本發(fā)明涉及顯示面板的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基板及其制作方法、顯示面板。

背景技術(shù)：

目前，在形成陣列基板時(shí)，包括在襯底基板上形成薄膜晶體管(TFT)的圖形，然后在薄膜晶體管的源漏金屬層上方形成鈍化層，且鈍化層中包括貫穿鈍化層的過(guò)孔，然后在鈍化層之上形成像素電極(ITO)的圖形，且像素電極通過(guò)鈍化層中的過(guò)孔與源漏金屬層電性相連。

一般地，鈍化層的材質(zhì)通常采用氮化硅SiNx進(jìn)行制作，由于含有氮化硅的密度不同，鈍化層包括三層結(jié)構(gòu)，按照從下到上的順序依次包括過(guò)渡層、主體層和頂層。其中，過(guò)渡層為了避免鈍化層中的主體層與位于源漏金屬層與過(guò)渡層之間的像素電極層直接相連造成的黑點(diǎn)不良現(xiàn)象，鈍化層中的主體層為了作為刻蝕鈍化層時(shí)的緩沖層，使刻蝕鈍化層時(shí)過(guò)孔形成一定的坡度角和尺寸。一般地，過(guò)渡層的刻蝕速率大于主體層的刻蝕速率，頂層的刻蝕速率也大于主體層的刻蝕速率，因此，在采用活性等離子體對(duì)鈍化層進(jìn)行刻蝕時(shí)，頂層較疏松比較容易使等離子體進(jìn)入，達(dá)到刻蝕的目的，但是當(dāng)刻蝕到過(guò)渡層時(shí)由于刻蝕速率大于主體的刻蝕速率，使得過(guò)孔在過(guò)渡層形成底切結(jié)構(gòu)，如圖1所示。

參見(jiàn)圖1，陣列基板包括襯底基板01，設(shè)置在襯底基板01上的源漏金屬層02，設(shè)置在源漏金屬層02之上的鈍化層03，鈍化層按照依次遠(yuǎn)離襯底基板的方向包括：過(guò)渡層031、主體層032和頂層033，其中，鈍化層中包括過(guò)孔04，過(guò)孔具有底切結(jié)構(gòu)041，陣列基板還包括設(shè)置在鈍化層之上的像素電極05。從圖1中可見(jiàn)，像素電極由于底切結(jié)構(gòu)的存在，在過(guò)孔處形成斷層，從而導(dǎo)致陣列基板不能正常顯示，降低TFT產(chǎn)品的良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種基板及其制作方法、顯示面板，用以對(duì)具有底切結(jié)構(gòu)的過(guò)孔進(jìn)行處理，從而避免由于底切結(jié)構(gòu)的存在造成的斷層現(xiàn)象。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基板的制作方法，包括：

在襯底基板上依次形成金屬層、絕緣層的圖形，所述絕緣層中包括貫穿所述絕緣層的過(guò)孔，所述過(guò)孔包括第一區(qū)域，所述第一區(qū)域具有底切結(jié)構(gòu)；

在所述絕緣層之上形成光刻膠層，使所述光刻膠層至少填平所述第一區(qū)域；

去除除了所述第一區(qū)域中被所述底切結(jié)構(gòu)遮擋的光刻膠之外的光刻膠，使保留部分光刻膠的第一區(qū)域與水平方向的坡度角小于或等于90°。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板的制作方法中，在所述絕緣層之上形成光刻膠層之后且在去除除了所述第一區(qū)域中被所述底切結(jié)構(gòu)遮擋的光刻膠之外的光刻膠之前，該方法還包括：

對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行軟烘處理。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板的制作方法中，所述軟烘處理的溫度為90°-100°。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板的制作方法中，所述軟烘處理的時(shí)間為10-30min。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板的制作方法中，去除除了所述第一區(qū)域中被所述底切結(jié)構(gòu)遮擋的光刻膠之外的光刻膠，包括：

采用等離子體刻蝕工藝對(duì)所述除了所述第一區(qū)域中被所述底切結(jié)構(gòu)遮擋的光刻膠之外的光刻膠進(jìn)行刻蝕。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板的制作方法中，所述保留部分光刻膠的第一區(qū)域與水平方向的坡度角的大小由所述采用等離子體刻蝕的速率確定。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種基板，包括：設(shè)置在襯底基板上的金屬層；

