本申請是2014年3月7日申請的，申請?zhí)枮?01410082789.x，發(fā)明名稱為“包含天線層的半導體封裝件及其制造方法”的中國發(fā)明專利申請的分案申請。

本發(fā)明是有關(guān)于一種半導體封裝件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有天線層的半導體封裝件及其制造方法。

背景技術(shù)：

無線通訊裝置，例如是手機，一般包括天線以傳輸或接收無線射頻(radiofrequency,rf)信號。傳統(tǒng)上，無線通訊裝置包括天線及通訊模塊，各設(shè)于電路板的不同部位。在傳統(tǒng)的實施例中，天線及通訊模塊分別制造，并于設(shè)置在電路板后再電性連接彼此。如此將導致二個元件的制造成本，此外，也難以降低裝置尺寸而達到產(chǎn)品的小型化。此外，天線與通訊模塊之間的rf信號傳輸路徑較長，而降低天線與通訊模塊之間的信號傳輸品質(zhì)。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明一方面，提出一種半導體封裝件。一實施例中，半導體封裝件包括一基板、一半導體芯片、一封裝體及一天線層。半導體芯片設(shè)于基板。封裝體包覆半導體芯片且包括一上表面。天線層形成于封裝體的上表面，天線層包括一饋入層與一輻射層，且輻射層透過一第一波導槽與饋入層隔離。

根據(jù)本發(fā)明另一方面，提出一種半導體封裝件。一實施例中，半導體封裝件包括一基板、一半導體芯片、一第一封裝體、一第二封裝體及一天線層。半導體芯片設(shè)于基板。第一封裝體包覆半導體芯片。第二封裝體覆蓋第一封裝體。天線層，形成于第二封裝體上，天線層包括一饋入層與一輻射層，且輻射層透過一第一波導槽與饋入層隔離。

根據(jù)本發(fā)明另一方面，提出一種半導體封裝件的制造方法。一實施例中，制造方法以下步驟。設(shè)置一半導體芯片于一基板；形成一封裝體包覆半導體芯片；形成一天線層于半導體封裝件的一上表面，其中天線層電性連接于半導體芯片；以及，形成二彼此連接的天線槽組于天線層，其中各天線槽組包括一饋入層與一輻射層，且輻射層透過一第一波導槽與饋入層隔離。

為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下：

附圖說明

圖1a繪示依照本發(fā)明一實施例的半導體封裝件的剖視圖。

圖1b繪示圖1a的俯視圖。

圖2a繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導體封裝件的俯視圖。

圖2b繪示圖2a中沿方向2b-2b’的剖視圖。

圖3繪示另一實施例的天線層的俯視圖。

圖4繪示圖3的半導體封裝件的天線層的e平面的場形圖。

圖5a繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導體封裝件的剖視圖。

圖5b繪示圖5a的俯視圖。

圖6繪示依照本發(fā)明另一實施例的俯視圖。

圖7繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導體封裝件的俯視圖。

圖8繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導體封裝件的俯視圖。

圖9繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導體封裝件的俯視圖。

圖10繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導體封裝件的俯視圖。

圖11繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導體封裝件的俯視圖。

圖12a至12k繪示圖1a的半導體封裝件的制造過程圖。

圖13a至13f繪示圖9的半導體封裝件的制造過程圖。

具體實施方式

整合天線部及無線通訊裝置的通訊模塊半導體封裝件，具有例如是縮小封裝件尺寸及減少無線射頻(rf)信號傳輸路徑的優(yōu)點。以下實施例描述本發(fā)明揭露的半導體封裝件。

圖1a繪示依照本發(fā)明一實施例的半導體封裝件100的剖視圖。半導體封裝件100包括基板110、半導體芯片120、封裝體130、屏蔽層140、饋入元件150、數(shù)個導電柱160a、160b及天線層170。

