本發(fā)明的實(shí)施例一般地涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示基板及其制造方法以及顯示裝置。

背景技術(shù)：

在當(dāng)前顯示基板的設(shè)計(jì)過程中，在顯示基板的環(huán)繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域中，位于不同層中的由導(dǎo)電材料形成的第一信號線與第二信號線可能相互交叉。為了使第一信號線與第二信號線保持絕緣，在第一信號線與第二信號線之間設(shè)置有絕緣層。然而，在顯示基板的制造、運(yùn)輸或者使用的過程中，第一信號線或第二信號線上會產(chǎn)生靜電荷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種新型的顯示基板及其制造方法、以及顯示裝置，能夠有效地釋放靜電，在節(jié)省設(shè)計(jì)空間的同時保持第一信號線與第二信號線之間的絕緣，防止發(fā)生因靜電擊穿導(dǎo)致的故障。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一方面，提供一種顯示基板，其包括顯示區(qū)域和環(huán)繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括：

位于襯底基板上的第一信號線、絕緣層和多條平行設(shè)置的第二信號線，所述第一信號線和所述第二信號線在所述襯底基板上的投影相互交叉，所述絕緣層使所述第一信號線與所述第二信號線彼此絕緣，

其中，相鄰兩條平行設(shè)置的第二信號線之間包括與所述第二信號線同層且平行設(shè)置的虛設(shè)電極，并且所述虛設(shè)電極與所述絕緣層之間設(shè)置有半導(dǎo)體層，所述虛設(shè)電極在所述襯底基板上的投影位于所述半導(dǎo)體層在所述襯底基板上的投影內(nèi)。

根據(jù)該方面，在相鄰兩條平行設(shè)置的第二信號線之間包括與第二信號線同層且平行設(shè)置的虛設(shè)電極，并且在虛設(shè)電極與絕緣層之間設(shè)置半導(dǎo)體層，虛設(shè)電極在襯底基板上的投影位于半導(dǎo)體層在襯底基板上的投影內(nèi)。相比于位于虛設(shè)電極相反兩側(cè)的第二信號線與第一信號線之間僅具有絕緣層的結(jié)構(gòu)，虛設(shè)電極與第一信號線之間除了絕緣層之外還添加有半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)更容易將靜電荷吸引過來，在虛設(shè)電極和半導(dǎo)體層所在的位置處的絕緣層發(fā)生靜電擊穿而使虛設(shè)電極與第一信號線連接。由于虛設(shè)電極和半導(dǎo)體層的疊層與其兩側(cè)的第二信號線平行設(shè)置，即使虛設(shè)電極和半導(dǎo)體層的疊層與第一信號線之間的絕緣層被擊穿，也不影響其兩側(cè)的第二信號線與第一信號線之間的絕緣。因此，可以在不使用靜電環(huán)的情況下有效地釋放靜電，這樣既節(jié)省了設(shè)計(jì)空間又能夠保持第一信號線與第二信號線之間的絕緣，防止發(fā)生因第一信號線與第二信號線之間的絕緣層的靜電擊穿而導(dǎo)致的故障。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，所述半導(dǎo)體層由硅、鍺、硅鍺合金、硅碳合金、硅鍺碳合金、碳基半導(dǎo)體、II-VI族化合物半導(dǎo)體材料、III-V族化合物半導(dǎo)體材料、氧化物半導(dǎo)體材料、有機(jī)半導(dǎo)體材料中的至少一種材料形成。根據(jù)該實(shí)施例，這些半導(dǎo)體材料具有優(yōu)良的半導(dǎo)電特性，易于吸引靜電荷而抑制其兩側(cè)的第二信號線與第一信號線之間的絕緣層上的電荷積累，保護(hù)第二信號線。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，所述半導(dǎo)體層由非晶硅、多晶硅、單晶硅中的至少一種材料形成。根據(jù)該實(shí)施例，作為半導(dǎo)體層的構(gòu)成材料，非晶硅、多晶硅、單晶硅因容易制備而降低顯示基板的成本，且因靜電荷吸引特性優(yōu)良而能夠進(jìn)一步提高顯示基板的靜電釋放能力。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，所述第一信號線與柵線同層設(shè)置且材料相同，所述虛設(shè)電極與源/漏電極同層設(shè)置且材料相同。根據(jù)該示例性實(shí)施例，可以方便靈活地與柵線一起形成第一信號線且與源/漏電極一起形成虛設(shè)電極，不需要為第一信號線和虛設(shè)電極單獨(dú)設(shè)計(jì)掩模版和額外的制造工藝，從而可以降低顯示基板的成本。