設(shè)置在所述金屬層之上的絕緣層，所述絕緣層中包括貫穿所述絕緣層的過(guò)孔，所述過(guò)孔具有第一區(qū)域，第一區(qū)域具有底切結(jié)構(gòu)；

設(shè)置在所述第一區(qū)域被所述底切結(jié)構(gòu)遮擋的光刻膠，且具有光刻膠的第一區(qū)域與水平方向的坡度角小于或等于90°。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板中，所述絕緣層為鈍化層。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板中，所述基板還包括：

設(shè)置在所述鈍化層之上的像素電極，所述像素電極通過(guò)所述過(guò)孔與所述金屬層電性相連。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板中，所述金屬層為有源層，所述絕緣層為柵極絕緣層和層間介質(zhì)層。

在一種可能的實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板中，所述基板還包括：

設(shè)置在所述柵極絕緣層和層間介質(zhì)層之上的源漏極，所述源漏極通過(guò)所述過(guò)孔與所述有源層電連接。

相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種的基板。

本發(fā)明有益效果如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基板及其制作方法、顯示面板，所述基板的制作方法包括：在襯底基板上依次形成金屬層、絕緣層的圖形，絕緣層中包括貫穿所述絕緣層的過(guò)孔，所述過(guò)孔包括第一區(qū)域，所述第一區(qū)域具有底切結(jié)構(gòu)；在絕緣層之上形成光刻膠層，使光刻膠層至少填平第一區(qū)域；去除除了第一區(qū)域中被所述底切結(jié)構(gòu)遮擋的光刻膠之外的光刻膠，使保留部分光刻膠的第一區(qū)域與水平方向的坡度角小于或等于90°。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的基板的制作方法中，通過(guò)采用光刻膠對(duì)具有底切結(jié)構(gòu)的過(guò)孔進(jìn)行填充處理后，再進(jìn)行去除處理，使得過(guò)孔中具有光刻膠的第一區(qū)域與水平方向的坡度角小于或等于90°，從而避免了后續(xù)在該過(guò)孔處形成膜層后產(chǎn)生的斷層現(xiàn)象。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基板的制作方法的流程示意圖；

圖3(a)-圖3(d)分別為本發(fā)明實(shí)施例提供的基板的制作方法在每步執(zhí)行后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的第三種基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種基板及其制作方法、顯示面板，用以對(duì)具有底切結(jié)構(gòu)的過(guò)孔進(jìn)行處理，從而避免由于底切結(jié)構(gòu)的存在造成的斷層現(xiàn)象。

下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的基板及其制作方法、顯示面板的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。

附圖中各膜層的厚度和形狀不反映真實(shí)比例，目的只是示意說(shuō)明本發(fā)明內(nèi)容。

參見(jiàn)圖2，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基板的制作方法，包括：

S201、在襯底基板上依次形成金屬層、絕緣層的圖形，絕緣層中包括貫穿絕緣層的過(guò)孔，過(guò)孔包括第一區(qū)域，第一區(qū)域具有底切結(jié)構(gòu)；

S202、在絕緣層之上形成光刻膠層，使光刻膠層至少填平第一區(qū)域；

S203、去除除了第一區(qū)域中被底切結(jié)構(gòu)遮擋的光刻膠之外的光刻膠，使保留部分光刻膠的第一區(qū)域與水平方向的坡度角小于或等于90°。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基板的制作方法包括：在襯底基板上依次形成金屬層、絕緣層的圖形，絕緣層中包括貫穿所述絕緣層的過(guò)孔，所述過(guò)孔包括第一區(qū)域，所述第一區(qū)域具有底切結(jié)構(gòu)；在絕緣層之上形成光刻膠層，使光刻膠層至少填平第一區(qū)域；去除除了第一區(qū)域中被所述底切結(jié)構(gòu)遮擋的光刻膠之外的光刻膠，使保留部分光刻膠的第一區(qū)域與水平方向的坡度角小于或等于90°。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的基板的制作方法中，通過(guò)采用光刻膠對(duì)具有底切結(jié)構(gòu)的過(guò)孔進(jìn)行填充處理后，再進(jìn)行去除處理，使得過(guò)孔中具有光刻膠的第一區(qū)域與水平方向的坡度角小于或等于90°，從而避免了后續(xù)在該過(guò)孔處形成膜層后產(chǎn)生的斷層現(xiàn)象。