基板110例如是多層有機基板或陶瓷基板?；?10包括相對的上表面110u與下表面110b及一鄰設(shè)于基板110的邊緣的側(cè)面110s。側(cè)面110s延伸于上表面110u與下表面110b且定義基板110的邊界?；?10包括接地部111。如圖1a所示，至少部分的接地部111從基板110的下表面110b往基板110的上表面110u方向延伸。第一種實施例中，整個接地部111從基板110的下表面110b延伸至基板110的上表面110u，或延伸超過上表面110u。第二種實施例中，部分接地部111從基板110的上表面110u延伸至基板110的下表面110b。

半導體芯片120及無源元件125設(shè)于基板110的上表面110u且電性連接于基板110。設(shè)于基板110的半導體芯片120例如，可包括一基頻芯片。無源元件125例如是電阻、電感或電容。

封裝體130包覆半導體芯片120。封裝體130包括第一封裝體131及第二封裝體132，其中第一封裝體131包覆半導體芯片120，且第二封裝體132覆蓋屏蔽層140。一實施例中，封裝體130可包括酚醛基樹脂(novolac-basedresin)、環(huán)氧基樹脂(epoxy-basedresin)、硅基樹脂(silicone-basedresin)或其他適當?shù)陌矂?。封裝體130也可包括適當?shù)奶畛鋭?，例如是粉狀的二氧化硅。可利用?shù)種封裝技術(shù)形成封裝體130，例如是壓縮成型(compressionmolding)、注射成型(injectionmolding)或轉(zhuǎn)注成型(transfermolding)。

封裝體130包括沿第一封裝體131的邊緣、第二封裝體132及屏蔽層140延伸的側(cè)面130s。

屏蔽層140形成于第一封裝體131的上表面131u且被第二封裝體132覆蓋。屏蔽層140可以是單層或多層材料。一實施例中，屏蔽層140是三層結(jié)構(gòu)，其中間層是銅層，而其它層是不銹鋼層。另一實施例中，屏蔽層140是雙層結(jié)構(gòu)，其一層是銅層，而另一層是不銹鋼層。

屏蔽層140包括饋入部141及屏蔽部142，其中饋入部141電性連接于饋入元件150，而屏蔽部142通過天線層170電性連接于接地部111。屏蔽部142與饋入部141隔離。屏蔽層140可以是鋁、銅、鉻、錫、金、銀、鎳、不銹鋼或任何合適金屬或合金。

饋入元件150包括第一饋入部151及第二饋入部152。第一饋入部151延伸穿過第一封裝體131且電性連接于屏蔽層140。數(shù)條走線112形成于基板110的上表面110u，且電性連接第一饋入部151與半導體芯片120。如此，饋入元件150電性連接于半導體芯片120。第二饋入部152延伸穿過第二封裝體132且電性連接于屏蔽層140。

一個或多個貫孔130h，例如是封膠穿孔(throughmoldingvia)，其從天線層170延伸至屏蔽層140。導電柱160a藉由填入導電材料于封裝體130的貫孔130h而形成。

一個或多個貫孔130j，例如是封膠穿孔，其從屏蔽層140延伸至走線112。導電柱160b藉由填入導電材料于封裝體130的貫孔130j而形成。

天線層170形成于封裝體130的上表面130u及側(cè)面130s。天線層170包括饋入層172及輻射層173。輻射層173沿封裝體130的側(cè)面130s電性連接于接地部111。饋入元件150的第二饋入部152連接饋入層172與屏蔽層140的饋入部141。

屏蔽層140及天線層170共同形成一全覆蓋屏蔽層(conformalshielding)，以保護半導體芯片120避免過多的電磁干擾(emi)不當?shù)赜绊懓雽w封裝件100的操作。

導電柱160a通過天線層170的輻射層173電性連接于接地部111。導電柱160b通過屏蔽層140電性連接于導電柱160a。因此，環(huán)繞饋入元件150的導電柱160a及160b可保護饋入元件150所傳輸?shù)酿伻胄盘柮馐茈姶鸥蓴_。

