本發(fā)明涉及形成半導(dǎo)體裝置的一部分的電阻器，并且更具體地說(shuō)，涉及在半導(dǎo)體裝置中的擴(kuò)散電阻器的實(shí)施方案。

背景技術(shù)：

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mosfet)可使用多晶硅材料來(lái)實(shí)施以形成用于mosfet的柵極接觸。多晶硅還可用于在半導(dǎo)體裝置內(nèi)形成電阻器。這些電阻器在若干應(yīng)用中是有利的，因?yàn)樗鼈兙哂懈叩木€性度水平。

半導(dǎo)體制造的趨勢(shì)在于使用允許越來(lái)越小的特征尺寸的技術(shù)。在這些裝置中，mosfet柵極可使用具有高介電常數(shù)的金屬(高k材料)而不是多晶硅來(lái)實(shí)施。在這些情況下，多晶硅的使用可能不再是標(biāo)準(zhǔn)，并且為多晶硅層提供額外的掩模以形成電阻器可能是昂貴的。

電阻器的替代實(shí)施方案可能是受關(guān)注的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)第一方面，提供了一種擴(kuò)散電阻器，其包括：具有第一導(dǎo)電類型的襯底；在襯底內(nèi)的具有第二導(dǎo)電類型的第一阱；在第一阱內(nèi)的具有第一導(dǎo)電類型的第二阱；用于將電阻器耦接到另外的電路系統(tǒng)的第一接觸和第二接觸；其中，第一接觸和第二接觸各自耦接到第一阱和第二阱兩者。

第二阱可被配置成形成電阻器主體。第一接觸可在電阻器的第一側(cè)上耦接到第一阱和第二阱兩者，并且第二接觸在第二側(cè)上耦接到第一阱和第二阱兩者。第二導(dǎo)電類型可與第一導(dǎo)電類型相反。第一導(dǎo)電類型可以為n型或p型中的一種，并且第二導(dǎo)電類型為n型或p型中的另一種。

第一接觸可被配置成提供擴(kuò)散電阻器的低電壓端。第二接觸可被配置成提供擴(kuò)散電阻器的高電壓端。擴(kuò)散電阻器可另外包括：設(shè)置在第一接觸與第二接觸之間的一個(gè)或多個(gè)另外接觸。接觸可設(shè)置在第二阱的頂表面上。擴(kuò)散電阻器可以為電阻分壓器。

根據(jù)第二方面，本發(fā)明提供一種包括根據(jù)第一方面的擴(kuò)散電阻器的半導(dǎo)體裝置。

根據(jù)第三方面，本發(fā)明提供一種方法，該方法包括：提供具有第一導(dǎo)電類型的襯底；在襯底內(nèi)形成具有第二導(dǎo)電類型的第一阱；在第一阱內(nèi)形成具有第一導(dǎo)電類型的第二阱；形成用于將電阻器主體耦接到另外的電路系統(tǒng)的第一接觸和第二接觸；其中形成第一接觸和第二接觸另外包括：使用到第一阱和第二阱的連接形成第一接觸；以及使用到第一阱和第二阱的連接形成第二接觸。

形成第二阱可形成電阻器主體?？稍陔娮杵髦黧w的第一側(cè)上形成第一接觸，并且可在電阻器主體的第二側(cè)上形成第二接觸。該方法可另外包括：在第一接觸與第二接觸之間形成一個(gè)或多個(gè)另外接觸。接觸可在第二阱的頂表面上形成。

根據(jù)第四方面，本發(fā)明提供一種電壓到電流轉(zhuǎn)換器，其包括：電壓輸入端；電壓輸出端；放大器，其包括：耦接到電壓輸出端的放大器輸出端；耦接在電壓輸出端和放大器的反相輸入端之間的阻抗；以及耦接到接地的非反相輸入端；其中，電壓到電流轉(zhuǎn)換器另外包括：根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻器，其中，第一接觸耦接到電壓輸入端，并且第二接觸耦接到放大器的反相輸入端。