本發(fā)明實(shí)施例中的過(guò)孔形成在絕緣層中，絕緣層包括鈍化層，或者多個(gè)膜層組成的結(jié)構(gòu)。如，當(dāng)金屬層為源漏金屬層時(shí)，絕緣層為鈍化層，鈍化層的制作一般采用氮化硅，且在形成鈍化層時(shí)包括三層不同密度的氮化硅的膜層，由于密度不同，刻蝕的速度不同，從而形成具有底切結(jié)構(gòu)的過(guò)孔。當(dāng)金屬層為有源層時(shí)，絕緣層包括柵極絕緣層和層間介質(zhì)層，在柵極絕緣層和層間介質(zhì)層中形成貫穿柵極絕緣層和層間介質(zhì)層的過(guò)孔，也會(huì)形成底切結(jié)構(gòu)。因此，為了避免在具有底切結(jié)構(gòu)的過(guò)孔中形成膜層后形成斷層的現(xiàn)象，均可以采用本發(fā)明實(shí)施例提供的方法對(duì)過(guò)孔進(jìn)行填充處理。

具體地，在對(duì)具有底切結(jié)構(gòu)的過(guò)孔上形成光刻膠層時(shí)，先對(duì)具有底切結(jié)構(gòu)過(guò)孔的基板進(jìn)行清洗，然后在基板上形成光刻膠層，可以采用涂覆的工藝形成光刻膠層，或者采用其他工藝，在此不做具體限定。其中，光刻膠層的厚度可以為1um-2um?；蛘吒鶕?jù)底切結(jié)構(gòu)的厚度確定涂覆光刻膠層的厚度，保證光刻膠層的厚度大于底切結(jié)構(gòu)的厚度，使得光刻膠至少填平底切結(jié)構(gòu)。光刻膠一般采用有機(jī)溶劑、聚合物和光敏劑組成的溶液，且溶劑的含量一般為20％-30％。

在具體實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板的制作方法中，步驟S202在絕緣層之上形成光刻膠層之后且在步驟S203去除除了第一區(qū)域中被底切結(jié)構(gòu)遮擋的光刻膠之外的光刻膠之前，該方法還包括：對(duì)光刻膠層進(jìn)行軟烘處理。具體地，為了使的光刻膠能夠填滿底切結(jié)構(gòu)，可以對(duì)光刻膠層進(jìn)行軟烘處理，通過(guò)對(duì)光刻膠層的軟烘處理，光刻膠具有更好的流動(dòng)性。在對(duì)光刻膠層的軟烘處理中，光刻膠中的溶劑蒸發(fā)，增強(qiáng)了光刻膠的光敏特性，而且還能通過(guò)光刻膠的回流特性使光刻膠層表面平坦化，消除輕微的缺陷。因此，本發(fā)明實(shí)施例中通過(guò)對(duì)光刻膠層進(jìn)行軟烘處理，進(jìn)一步增加了光刻膠的流動(dòng)性，使得光刻膠能夠填充到底切結(jié)構(gòu)的倒角內(nèi)。

在具體實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板的制作方法中，軟烘處理的溫度為90°-100°。具體地，在對(duì)光刻膠層進(jìn)行軟烘處理時(shí)，如果軟烘的溫度過(guò)高，則光刻膠會(huì)因?yàn)闅怏w揮發(fā)過(guò)快而固化，導(dǎo)致光刻膠的回流特性較差，若軟烘的溫度過(guò)低，則光刻膠會(huì)因?yàn)闅怏w未揮發(fā)，導(dǎo)致光刻膠依然沒(méi)有回流特性。因此，在對(duì)光刻膠層進(jìn)行軟烘處理時(shí)，需要將溫度控制在一定范圍內(nèi)，使得光刻膠具有回流特性而又不能固化，軟烘溫度對(duì)光刻膠的回流特性的影響是一個(gè)比較重要的因素。本發(fā)明實(shí)施例提供了一個(gè)較佳的軟烘處理的溫度范圍，但不限于僅能在90°-100°之間進(jìn)行軟烘處理，可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)定。