圖1b繪示圖1a的俯視圖。天線層170包括側(cè)面170s，且更包括彼此連接的二天線槽組171及171a，其形成一槽孔天線(slotantenna)。二天線槽組171及171a對稱，且為形成于天線層170的數(shù)條切痕(cut)或數(shù)個凹部(indentation)。饋入元件150位于天線槽組171與171a之間，以傳輸饋入信號至槽孔天線。

天線槽組171包括一波導槽1711及一輻射槽組1712。波導槽1711用以傳輸毫米波(millimeterwavelength,mmwave)信號。輻射槽組1712用以輻射毫米波信號。波導槽1711沿第一方向p1延伸，而輻射槽組1712沿第二方向p2延伸。輻射槽組1712連接于波導槽1711。輻射槽組1712繪示成包括至少二輻射槽1713，然此非用以限制本發(fā)明實施例。另一實施例中，輻射槽組1712的輻射槽1713的數(shù)量可以是一個或超過二個。圖1b的實施例中，輻射槽1713未延伸至天線層170的側(cè)面170s，然此非用以限制本發(fā)明實施例。另一實施例中，輻射槽1713可延伸至天線層170的側(cè)面170s。

如圖1b所示，輻射槽1713垂直地與波導槽1711連接。另一實施例中，為了輻射更多毫米波信號的能量，輻射槽1713可傾斜地與波導槽1711連接，以延長輻射槽1713長度。波導槽1711愈窄，毫米波信號的傳輸愈強。波導槽1711的寬度較佳地介于50至700微米。另一實施例中，波導槽1711約50微米寬。

輻射槽1713愈寬，毫米波信號的輻射愈強。如此，為了提升毫米波信號的輻射，輻射槽1713可設(shè)計得比波導槽1711更寬。輻射槽1713的寬度較佳地介于50至700微米。另一實施例中，輻射槽1713約100微米寬。

天線槽組171a近似天線槽組171的鏡射影像(mirrorimage)，因此，上述實施例的波導槽1711、輻射槽1712與輻射槽1713相似于波導槽1711a、輻射槽組1712a與輻射槽1713a。

位于二輻射槽1713a之間的波導槽1711a的部分，其長度l1決定毫米波信號的波長，而輻射槽1713a的長度l2約毫米波信號波長的一半。亦即，長度l2可接近長度l1的一半。

圖1a的饋入層172可做為共平面波導(coplanarwaveguide,cpw)，以傳輸毫米波至輻射槽組1712與1712a。

圖1a的輻射層173通過波導槽1711及1711a與饋入層172隔離，以避免不當?shù)赜绊戰(zhàn)伻朐?50的饋入信號。

圖2a繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導體封裝件200的俯視圖。天線層170包括二天線槽組，天線槽組171與近似其的鏡射影像通過阻抗匹配槽174連接。鏡射影像的天線槽組的架構(gòu)相似于天線槽組171的詳細描述。

天線槽組171包括第一波導槽1711、第一輻射槽組1712、第二波導槽1711’、第二輻射槽組1712’與第三波導槽1711”。

第一波導槽1711沿第一方向p1延伸。第一輻射槽組1712連接于第一波導槽1711，且沿第二方向p2延伸。一實施例中，第一輻射槽組1712包括三個輻射槽1713。另一實施例中，第一輻射槽組1712的輻射槽1713的數(shù)量可以是單個、二個或超過三個。

第二波導槽1711’連接于第一輻射槽組1712，且沿第一方向p1延伸。

形成于天線層170的網(wǎng)格包含區(qū)域171m，網(wǎng)格是由第一波導槽1711、輻射槽1713與第二波導槽1711’定義。網(wǎng)格的數(shù)個長側(cè)較佳地由第一波導槽1711或第二波導槽1711’形成。網(wǎng)格的數(shù)個短側(cè)較佳地由輻射槽1713形成。

第二輻射槽組1712’連接于第二波導槽1711’，且沿第二方向p2延伸。第二輻射槽組1712’包括數(shù)個輻射槽1713’。第二輻射槽組1712’的輻射槽1713’的數(shù)量多于第一輻射槽組1712的輻射槽1713的數(shù)量。藉由控制輻射槽1713與輻射槽1713’的相對數(shù)量，可使由第一輻射槽組1712輻射的能量實質(zhì)上等于由第二輻射槽組1712’輻射的能量。