根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例，所述第一信號線與源/漏電極同層設(shè)置且材料相同，所述虛設(shè)電極與柵線同層設(shè)置且材料相同。根據(jù)該示例性實(shí)施例，可以方便靈活地與源/漏電極一起形成第一信號線且與柵線一起形成虛設(shè)電極，不需要為第一信號線和虛設(shè)電極單獨(dú)設(shè)計(jì)掩模版和額外的制造工藝，從而可以降低顯示基板的成本。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，所述虛設(shè)電極和所述半導(dǎo)體層位于所述非顯示區(qū)域的至少一側(cè)。根據(jù)該示例性實(shí)施例，能夠在非顯示區(qū)域的至少一側(cè)提供靜電釋放保護(hù)，并節(jié)省空間。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第二方面，提供一種顯示裝置，其包括根據(jù)上述第一方面的顯示基板。

根據(jù)該方面，由于上述顯示基板具有靜電釋放單元，可以使得包括上述顯示基板的顯示裝置在不使用靜電環(huán)的情況下有效地釋放靜電，既節(jié)省了設(shè)計(jì)空間又能夠保持第一信號線與第二信號線之間的絕緣，防止發(fā)生因第一信號線與第二信號線之間的絕緣層的靜電擊穿而導(dǎo)致的故障。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第三方面，提供一種顯示基板的制造方法，所述顯示基板包括顯示區(qū)域和環(huán)繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域，該制造方法包括：

在所述非顯示區(qū)域中，在襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成第一信號線的圖形；

在所述第一信號線上方形成絕緣層；

在所述絕緣層上方通過構(gòu)圖工藝形成多條平行的第二信號線的圖形、以及位于相鄰兩條平行的第二信號線之間且與所述第二信號線平行的虛設(shè)電極的圖形，所述第一信號線和所述第二信號線在所述襯底基板上的投影相互交叉，

其中，所述制造方法還包括在形成所述絕緣層之后且在形成所述第二信號線的圖形和所述虛設(shè)電極的圖形之前：在所述絕緣層上方與所述虛設(shè)電極對應(yīng)的區(qū)域中，通過構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層的圖形，所述虛設(shè)電極在所述襯底基板上的投影位于所述半導(dǎo)體層在所述襯底基板上的投影內(nèi)。

這樣，在相鄰兩條平行設(shè)置的第二信號線之間形成與第二信號線同層且平行的虛設(shè)電極，并且在虛設(shè)電極與絕緣層之間形成半導(dǎo)體層，虛設(shè)電極在襯底基板上的投影位于半導(dǎo)體層在襯底基板上的投影內(nèi)。虛設(shè)電極與第一信號線之間除了絕緣層之外半導(dǎo)體層的存在使得靜電荷更容易被吸引過來，在虛設(shè)電極和半導(dǎo)體層所在的位置處的絕緣層發(fā)生靜電擊穿而使虛設(shè)電極與第一信號線連接。由于虛設(shè)電極和半導(dǎo)體層的疊層與其兩側(cè)的第二信號線平行設(shè)置，即使虛設(shè)電極和半導(dǎo)體層的疊層與第一信號線之間的絕緣層被擊穿，也不影響其兩側(cè)的第二信號線與第一信號線之間的絕緣。因此，可以制造出具有靜電釋放單元的顯示基板，該顯示基板在不使用靜電環(huán)的情況下有效地釋放靜電，這樣既節(jié)省了設(shè)計(jì)空間又能夠保持第一信號線與第二信號線之間的絕緣，防止發(fā)生因第一信號線與第二信號線之間的絕緣層的靜電擊穿而導(dǎo)致的故障。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，所述第一信號線與柵線同層制作，所述虛設(shè)電極與源/漏電極同層制作。根據(jù)該實(shí)施例，顯示基板的制造工藝方便靈活，且被簡化，從而可以降低顯示基板的制造成本。

