作用是遮擋外界照向有源層1031的溝道區(qū)域C的光，以避免外界光對(duì)薄膜晶體管103產(chǎn)生不良影響?？梢岳斫獾氖?，本實(shí)施例中，陣列基板還可以包括遮光層106和有源層1031之間的緩沖層150。

本實(shí)施例中，由于溝道區(qū)域C的延伸方向R與第一方向x具有第一夾角α，第一夾角α大于0°且小于等于40°，即溝道區(qū)域C的延伸方向R相對(duì)于第一方向x具有一定的傾斜，則每個(gè)溝道區(qū)域C對(duì)應(yīng)的遮光層106也隨之進(jìn)行相應(yīng)的傾斜，即遮光層106在第二方向y上相對(duì)的兩個(gè)邊緣的延伸方向與溝道區(qū)域C的延伸方向R平行，因而如圖9所示，相鄰兩個(gè)子像素的遮光層106圖形相對(duì)的長(zhǎng)度變小，遮光層圖形間的曝光量也得到有效的增加。

上述實(shí)施例中，有源層為反置的L形圖案，而在本發(fā)明其他可選的實(shí)施方式中，有源層也可以為U形圖案。請(qǐng)參考圖10和圖11，圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種陣列基板的局部俯視示意圖，圖11是圖10中部分膜層的俯視示意圖。本實(shí)施例中，薄膜晶體管103為頂柵結(jié)構(gòu)，掃描線101包括柵極，即柵極可以是掃描線101的一部分，有源層1031為U形圖案，在垂直于該列基板的方向上，U形圖案包括在第二方向y相對(duì)的兩個(gè)條狀子圖案和連接這兩個(gè)條狀子圖案的連接圖案，這兩個(gè)條狀子圖案與掃描線101交疊形成兩個(gè)溝道區(qū)域C。本實(shí)施例中，U形圖案的有源層1031形成兩個(gè)溝道區(qū)域C，相當(dāng)于形成雙柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，能夠減小薄膜晶體管的漏電流，特別是對(duì)于低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，簡(jiǎn)稱LTPS)技術(shù)的薄膜晶體管，漏電流的大小是一個(gè)重要指標(biāo)，需要降低漏電流的產(chǎn)生。本實(shí)施例中，對(duì)于U形圖案的有源層1031，相鄰兩個(gè)子像素的薄膜晶體管中同種膜層結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)圖形之間的距離相對(duì)更小，如相鄰子像素的遮光層之間距離和有源層之間的距離相較圖7所示的實(shí)施例更小。由于設(shè)置溝道區(qū)域C的延伸方向R相對(duì)于第一方向x具有一定的傾斜，使得相鄰子像素的這些圖形間的相對(duì)長(zhǎng)度變小，圖形間的曝光量得到增加，從而增加了曝光穩(wěn)定性，提高了陣列基板的制作成功率。此外，在本實(shí)施例中，由于有源層1031為U形圖案，薄膜晶體管103的源漏極與有源層通過(guò)過(guò)孔(圖中未示出)連接時(shí)，薄膜晶體管103的漏極過(guò)孔圖形與相鄰薄膜晶體管103的源極過(guò)孔圖形之間的相對(duì)長(zhǎng)度也會(huì)變小，從而也可以增加過(guò)孔制程時(shí)的曝光穩(wěn)定性。

請(qǐng)參考圖12-圖14，圖12是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種陣列基板的局部俯視示意圖，圖13是圖12中沿cc’方向的剖視示意圖，圖14是圖10中部分膜層的俯視示意圖。本實(shí)施例中，每個(gè)子像素還包括像素電極104和公共電極105(圖2中未示出)，像素電極104位于公共電極105遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)，像素電極104包括至少一個(gè)子電極，即像素子電極1040，圖2中示意性地示出了兩個(gè)像素子電極1040，公共電極105則可以是板狀電極，以形成邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)(Fringe Filed Switching，簡(jiǎn)稱FFS)模式的陣列基板。與圖10所示的實(shí)施例不同的是，像素子電極1040的延伸方向P1與第一方向x具有第二夾角β，第二夾角β大于0°且小于等于20°。

圖12-圖14示出的陣列基板中，像素電極104位于公共電極105遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)，像素電極104包括至少一個(gè)子電極。在本發(fā)明的另一個(gè)可選的實(shí)施方式中，如圖15-圖17所示，圖15是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的局部俯視示意圖，圖16是圖15中沿dd’方向的剖視示意圖，圖17是圖15中部分膜層的俯視示意圖，還可以是公共電極105位于像素電極104(圖未示出)遠(yuǎn)離襯底基板100的一側(cè)，公共電極105包括至少一個(gè)子電極，即公共子電極1050，像素電極104則可以是板狀電極，以形成邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)(Fringe Filed Switching，簡(jiǎn)稱FFS)模式的陣列基板。公共子電極1050的延伸方向P2與第一方向x具有第二夾角β，第二夾角β大于0°且小于等于20°