附圖說(shuō)明

將參考附圖僅以例子的方式來(lái)描述實(shí)施例，在附圖中：

圖1為示出半導(dǎo)體裝置的示意圖；

圖2為示出根據(jù)第一實(shí)施例的擴(kuò)散電阻器的例子的示意圖；

圖3為描繪制造第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的方法步驟的流程圖；

圖4a和圖4b示出根據(jù)第一實(shí)施例和第二實(shí)施例的擴(kuò)散電阻器的第一例子電路圖和第二例子電路圖；

圖5a為可在其中實(shí)施實(shí)施例的例子應(yīng)用的電路圖；以及

圖5b為示出在圖5a的應(yīng)用中實(shí)施的實(shí)施例的示意圖。

具體實(shí)施方式

多晶硅電阻器的替代形式可以為擴(kuò)散電阻器。擴(kuò)散電阻器可在例如集成晶體管的基極擴(kuò)散期間進(jìn)行制造，并且因此可與其中高k金屬用于晶體管柵極接觸的技術(shù)兼容。由于擴(kuò)散電阻器的特性，所以擴(kuò)散電阻器不應(yīng)被視為實(shí)施分壓器的替代形式。例如，擴(kuò)散電阻器不應(yīng)被視為線性的。

圖1示出包括擴(kuò)散電阻器的半導(dǎo)體裝置100的例子。圖1的半導(dǎo)體裝置100包括襯底101、在襯底內(nèi)的第一阱102，以及在第一阱102內(nèi)的第二阱103。第一阱102的導(dǎo)電類型可與襯底101和第二阱103的導(dǎo)電類型相反。

可在半導(dǎo)體裝置100的頂表面上設(shè)置電阻器接觸。在該例子中，裝置100包括第一接觸107a，第一接觸107a設(shè)置在第一阱102與第二阱103之間的邊界的第二阱103側(cè)上。裝置100可另外包括第二接觸107b，第二接觸107b設(shè)置在第一阱102與第二阱103之間的邊界的兩側(cè)上。第三電阻器接觸107c和第四電阻器接觸107d可在第一電阻器接觸107a和第二電阻器接觸107b之間設(shè)置在第三阱103的頂表面上。

在該例子中，擴(kuò)散電阻器作為具有四個(gè)接觸的電阻分壓器設(shè)置，然而，應(yīng)當(dāng)理解，擴(kuò)散電阻器可包括兩個(gè)或更多個(gè)接觸。

如所論述，第一接觸107a耦接到第二阱103的表面，并且第二接觸107b耦接到第二阱103的表面和第一阱102的表面兩者。當(dāng)在使用中時(shí)，第一接觸107a可被耦接以提供電阻器的低電壓側(cè)(vl)，并且第二接觸107b可被耦接以提供電阻器的高電壓側(cè)(vh)。在一個(gè)例子中，vl可耦接到接地，然而，應(yīng)當(dāng)理解，只要vh所處的電壓大于vl所處的電壓，就可使用任何合適的耦接。

在此情況下，第一接觸107a可處于第一電壓vl，第三接觸107c可處于第二電壓，第四接觸107d處于第三電壓，并且第二接觸107b處于第四電壓vh。理論上，對(duì)于沿電阻器主體103等距放置的接觸，第一電壓與第二電壓之間、第二電壓與第三電壓之間，以及第三電壓與第四電壓之間的差相等。然而，對(duì)于非線性電阻器可能并非如此。

半導(dǎo)體裝置100提供的電阻器可以為非線性的，并且具體地，可以為電壓依賴性的。第二阱103與第一阱102之間的關(guān)系可以建模為第一二極管，并且第一阱102和襯底101之間的關(guān)系可以建模為第二二極管。

第二接觸107b耦接到第二阱103和第一阱102兩者，并且耦接到電阻器的vh，并因此第一阱102與第二阱103之間的邊界兩端的電壓為0v。因此，在第二接觸107b的區(qū)域中，第一二極管兩端的電壓為0v。第一接觸耦接到低電壓，所以第二阱103與第一阱102之間在第一接觸107a附近的電壓差使第一二極管在第一接觸107a附近被反向偏置。襯底101可耦接到底電壓。由于第一阱102耦接到高電壓并且襯底101耦接到低電壓，所以第二電極管可被反向偏置。

在第一接觸107a附近的第一二極管上的反向偏置電壓可在電阻器的主體中產(chǎn)生耗盡層106(在該情況下為p+擴(kuò)散阱)。該耗盡層取決于第一二極管兩端的反向偏置電壓，并且電阻器變成電壓依賴性的。這可導(dǎo)致電阻器的非線性特性。

