技術(shù)編號(hào):11521922
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及形成半導(dǎo)體裝置的一部分的電阻器,并且更具體地說(shuō),涉及在半導(dǎo)體裝置中的擴(kuò)散電阻器的實(shí)施方案。背景技術(shù)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)可使用多晶硅材料來(lái)實(shí)施以形成用于MOSFET的柵極接觸。多晶硅還可用于在半導(dǎo)體裝置內(nèi)形成電阻器。這些電阻器在若干應(yīng)用中是有利的,因?yàn)樗鼈兙哂懈叩木€性度水平。半導(dǎo)體制造的趨勢(shì)在于使用允許越來(lái)越小的特征尺寸的技術(shù)。在這些裝置中,MOSFET柵極可使用具有高介電常數(shù)的金屬(高k材料)而不是多晶硅來(lái)實(shí)施。在這些情況下,多晶硅的使用可能不再是標(biāo)準(zhǔn),并且為多...
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