在本發(fā)明的又一個(gè)可選的實(shí)施方式中，如圖18-圖20所示，圖18是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種陣列基板的局部俯視示意圖，圖19是圖18中沿ee’方向的剖視示意圖，圖20是圖18中部分膜層的俯視示意圖，還可以是像素電極104和公共電極105均包括至少一個(gè)子電極，像素電極104的子電極(像素子電極1040)和公共電極105的子電極(公共子電極1050)交替間隔排布，以形成面內(nèi)轉(zhuǎn)換(In-Plane Switching，簡(jiǎn)稱IPS)模式的陣列基板。像素子電極1040和公共子電極1050的延伸方向P3與第一方向x具有第二夾角β，第二夾角β大于0°且小于等于20°。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，對(duì)于IPS模式的陣列基板，像素電極104和公共電極105可以同層設(shè)置，如圖19所示，也可以不同層設(shè)置。

需要說(shuō)明的是，上述圖12-圖20所示的實(shí)施例中，設(shè)置子電極的延伸方向與第一方向x具有第二夾角β，使得子電極的延伸方向相對(duì)于第一方向x具有一定的傾斜，有利于顯示視角的變寬。此外，如圖12-圖20所示，子電極延伸方向上的兩端還可以分別設(shè)置有拐角部，以提高抗顯示不均能力，進(jìn)一步增強(qiáng)顯示效果。

可選的，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，溝道C的延伸方向R與上述子電極的延伸方向平行，即第一夾角α等于第二夾角β，這可以使得薄膜晶體管中膜層結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)圖形相對(duì)于第一方向x的傾斜角度與子電極相對(duì)于第一方向x的傾斜角度一致，便于工藝上的設(shè)計(jì)和制作。

進(jìn)一步可選的，第二夾角β大于等于5°且小于等于10°。當(dāng)?shù)诙A角β大于等于5°且小于等于10°時(shí)，顯示視角的變寬效果更好。

可選的，在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在第一方向上相鄰的兩個(gè)子像素的像素電極和/或公共電極的子電極的延伸方向關(guān)于第二方向呈軸對(duì)稱。以子電極為像素子電極為例，如圖21和22所示，圖21是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種陣列基板的局部俯視示意圖，圖22是圖21中部分膜層的俯視示意圖。本實(shí)施例中，與圖12所示的實(shí)施例不同的是，在第一方向x上相鄰的兩個(gè)子像素的像素子電極1040的延伸方向P1和P1’關(guān)于第二方向y呈軸對(duì)稱，即子像素形成偽雙疇結(jié)構(gòu)。對(duì)于偽雙疇結(jié)構(gòu)，相鄰兩行子像素形成偽雙疇結(jié)構(gòu)，而不是在一個(gè)子像素中形成雙疇結(jié)構(gòu)，從而既實(shí)現(xiàn)了相對(duì)單疇結(jié)構(gòu)顯示的寬視角，又消除了雙疇結(jié)構(gòu)中子像素內(nèi)的中部疇錯(cuò)暗區(qū)，提高了整體顯示的穿透率，同時(shí)，相對(duì)于雙疇結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化子像素內(nèi)像素電極與公共電極的結(jié)構(gòu)，可以根據(jù)實(shí)際需要將陣列基板設(shè)計(jì)成更高的分辨率。本實(shí)施例中，發(fā)明人經(jīng)模擬研究發(fā)現(xiàn)，當(dāng)?shù)谝粖A角α＝10°時(shí)，和現(xiàn)有的溝道區(qū)域延伸方向與第一方向平行的陣列基板相比，開(kāi)口率增加了約3％。

進(jìn)一步地，在圖21所示的偽雙疇結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，如圖23和圖24所示，圖23是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的局部俯視示意圖，圖24是圖23中部分膜層的俯視示意圖，每條數(shù)據(jù)線102包括多個(gè)數(shù)據(jù)線段1020，每個(gè)數(shù)據(jù)線段1020對(duì)應(yīng)一個(gè)子像素，每個(gè)子像素對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線段1020與這個(gè)子像素的像素電極104相鄰，數(shù)據(jù)線段1020的延伸方向Q與第一方向x具有第三夾角γ，第二夾角γ大于0°且小于等于20°，以減小數(shù)據(jù)線102與子電極的不同位置之間的耦合差異。進(jìn)一步地，第三夾角γ可選地等于第二夾角β，即數(shù)據(jù)線段1020的延伸方向Q與對(duì)應(yīng)的子像素的子電極(本實(shí)施例中為像素子電極1040)的延伸方向P平行，可以使得數(shù)據(jù)線段1020與對(duì)應(yīng)的像素子電極1040的距離保持一致，從而進(jìn)一步防止數(shù)據(jù)線102與像素子電極1040的不同位置之間的耦合不同而影響顯示效果。