在圖1的例子中，電阻器被實(shí)施為具有四個(gè)等距接觸107a、107c、107d和107b的分壓器。隨著耗盡層106的厚度從第一接觸107a附近的區(qū)域，越過(guò)第三接觸107c和第四接觸107d，并且到第二接觸107b減小，電阻器值將相應(yīng)減小。在該情況下，等距接觸107a、107c、107d和107b將不會(huì)產(chǎn)生相等的電壓差。

在一個(gè)例子中，電阻分壓器可使用圖1的擴(kuò)散電阻器實(shí)施，但提供串聯(lián)耦接的多個(gè)這些擴(kuò)散電阻器。獨(dú)立的擴(kuò)散電阻器中的每個(gè)將表現(xiàn)出非線性。

在下文中，可為擴(kuò)散電阻器提供連接方案以便解決電阻器中的非線性問(wèn)題。

圖2為示出根據(jù)第一實(shí)施例的包括擴(kuò)散電阻器的半導(dǎo)體裝置200的不意圖。

半導(dǎo)體裝置200包括襯底201、第一阱202和在第一阱202內(nèi)的第二阱203。第二阱203可以為第一阱202內(nèi)的擴(kuò)散區(qū)，該擴(kuò)散區(qū)的導(dǎo)電類型與第一阱202的導(dǎo)電類型相反。第二阱203可形成電阻器的主體。四個(gè)接觸207a、207c、207d和207b設(shè)置在第二阱203的頂表面上。接觸207a至207d可被配置成將電阻器耦接到另外的電路系統(tǒng)。

在一個(gè)例子中，襯底201可以為p型外延層，第一阱202可以為n型阱并且第二阱203可以為p型阱。第二阱203可以通過(guò)將p型雜質(zhì)引入或擴(kuò)散到n型第一阱202中而形成。p型第二阱203可形成電阻器的主體。第二阱203可形成p+擴(kuò)散區(qū)。

然而，應(yīng)當(dāng)理解，這些導(dǎo)電類型僅是舉例說(shuō)明，并且在其它例子中，實(shí)施例可具有互補(bǔ)的導(dǎo)電類型——即，襯底和第二阱可以為n型，而第一阱可以為p型阱，并且電阻器主體可作為n+電阻器設(shè)置。

在圖2的例子中，第一接觸207a和第二接觸207b可設(shè)置在第一阱202與第二阱203之間的邊界處。第三接觸207c和第四接觸207d可設(shè)置在第二阱203的表面上并且被布置在第一接觸207a與第二接觸207b之間。在該例子中，四個(gè)接觸207a、207c、207d和207b沿第二阱203的表面等距隔開，以便提供電阻分壓器。然而，應(yīng)當(dāng)理解，在一些實(shí)施例中，對(duì)于單個(gè)電阻器值僅設(shè)置第一接觸207a和第二接觸207b。

第一接觸207a可耦接到電阻器的低電壓側(cè)(vl)，并且第二接觸207b可耦接到電阻器的高電壓側(cè)(vh)。在例子中，當(dāng)圖2的電阻器200耦接到另外的電路系統(tǒng)(在相同襯底或不同襯底上的另外的半導(dǎo)體裝置或者外部裝置)時(shí)，第一接觸207a可被耦接成為電阻器提供低電壓端，并且第二接觸207b可被耦接成為電阻器提供高電壓端。在電阻分壓器的實(shí)施方案中，第三接觸207c和第四接觸207d可被耦接成提供電阻器兩端的電壓(vh-vl)的分壓。

第二阱203可具有包括兩個(gè)主側(cè)面、兩個(gè)副側(cè)面和深度209的伸長(zhǎng)形狀，該兩個(gè)主側(cè)面沿裝置的表面形成長(zhǎng)度208，該兩個(gè)副側(cè)面沿裝置的表面形成寬度(未示出)，該深度209被限定為第二阱的頂表面與第二阱的底表面之間的距離。第一接觸可設(shè)置在第一阱與第二阱之間由第一副側(cè)面限定的邊界上，并且第二接觸可設(shè)置在第一阱與第二阱之間由第二副側(cè)面限定的邊界上。

第一接觸207a耦接到第一阱202和第二阱203兩者。第二接觸耦接到第一阱202和第二阱203兩者。第一接觸和第二接觸可以第二阱203的長(zhǎng)度208分隔開。在該例子中，第一接觸207a和第二接觸207b跨越第一阱202和第二阱203之間的相應(yīng)邊界。