根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例，所述第一信號線與源/漏電極同層制作，所述虛設(shè)電極與柵線同層制作。根據(jù)該實(shí)施例，顯示基板的制造工藝方便靈活，且被簡化，從而可以降低顯示基板的制造成本。

由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明實(shí)施例所實(shí)現(xiàn)的顯示基板和顯示裝置能夠有效地釋放靜電，在節(jié)省設(shè)計(jì)空間的同時保持第一信號線與第二信號線之間的絕緣，防止發(fā)生因靜電擊穿導(dǎo)致的故障。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1示意性示出顯示基板的非顯示區(qū)域的局部的俯視圖；

圖2示意性示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示基板的非顯示區(qū)域的局部的俯視圖；

圖3示意性示出圖2所示的顯示基板的非顯示區(qū)域的沿A-A線截取的截面圖；以及

圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施制造顯示基板的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

在顯示基板的非顯示區(qū)域，當(dāng)?shù)谝恍盘柧€和第二信號線上的靜電荷積累過多時，在相互交叉的第一信號線與第二信號線的交叉處會發(fā)生靜電釋放，從而擊穿第一信號線與第二信號線之間的絕緣層，使得本該絕緣的第一信號線與第二信號線導(dǎo)通，導(dǎo)致故障的發(fā)生。如圖1所示，從顯示基板的非顯示區(qū)域的局部的俯視圖看出，在第一信號線10與第二信號線30的交疊位置處，會發(fā)生靜電聚集而擊穿第一信號線10與第二信號線30之間的絕緣層20，導(dǎo)致第一信號線10與第二信號線30導(dǎo)通而使得在包括該顯示基板的顯示裝置中發(fā)生諸如X-線和/或Y-線不良等故障。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，提供一種顯示基板。該顯示基板包括顯示區(qū)域和環(huán)繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域。圖2示意性示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示基板的非顯示區(qū)域的局部的俯視圖，圖3示意性示出圖2所示的顯示基板的非顯示區(qū)域的沿A-A線截取的截面圖。如圖2和圖3所示，該非顯示區(qū)域包括位于襯底基板(未示出)上的第一信號線10、絕緣層20和多條平行設(shè)置的第二信號線30。第一信號線10和第二信號線30在襯底基板上的投影相互交叉，并且絕緣層20使第一信號線10與第二信號線30彼此絕緣。圖2中，通過以實(shí)線邊框示出第二信號線30且以虛線邊框示出第一信號線10，來表明第二信號線30與第一信號線10分別位于絕緣層20的相反兩側(cè)而通過絕緣層20被彼此絕緣。

如圖2和圖3所示，相鄰兩條平行設(shè)置的第二信號線30之間包括與第二信號線30同層且平行設(shè)置的虛設(shè)電極40，并且該虛設(shè)電極40與絕緣層20之間設(shè)置有半導(dǎo)體層50。此外，虛設(shè)電極40在襯底基板上的投影位于半導(dǎo)體層50在襯底基板上的投影內(nèi)。

在襯底基板上通過在相鄰兩條平行設(shè)置的第二信號線30之間同層且平行設(shè)置虛設(shè)電極40，并且在虛設(shè)電極40與絕緣層20之間設(shè)置半導(dǎo)體層50，虛設(shè)電極40在襯底基板上的投影位于半導(dǎo)體層50在襯底基板上的投影內(nèi)，可以將顯示基板中的靜電荷吸引到虛設(shè)電極40和半導(dǎo)體層50所在的區(qū)域，從而保護(hù)第一信號線和第二信號線。在靜電荷積累到一定程度時，在該位置處的絕緣層發(fā)生靜電擊穿而使虛設(shè)電極40與第一信號線10連接。由于虛設(shè)電極40和半導(dǎo)體層50的疊層與其兩側(cè)的第二信號線30平行設(shè)置，即使虛設(shè)電極40和半導(dǎo)體層50的疊層與第一信號線10之間的絕緣層被擊穿，也不影響其兩側(cè)的第二信號線30與第一信號線10之間的絕緣。因此，可以在不使用靜電環(huán)的情況下有效地釋放靜電，這樣既節(jié)省了設(shè)計(jì)空間又能夠保持第一信號線與第二信號線之間的絕緣，防止發(fā)生因第一信號線與第二信號線之間的絕緣層的靜電擊穿而導(dǎo)致的顯示基板以及包括該顯示基板的顯示裝置的故障。