在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上，每條所述掃描線包括多個(gè)掃描線段，每個(gè)掃描線段對(duì)應(yīng)一個(gè)子像素，每個(gè)子像素的薄膜晶體管的柵極連接該子像素對(duì)應(yīng)的掃描線段，掃描線段的延伸方向與對(duì)應(yīng)的所述子像素的溝道區(qū)域的延伸方向垂直。以圖25和圖26為例，圖25是本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種陣列基板的局部俯視示意圖，圖26是圖25中部分膜層的俯視示意圖。本實(shí)施例中，每條掃描線101包括多個(gè)掃描線段1010，每個(gè)掃描線段1010對(duì)應(yīng)一個(gè)子像素，每個(gè)子像素的薄膜晶體管103的柵極連接子像素對(duì)應(yīng)的掃描線段1010，掃描線段1010的延伸方向S與對(duì)應(yīng)的子像素的溝道區(qū)域C的延伸方向R垂直，這種結(jié)構(gòu)使得溝道區(qū)域C保持為矩形，不僅能夠減少遮光層材料的使用，而且使得該陣列基板的薄膜晶體管103中各膜層的尺寸可以保持和現(xiàn)有的溝道區(qū)域延伸方向?yàn)榈谝环较虻谋∧ぞw管中膜層的尺寸一致，方便工藝上的設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化成本。

上述圖10-圖26所示的實(shí)施例中，每個(gè)遮光層106為一個(gè)獨(dú)立的遮光圖案，遮光圖案在襯底基板上的正投影完全覆蓋兩個(gè)溝道區(qū)域C在所述襯底基板上的正投影。對(duì)于PPI特別高的產(chǎn)品，同一個(gè)薄膜晶體管103的兩個(gè)溝道區(qū)域C之間的距離已經(jīng)非常近，設(shè)置這兩個(gè)溝道區(qū)域C共用一個(gè)遮光圖案，可以簡(jiǎn)化工藝難度。

在本發(fā)明的另一個(gè)可選的實(shí)施方式中，每個(gè)遮光層可以包括兩個(gè)互相絕緣的遮光圖案，每個(gè)遮光圖案在襯底基板上的正投影完全覆蓋一個(gè)溝道區(qū)域在襯底基板上的正投影。以圖27為例，是本發(fā)明實(shí)施例提供的再一種陣列基板的局部俯視示意圖。本實(shí)施例中，與圖25所示的實(shí)施例不同的是，每個(gè)遮光層106包括兩個(gè)互相絕緣的遮光圖案1060，每個(gè)遮光圖案1060在襯底基板上的正投影分別完全覆蓋一個(gè)溝道區(qū)域C在襯底基板上的正投影。當(dāng)同一個(gè)薄膜晶體管103的兩個(gè)溝道區(qū)域C之間的距離能夠滿足工藝制程中的曝光精度時(shí)，則可以這兩個(gè)溝道區(qū)域C對(duì)應(yīng)的遮光圖案1060相互獨(dú)立，以進(jìn)一步防止遮光圖案1060上的靜電累積對(duì)薄膜晶體管103的性能造成不良影響。

可以理解的是，上述實(shí)施例提供的陣列基板具有諸多相同之處，其相同之處在后續(xù)附圖中沿用相同的附圖標(biāo)記，且相同之處不再贅述。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，圖28是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖28，該顯示面板包括本發(fā)明任意實(shí)施例提供的陣列基板300。該顯示面板還包括與陣列基板300相對(duì)設(shè)置的彩膜基板400，以及位于陣列基板300和彩膜基板400之間的液晶層500。顯示時(shí)，陣列基板300上的像素電極與公共電極之間形成電場(chǎng)，以控制液晶層500中液晶分子的旋轉(zhuǎn)，而達(dá)到顯示功能。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，圖29是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖29，該顯示裝置包括本發(fā)明任意實(shí)施例提供的顯示面板600。本實(shí)施例中，該顯示裝置是手機(jī)，在本發(fā)明其他可選的實(shí)施例中，該顯示裝置還可以是平板電腦、筆記本、顯示器等任意具備顯示功能的設(shè)備。

以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板、顯示面板及顯示裝置進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。