如所描述，第二接觸207b耦接到第二阱或電阻器主體203和第一阱201兩者。在此情況下，第二阱203的電壓或電位和第一阱202的電壓或電位在第二接觸207b附近相等。此外，第一接觸207a耦接到第二阱203和第一阱202兩者。在此情況下，第二阱203的電壓或電位和第一阱202的電壓或電位在第一接觸207a附近相等。換言之，第一阱202耦接到電阻器的低電壓端(vl)207a和高電壓端(vh)207b?？蛇x地，在一些例子中，第一或低電壓接觸207a可另外耦接到襯底201。

使用該連接方案，表示第二阱203與第一阱202之間關(guān)系的二極管兩端的在第二阱203與第一阱202之間的電壓差在二極管上從低電壓端移動(dòng)到高電壓端可基本上恒定。206處所示的所得耗盡層現(xiàn)在可較少地依賴于電壓，并且相比于圖1的電阻器，該電阻器可被視為更加線性的。

圖3為描繪與根據(jù)第一實(shí)施例的電阻器或電阻分壓器的制造相關(guān)聯(lián)的例子方法步驟的流程圖。應(yīng)當(dāng)理解，并未詳細(xì)描述用于制造擴(kuò)散電阻器的加工步驟。應(yīng)當(dāng)理解，實(shí)施例的連接方案可使用用于制造擴(kuò)散半導(dǎo)體的各種方法來(lái)實(shí)施，并且不限于圖3的例子。

在步驟301，提供襯底。在該例子中，襯底可以為p型外延層。在步驟302，可在襯底中形成第一阱。第一阱可以為n型阱。第一阱可由頂表面、底表面和側(cè)壁限定。側(cè)壁和底表面可完全被襯底包圍。在步驟303，可在第一阱中形成第二阱。第二阱可通過(guò)雜質(zhì)在第一阱中的擴(kuò)散而形成。在該例子中，第二阱可以為p型阱，并且可在第一阱內(nèi)形成p+擴(kuò)散層。第二阱可具有底表面、頂表面和側(cè)壁。第二阱的底表面和側(cè)壁可完全被第一阱包圍。

在步驟304和步驟305，可在第一阱202和第二阱203之間的頂表面上的邊界處在裝置的頂表面上形成第一接觸207a和第二接觸207b。第二阱203可被形成為具有包括兩個(gè)主側(cè)面、兩個(gè)副側(cè)面和深度209的伸長(zhǎng)形狀，該兩個(gè)主側(cè)面沿裝置的表面形成長(zhǎng)度208，該兩個(gè)副側(cè)面沿裝置的表面形成寬度(未示出)，該深度209被限定為第二阱的頂表面與第二阱的底表面之間的距離。第一接觸207a可形成于第一阱202與第二阱203之間的由第一副側(cè)面限定的邊界上，并且第二接觸207b可設(shè)置在第一阱202與第二阱203之間的由第二副側(cè)面限定的邊界上。

可通過(guò)形成到第二阱203的第一連接和到第一阱202的第二連接，并且然后將第一連接和第二連接耦接在一起以形成第一接觸來(lái)形成第一接觸207a。類似地，可通過(guò)形成到第二阱203的第三連接和到第一阱202的第四連接，并且然后將第三連接和第四連接耦接在一起而形成第二接觸207b。

在步驟304，在第一阱202和第二阱203的相應(yīng)表面上形成第一連接、第二連接、第三連接和第四連接。在步驟305，將第一連接和第二連接耦接在一起以形成第一接觸207a，并且將第三連接和第四連接耦接在一起以形成第二接觸207b。

第一接觸和第二接觸可以以第二阱的長(zhǎng)度分隔開。在一個(gè)例子中，第一接觸和第二接觸可跨越它們?cè)诘谝悔?02和第二阱203之間的相應(yīng)邊界。

在步驟305，可在第二阱203的表面上在第一接觸與第二接觸之間形成一個(gè)或多個(gè)另外的接觸207c、207d。應(yīng)當(dāng)理解，這些一個(gè)或多個(gè)另外接觸的形成可通過(guò)在步驟304在第二阱的表面上形成另外的連接而執(zhí)行。