圖2中，第一信號線10和第二信號線30在襯底基板上的投影基本垂直。然而，可以理解，本公開不限于此，只要第一信號線10和第二信號線30之間存在交疊區(qū)域，即，第一信號線10和第二信號線30在襯底基板上的投影相互交叉，第一信號線10和第二信號線30在襯底基板上的投影所成的角度是任意的。

圖2中，虛設(shè)電極40和半導(dǎo)體層50被設(shè)置為與第二信號線30基本平行。然而，可以理解，本公開不限于此，只要虛設(shè)電極40和半導(dǎo)體層50的疊層與第二信號線30分隔開而使得由半導(dǎo)體層50吸引的靜電荷積累導(dǎo)致的靜電擊穿僅發(fā)生在虛設(shè)電極40和半導(dǎo)體層50所在的區(qū)域，虛設(shè)電極40和半導(dǎo)體層50可以與第二信號線30成任何角度。圖2和圖3中，第一信號線10位于絕緣層20下方且虛設(shè)電極40和半導(dǎo)體層50的疊層以及第二信號線30位于絕緣層20上方。然而，可以理解，本公開不限于此，第一信號線10位于絕緣層20上方且虛設(shè)電極40和半導(dǎo)體層50的疊層以及第二信號線30位于絕緣層20下方的情況也在本公開的范圍之內(nèi)。

圖2和圖3中，半導(dǎo)體層50的寬度被示例為大于虛設(shè)電極40的寬度。然而，可以理解，只要虛設(shè)電極40在襯底基板上的投影位于半導(dǎo)體層50在襯底基板上的投影內(nèi)，半導(dǎo)體層50的寬度可以大于或等于虛設(shè)電極40的寬度。

對絕緣層20的材料沒有特別的限制，只要其可以起到使第一信號線10與第二信號線30絕緣的作用即可。

對第一信號線10、第二信號線30和虛設(shè)電極40的材料沒有特別的限制，只要其能夠?qū)щ娂纯?。例如，第一信號線10、第二信號線30和虛設(shè)電極40可以由金屬或金屬合金形成。

在示例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體層50可以由硅、鍺、硅鍺合金、硅碳合金、硅鍺碳合金、諸如碳納米管、碳納米線或石墨烯等的碳基半導(dǎo)體、II-VI族化合物半導(dǎo)體材料、III-V族化合物半導(dǎo)體材料、諸如Cu₂O、ZnO、SnO₂、Fe₂O₃、Cr₂O₃、TiO₂、ZrO₂、CoO、WO₃、In₂O₃、Al₂O₃、Fe₃O₄等的氧化物半導(dǎo)體材料、有機(jī)半導(dǎo)體材料中的至少一種材料形成。

對半導(dǎo)體層50的材料的晶態(tài)形式?jīng)]有特別的限制，其可以是非晶、多晶或單晶的形式。例如，半導(dǎo)體層50可以由非晶硅、多晶硅、單晶硅中的至少一種材料形成。

對半導(dǎo)體層50的材料的摻雜類型沒有特別的限制。半導(dǎo)體層50可以為n型、p型或未摻雜的。

在一個示例性實(shí)施例中，第一信號線10與柵線同層設(shè)置且材料相同，虛設(shè)電極40與源/漏電極同層設(shè)置且材料相同。在另一個示例性實(shí)施例中，第一信號線10與源/漏電極同層設(shè)置且材料相同，虛設(shè)電極40與柵線同層設(shè)置且材料相同。從而，不需要為第一信號線10和虛設(shè)電極40單獨(dú)設(shè)計(jì)掩模版和額外的制造工藝。然而，本公開不限于此，第一信號線10和虛設(shè)電極40也可以被分別單獨(dú)地制作。