在具體實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板的制作方法中，軟烘處理的時(shí)間為10-30min。具體地，在對(duì)光刻膠層進(jìn)行軟烘處理時(shí)，如果軟烘的時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，則揮發(fā)的氣體過(guò)多而導(dǎo)致光刻膠固化，導(dǎo)致光刻膠的回流特性較差，若軟烘的時(shí)間過(guò)短，則揮發(fā)的氣體過(guò)少而導(dǎo)致回流特性較差。因此，軟烘處理的時(shí)間對(duì)光刻膠的回流特性也是非常重要的因素。本發(fā)明實(shí)施例提供了一個(gè)較佳的軟烘處理的時(shí)間，但不限于僅能軟烘10-30min，可以根據(jù)實(shí)際情況具體設(shè)置。在此不做具體限定。

在具體實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板的制作方法中，步驟S203去除除了第一區(qū)域中被底切結(jié)構(gòu)遮擋的光刻膠之外的光刻膠，包括：采用等離子體刻蝕工藝對(duì)除了第一區(qū)域中被底切結(jié)構(gòu)遮擋的光刻膠之外的光刻膠進(jìn)行刻蝕。具體地，在對(duì)光刻膠進(jìn)行刻蝕時(shí)，采用等離子體刻蝕，從而減少了采用對(duì)光刻膠的曝光、顯影的過(guò)程，從而簡(jiǎn)化了工藝。且本發(fā)明實(shí)施例中對(duì)光刻膠層進(jìn)行等離子體刻蝕時(shí)，由于底切結(jié)構(gòu)的遮擋，使得底切結(jié)構(gòu)中倒角內(nèi)的光刻膠不會(huì)被刻蝕掉，從而使得底切結(jié)構(gòu)中保留部分光刻膠。其中，在采用等離子體對(duì)光刻膠層進(jìn)行刻蝕時(shí)，可以采用在氧氣的環(huán)境下進(jìn)行灰化，灰化的過(guò)程即是對(duì)光刻膠的刻蝕過(guò)程。由于采用等離子體刻蝕工藝，可以使得底切結(jié)構(gòu)中倒角內(nèi)的光刻膠形成一定坡度，從達(dá)到對(duì)底切結(jié)構(gòu)的改善。

在具體實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板的制作方法中，保留部分光刻膠的第一區(qū)域與水平方向的坡度角的大小由采用等離子體刻蝕的速率確定。具體地，為了控制保留部分光刻膠的第一區(qū)域與水平方向的坡度角小于或等于90°，需要控制等離子體刻蝕光刻膠的速度，即控制等離子體灰化的參數(shù)進(jìn)行控制，若速度越大，形成的坡度角越大，速度越小，形成的坡度角越小。

具體地，通過(guò)本發(fā)明實(shí)施例提供的方法對(duì)具有底切結(jié)構(gòu)的過(guò)孔進(jìn)行改善后，使得后續(xù)在改善后的過(guò)孔處形成像素電極，或者陽(yáng)極金屬層等膜層時(shí)，避免出現(xiàn)斷層的現(xiàn)象，從而提高了產(chǎn)品的良率。

下面通過(guò)具體實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明實(shí)施例提供的基板的制作方法。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種基板的制作方法，包括：

步驟一，在襯底基板01上依次形成源漏金屬層02和鈍化層03的圖形，其中鈍化層03按照依次遠(yuǎn)離襯底基板的方向包括過(guò)渡層031、主體層032和頂層033，其中，鈍化層中包括過(guò)孔04，過(guò)孔具有底切結(jié)構(gòu)041，底切結(jié)構(gòu)形成在過(guò)渡層031，如圖3(a)所示；

步驟二，在鈍化層03上形成光刻膠層06，并對(duì)光刻膠層進(jìn)行軟烘處理，使得光刻膠層填平底切結(jié)構(gòu)041，如圖3(b)所示；

步驟三，采用等離子體刻蝕工藝對(duì)光刻膠層06進(jìn)行刻蝕，使得被底切結(jié)構(gòu)041遮擋的倒角內(nèi)保留部分光刻膠061，且保留部分光刻膠的底切結(jié)構(gòu)與水平方向的坡度角小于或等于90°，如圖3(c)所示；