圖4a和圖4b中的電路圖示意圖中示出電阻分壓器的電路圖的例子。

圖4a示出包括第一電阻器410、第二電阻器420和第三電阻器430的電阻分壓器401的例子。電阻分壓器401包括第一低電壓端(vl)407a和第二高電壓端(vh)407b。電阻分壓器401可另外包括第三端407c和第四端407d，該第三端407c和第四端407d可耦接以提供電阻分壓器401兩端的電壓(vh-vl)的分壓。

在一個(gè)例子中，電阻分壓器可對(duì)應(yīng)于圖2的例子，其中第一低電壓端407a可通過(guò)第一接觸207a提供，第二高電壓端407b可通過(guò)第二接觸207b提供，并且第三端407c和第四端407d可分別通過(guò)第三接觸207c和第四接觸207d提供。

在該例子中，第一電阻器410可對(duì)應(yīng)于由第一接觸207a與第三接觸207c之間的電阻器主體203的一部分所提供的電阻，第二電阻器420可對(duì)應(yīng)于由第三接觸207c與第四接觸207d之間的電阻器主體203的一部分所提供的電阻，并且第三電阻器430可對(duì)應(yīng)與由第四接觸207d與第二接觸207b之間的電阻器主體203的一部分所提供的電阻。雖然圖4a示出四個(gè)端的電阻分壓器401，但應(yīng)當(dāng)理解，電阻分壓器可根據(jù)具有更多或更少的端的實(shí)施例來(lái)實(shí)施。為示出這一點(diǎn)，圖4b示出三端裝置的例子。

圖4b示出包括第一電阻器411和第二電阻器412的電阻分壓器的例子。電阻分壓器包括第一低電壓端(vl)417a和第二高電壓端(vh)417b。電阻分壓器另外包括第三端417c，該第三端417可被耦接以提供電阻分壓器兩端的電壓(vh-vl)的分壓。

該電阻分壓器可對(duì)應(yīng)于與圖2的擴(kuò)散電阻器類似的擴(kuò)散電阻器實(shí)施方案，除在第一接觸207a和第二接觸207b之間僅等距地形成一個(gè)另外的接觸以外。電阻分壓器可包括由相應(yīng)的低壓連接和高壓連接提供的第一端和第二端，以及可選的額外端以提供分壓器功能。應(yīng)當(dāng)理解，在一些情況下，兩端裝置可僅被視為具有提供電阻分壓器的額外端的電阻器端。

圖3已經(jīng)描繪與一些例子相關(guān)聯(lián)的方法步驟。應(yīng)當(dāng)理解，在一些例子中，可形成另外或額外的層。例如，接觸可包括一個(gè)或多個(gè)層，并且可在電阻器的頂表面上添加另外的層例如以提供保護(hù)層。

應(yīng)當(dāng)理解，阱和襯底可使用任何合適的方法形成。例如，n型外延層可在p型襯底上生長(zhǎng)以形成第一阱。可通過(guò)將p型雜質(zhì)擴(kuò)散到n型阱中至一定的深度、長(zhǎng)度和寬度來(lái)形成第二阱，該深度、長(zhǎng)度和寬度連同擴(kuò)散材料的電阻率一起可確定電阻器的值。電阻器或電阻分壓器的所得電阻可由下式確定：

r＝ω(l/a)＝ω(l/w.t)(1)

其中，參數(shù)如下定義：

ω為擴(kuò)散層(第二阱)的平均電阻率；

l為擴(kuò)散層的長(zhǎng)度；

w為擴(kuò)散層的寬度；

t為擴(kuò)散層的厚度或深度；以及

a為擴(kuò)散層的橫截面積。

應(yīng)該理解，這些參數(shù)將被選擇以提供所需的電阻。

根據(jù)實(shí)施例的電阻器或電阻分壓器可用于多種應(yīng)用中。此類電阻器或電阻分壓器可用于在半導(dǎo)體裝置的制造期間不實(shí)施多晶硅掩模的應(yīng)用中，例如，在高k金屬介電質(zhì)用于mosfet的柵極接觸的情況下。此類電阻器或電阻分壓器可用于需要線性電阻器的應(yīng)用中。

可使用實(shí)施例的電阻器或電阻分壓器的應(yīng)用的例子包括但不限于模數(shù)轉(zhuǎn)換器(adc)、數(shù)模轉(zhuǎn)換器(dac)、電壓到電流轉(zhuǎn)換器、電流到電壓轉(zhuǎn)換器、提供頻率參考的電路、提供電壓參考的電路和/或提供電流參考的電路。