第三波導槽1711’’沿第一方向p1延伸且連接于第二輻射槽組1712’。

形成于天線層170的網(wǎng)格包含區(qū)域171m’，網(wǎng)格由第二波導槽1711’、輻射槽1713’與第三波導槽1711’’定義。網(wǎng)格的數(shù)個長側(cè)較佳地由第二波導槽1711’或第三波導槽1711”形成。網(wǎng)格的數(shù)個短側(cè)較佳地由輻射槽1713’形成。

圖2b繪示圖2a中沿方向2b-2b’的剖視圖。剖視圖中，鏡射影像的天線槽組的輻射槽相似于天線槽組171的輻射槽1713’。天線層170的網(wǎng)格在剖視圖中繪示如區(qū)域171m’，因為其相似于天線槽組171的區(qū)域171m’。半導體封裝件200的其他特征相似于圖1a的半導體封裝件100，容此不再贅述。

圖3繪示另一實施例的天線層170的俯視圖。天線層170包括二天線槽組171，其中天線槽組171及近似其的鏡射影像通過阻抗匹配槽174連接。其中一槽組171已詳細描述，其它槽組實質(zhì)上是槽組171的鏡射影像。天線槽組171包括第一波導槽1711、第一輻射槽組、第二波導槽1711’、第二輻射槽組1712’、第三波導槽1711’’、第三輻射槽組1712’’及第四波導槽1711’’’。

第一輻射槽組繪示成包括一個輻射槽1713，然而，此非用以限制本發(fā)明實施例。另一實施例中，第一輻射槽組可包括多個輻射槽1713。

第二波導槽1711’沿第一方向p1延伸，且連接于第一輻射槽1713。

第二輻射槽組1712’沿第二方向p2延伸，且連接于第二波導槽1711’。

第三波導槽1711”沿第一方向p1延伸，且連接于第二輻射槽組1712’。

第三輻射槽組1712”沿第二方向p2延伸，且連接于第三波導槽1711”。

第四波導槽1711”’沿第一方向p1延伸，且連接于第三輻射槽組1712”。另一實施例中，可省略第四波導槽1711”’。

為了更均勻地輻射，第二輻射槽組1712’的輻射槽1713’的數(shù)量多于第一輻射槽組的輻射槽1713的數(shù)量，且第三輻射槽組1712”的輻射槽1713”的數(shù)量多于第二輻射槽組1712’的輻射槽1713’的數(shù)量。

阻抗匹配槽174連接天線槽組171的第一波導槽1711。第一波導槽1711的長度加上阻抗匹配槽174的長度的總合可以例如是一毫米波信號的波長的一半。阻抗匹配槽174的長度提供天線層170一阻抗匹配功能。

圖4繪示圖3的半導體封裝件的天線層170的e平面的場形圖。從圖3的天線層170輻射的rf頻寬介于57至64ghz。以60ghz來說，由于多輻射槽組(例如，第一輻射槽組、第二輻射槽組1712’及第三輻射槽組1712”)增加天線層170的指向性，因此天線層170表現(xiàn)出優(yōu)良指向性。

圖5a繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導體封裝件300的剖視圖。半導體封裝件300包括基板110、半導體芯片120、封裝體130、屏蔽層140、饋入元件150、導電柱160a、160b及天線層170。

半導體芯片120包括導通孔(via)121，其從半導體芯片120的上表面120u露出。

封裝體130包括位于屏蔽層140下方的第一封裝體131及位于屏蔽層140上方的第二封裝體132。

屏蔽層140包括饋入部141及屏蔽部142。

饋入元件150包括第一饋入部151及第二饋入部152。第一饋入部151從饋入部141延伸至半導體芯片120的導通孔121，以電性連接半導體芯片120。第二饋入部152延伸經(jīng)過第二封裝體132且電性連接屏蔽層140與天線層170。另一實施例中，覆蓋半導體芯片120的第一饋入部151的一部分可使用磨削方法移除，使屏蔽層140可直接形成于導通孔121，以電性連接半導體芯片120。如此一來，第一饋入部151可被省略，使第一封裝體131的上表面131u實質(zhì)上與半導體芯片120的上表面120u共面。