步驟四，在光刻膠之上形成像素電極07的圖形，且像素電極07通過(guò)過(guò)孔與源漏金屬層電連接，如圖3(d)所示。

基于同一發(fā)明思想，參見(jiàn)圖4，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種基板，包括：設(shè)置在襯底基板01上的金屬層11；設(shè)置在金屬層11之上的絕緣層12，絕緣層12中包括貫穿絕緣層的過(guò)孔04，過(guò)孔04具有第一區(qū)域，第一區(qū)域具有底切結(jié)構(gòu)041；設(shè)置在第一區(qū)域被底切結(jié)構(gòu)遮擋的光刻膠061，且具有光刻膠061的第一區(qū)域與水平方向的坡度角小于或等于90°。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的基板可以用于實(shí)現(xiàn)顯示的陣列基板，或者采用自發(fā)光結(jié)構(gòu)的OLED顯示面板中的基板。

本發(fā)明實(shí)施例提供的基板，包括設(shè)置在基板的絕緣層中形成的貫穿絕緣層的過(guò)孔，且過(guò)孔的第一區(qū)域具有底切結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在底切結(jié)構(gòu)中的光刻膠，具有底切結(jié)構(gòu)的過(guò)孔在被光刻膠填充，使得具有光刻膠061的第一區(qū)域與水平方向的坡度角小于或等于90°，從而避免了后續(xù)在該過(guò)孔處形成膜層后產(chǎn)生的斷層現(xiàn)象。

在具體實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板中，絕緣層為鈍化層。具體地，絕緣層為鈍化層時(shí)，參見(jiàn)圖5，本發(fā)明實(shí)施例中的基板包括：襯底基板01，設(shè)置在襯底基板上的源極021和漏極022，設(shè)置在源極021和漏極022之上的鈍化層03，鈍化層中包括過(guò)孔04，過(guò)孔具有底切結(jié)構(gòu)的倒角處具有光刻膠061。

在具體實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板中，參見(jiàn)圖5，基板還包括：設(shè)置在鈍化層03之上的像素電極07，像素電極07通過(guò)過(guò)孔04與漏極022電性相連。具體地，針對(duì)OLED顯示面板中基板，在鈍化層之上形成與漏極電連接的陽(yáng)極金屬層。

在具體實(shí)施方式中，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述基板中，金屬層為有源層，絕緣層為柵極絕緣層和層間介質(zhì)層?；暹€包括：設(shè)置在柵極絕緣層和層間介質(zhì)層之上的源漏極，源漏極通過(guò)過(guò)孔與有源層電連接。具體地，參見(jiàn)圖6，基板包括襯底基板01，設(shè)置在襯底基板之上的有源層21，設(shè)置在有源層之上的柵極絕緣層22、柵極23、層間介質(zhì)層24，在層間介質(zhì)層和柵極絕緣層中形成貫穿層間介質(zhì)層和柵極絕緣層的第一過(guò)孔041和第二過(guò)孔042，分別在第一過(guò)孔041和第二過(guò)孔042處形成源極021和漏極022的圖形，其中由于形成第一過(guò)孔和第二過(guò)孔均是在兩層膜層中形成，容易形成底切結(jié)構(gòu)，因此，在第一過(guò)孔和第二過(guò)孔的底切結(jié)構(gòu)的倒角處分別設(shè)置有光刻膠061，從而使得避免形成的源極和漏極出現(xiàn)斷層的現(xiàn)象。

基于同一發(fā)明思想，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種的基板。本發(fā)明實(shí)施例中的顯示面板包括液晶顯示面板和OLED顯示面板。本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板的具體實(shí)施例，參見(jiàn)上述基板的和基板的制作方法的具體實(shí)施例，相同之處，在此不再贅述。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供基板的制作方法包括：在襯底基板上依次形成金屬層、絕緣層的圖形，絕緣層中包括貫穿所述絕緣層的過(guò)孔，所述過(guò)孔包括第一區(qū)域，所述第一區(qū)域具有底切結(jié)構(gòu)；在絕緣層之上形成光刻膠層，使光刻膠層至少填平第一區(qū)域；去除除了第一區(qū)域中被所述底切結(jié)構(gòu)遮擋的光刻膠之外的光刻膠，使保留部分光刻膠的第一區(qū)域與水平方向的坡度角小于或等于90°。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的基板的制作方法中，通過(guò)采用光刻膠對(duì)具有底切結(jié)構(gòu)的過(guò)孔進(jìn)行填充處理后，再進(jìn)行去除處理，使得過(guò)孔中具有光刻膠的第一區(qū)域與水平方向的坡度角小于或等于90°，從而避免了后續(xù)在該過(guò)孔處形成膜層后產(chǎn)生的斷層現(xiàn)象。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。