圖5a和圖5b描繪呈電壓到電流轉(zhuǎn)換器形式的電阻器的一個(gè)此例子應(yīng)用。

圖5a示出其中可實(shí)施實(shí)施例的電壓到電流轉(zhuǎn)換器的電路圖。電壓到電流轉(zhuǎn)換器500包括用于接收電壓輸入信號(hào)(vin)的輸入節(jié)點(diǎn)501、用于輸出電壓輸出信號(hào)(vout)的輸出節(jié)點(diǎn)502、放大器503、阻抗505和電阻器504。

vin501耦接到電阻器504的第一端517a。電阻器504的第二端517b耦接到放大器503的反相輸入端。放大器503的非反相輸入端耦接到參考電壓，在該例子中耦接到接地。vout502被設(shè)置在放大器503的輸出端處，其中阻抗505耦接在放大器503的反相輸入端與vout502之間。在該例子中，電阻器504可具有電阻r。

在操作中，放大器503的反相輸入端充當(dāng)虛擬接地，并且vin被轉(zhuǎn)換成電流，該電流理想地對(duì)應(yīng)于vin/r。電流(i＝vin/r)流過(guò)阻抗505并且被提供在輸出端502處。

圖5b示出實(shí)施根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電阻器的圖5a的電壓到電流轉(zhuǎn)換器。應(yīng)該理解，相似附圖標(biāo)記是指相似特征。

圖5b的電阻器504包括襯底511、第一阱512、第二阱513、第一接觸517a和第二接觸517b。第一接觸和第二接觸為電阻器503提供第一端和第二端。vin501耦接到第一接觸或端517a。第一接觸517a耦接到第一阱512和第二阱513兩者，并且在該點(diǎn)第一阱和第二阱的電壓相同。第二端517b耦接到放大器503的非反相輸入端。第二接觸517b耦接到第一阱512和第二阱513兩者。在這種情況下，第一阱512與第二阱513之間的電壓差從第一接觸517a到第二接觸517b可以是恒定的。電阻器504可滿足電壓到電流轉(zhuǎn)換器的線性要求。

應(yīng)當(dāng)理解，圖5b提供根據(jù)第一例子的電阻器，然而，應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)第二例子的電阻分壓器可以可替換地被實(shí)施為圖5a和圖5b的電阻器504。

所描述的實(shí)施例應(yīng)被視為在所有方面均僅為說(shuō)明性而非限制性的。因此，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求書而不是由此具體實(shí)施方式來(lái)指示。在權(quán)利要求書等效物的含義和范圍內(nèi)的所有改變均涵蓋在權(quán)利要求書等效物的范疇內(nèi)。

例如，在前文中，例子已被示為具有四個(gè)接觸。然而，應(yīng)當(dāng)理解，可實(shí)施根據(jù)實(shí)施例的電阻器，其中至少第一接觸耦接到電阻器的低電壓側(cè)或端，并且第二接觸耦接到電阻器的高電壓側(cè)或端。

此外，雖然在前文中接觸已被描繪為等距隔開，但情況可并非總是如此。例如，電阻分壓器可沿不同的比率分隔，并且接觸可并非全部等距隔開。在一些情況下，電阻器部件對(duì)于不同的分壓比率可具有不同的尺寸。

貫穿本說(shuō)明書對(duì)特征、優(yōu)點(diǎn)或類似語(yǔ)言的參考并不暗示可通過(guò)本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的所有特征和優(yōu)點(diǎn)應(yīng)在或在任何單個(gè)實(shí)施例中。相反，提到該特征和優(yōu)點(diǎn)的語(yǔ)言應(yīng)理解成意為結(jié)合實(shí)施例所描述的具體特征、優(yōu)點(diǎn)或特性包括在至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，在本說(shuō)明書通篇中對(duì)特征和優(yōu)點(diǎn)的論述以及類似語(yǔ)言可以是(但不一定必須是)參考同一實(shí)施例。

相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，鑒于本文的描述，本發(fā)明可在無(wú)特定實(shí)施例的特定特征或優(yōu)點(diǎn)中的一個(gè)或多個(gè)的情況下實(shí)踐。在其它情況下，可在某些實(shí)施例中辨識(shí)可能不存在于本發(fā)明的所有實(shí)施例中的另外特征和優(yōu)點(diǎn)。