在示例性實(shí)施例中，虛設(shè)電極40和半導(dǎo)體層50可以位于非顯示區(qū)域的至少一側(cè)，從而可以在非顯示區(qū)域的至少一側(cè)提供靜電保護(hù)。所述非顯示區(qū)域的至少一側(cè)可以包括一個或多個非IC側(cè)、一個或多個IC側(cè)、或者IC側(cè)與非IC側(cè)的任意組合，甚至整個非顯示區(qū)域。

本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種包括上述顯示基板的顯示裝置。

此外，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種顯示基板的制造方法，該顯示基板包括顯示區(qū)域和環(huán)繞顯示區(qū)域的非顯示區(qū)域。

如圖4所示，并參考圖2和圖3，該顯示基板的制造方法包括：

在非顯示區(qū)域中，在襯底基板(未示出)上通過構(gòu)圖工藝形成第一信號線10的圖形(步驟S10)；

在第一信號線10上方形成絕緣層20(步驟S20)；

在絕緣層20上方通過構(gòu)圖工藝形成多條平行的第二信號線30的圖形、以及位于相鄰兩條平行的第二信號線30之間且與第二信號線30平行的虛設(shè)電極40的圖形，第一信號線10和第二信號線30在襯底基板上的投影相互交叉(步驟S30)，

該制造方法還包括在形成絕緣層20之后且在形成第二信號線30的圖形和虛設(shè)電極40的圖形之前：在絕緣層20上方與虛設(shè)電極40對應(yīng)的區(qū)域中，通過構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層50的圖形，虛設(shè)電極40在襯底基板上的投影位于半導(dǎo)體層50在襯底基板上的投影內(nèi)(步驟S25)。

在該制造方法中，可以使用硅、鍺、硅鍺合金、硅碳合金、硅鍺碳合金、諸如碳納米管、碳納米線或石墨烯等的碳基半導(dǎo)體、II-VI族化合物半導(dǎo)體材料、III-V族化合物半導(dǎo)體材料、諸如Cu₂O、ZnO、SnO₂、Fe₂O₃、Cr₂O₃、TiO₂、ZrO₂、CoO、WO₃、In₂O₃、Al₂O₃、Fe₃O₄等的氧化物半導(dǎo)體材料、有機(jī)半導(dǎo)體材料中的至少一種材料來形成半導(dǎo)體層50。例如，半導(dǎo)體層50可以由非晶硅、多晶硅、單晶硅中的至少一種材料形成。

在一個示例性實(shí)施例中，第一信號線10第一信號線與柵線同層制作，虛設(shè)電極40與源/漏電極同層制作。在另一個示例性實(shí)施例中，第一信號線10與源/漏電極同層制作，虛設(shè)電極40與柵線同層制作。從而，不需要為第一信號線10和虛設(shè)電極40單獨(dú)設(shè)計(jì)掩模版和額外的制造工藝。然而，本公開不限于此，第一信號線10和虛設(shè)電極40也可以被分別單獨(dú)地制作。

在示例性實(shí)施例中，可以將虛設(shè)電極40和半導(dǎo)體層50形成在非顯示區(qū)域的至少一側(cè)，從而可以在非顯示區(qū)域的該至少一側(cè)設(shè)置靜電保護(hù)結(jié)構(gòu)。例如，可以將虛設(shè)電極40和半導(dǎo)體層50設(shè)置在非顯示區(qū)域的一個或多個IC側(cè)、一個或多個IC側(cè)、或者IC側(cè)與非IC側(cè)的任意組合，甚至整個非顯示區(qū)域中。

如上所述，本發(fā)明實(shí)施例所實(shí)現(xiàn)的顯示基板和顯示裝置能夠在不使用靜電環(huán)的情況下有效地釋放靜電，在節(jié)省設(shè)計(jì)空間的同時保持第一信號線與第二信號線之間的絕緣，防止發(fā)生因靜電擊穿導(dǎo)致的故障。

以上所述僅是本發(fā)明的示范性實(shí)施方式，而非用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，本發(fā)明的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求確定。