多個導電柱160a及160b可分別形成于貫孔130h及130j內(nèi)，其中貫孔130h及130j形成于封裝體130內(nèi)并環(huán)繞饋入元件150，以保護饋入元件150免受電磁干擾。

圖5b繪示圖5a的俯視圖。天線層170包括二彼此連接的天線槽組、天線槽組171及其鏡射影像。二阻抗匹配槽174連接天線槽組171與其鏡射影像。天線槽組171包括波導槽1711及輻射槽組1712。波導槽1711沿第一方向p1延伸。輻射槽組1712連接于波導槽1711且沿第二方向p2延伸。輻射槽組1712包括至少二輻射槽1713。如圖所示，輻射槽1713未延伸至天線層170的側(cè)面170s。然而，另一實施例中，輻射槽1713可延伸至天線層170的側(cè)面170s。如圖所示，輻射槽1713可垂直地連接于波導槽1711；或者，另一實施例中，輻射槽1713可傾斜地連接于波導槽1711。傾斜地連接方式可增長輻射槽1713，以輻射更多毫米波信號的能量。

如圖5b所示，區(qū)域175形成于天線層170，且由波導槽1711、其鏡射影像與二阻抗匹配槽174定義。饋入元件150位于天線層170的一中間部。具體來說，饋入元件150設(shè)于區(qū)域175的中心。

圖6繪示依照本發(fā)明另一實施例的俯視圖。天線層170包括二天線槽組、一天線槽組171與其實質(zhì)上鏡射的影像，且由二阻抗匹配槽174連接。天線槽組171包括第一波導槽1711、第一輻射槽組1712、第二波導槽1711’、第二輻射槽組1712’及第三波導槽1711”。由數(shù)個阻抗匹配槽174、第一波導槽1711及其鏡射影像所定義的區(qū)域175形成于天線層170中心。饋入元件150位于區(qū)域175的中間部。

如圖6所示，第一輻射槽組1712包括多個輻射槽1713。然而，另一實施例中，第一輻射槽組1712包括一個輻射槽1713。為了增強輻射，第二輻射槽組1712’的輻射槽1713’的數(shù)量多于第一輻射槽組1712的輻射槽1713的數(shù)量。

一些實施例中，第三波導槽1711”可省略。

圖7繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導體封裝件的俯視圖。天線層170包括二天線槽組，天線槽組171與其實質(zhì)上鏡射的影像由二阻抗匹配槽174連接。天線槽組171包括第一波導槽1711、第一輻射槽組、第二波導槽1711’及第二輻射槽組1712’。如圖所示，第一輻射槽組包括一輻射槽1713。另一實施例中，第一輻射槽組包括數(shù)個輻射槽1713。為了更優(yōu)良的輻射，第二輻射槽組1712’的輻射槽1713’的數(shù)量多于第一輻射槽組的輻射槽1713的數(shù)量。

如圖7所示，區(qū)域175形成于天線層170的中心，且由第一波導槽1711、其鏡射影像與二阻抗匹配槽174定義。饋入元件150位于區(qū)域175的中間部。

圖8繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導體封裝件的俯視圖。天線層170包括二天線槽組，天線槽組171與其實質(zhì)上鏡射的影像由二阻抗匹配槽174連接。天線槽組171包括第一波導槽1711、第一輻射槽組、第二波導槽1711’、第二輻射槽組1712’、第三波導槽1711’’、第三輻射槽組1712’’及第四波導槽1711’’’。

如圖8所示，區(qū)域175形成于天線層170的中心，且由第一波導槽1711、其鏡射影像與二阻抗匹配槽174定義。饋入元件150位于區(qū)域175的中間部。如圖所示，第一輻射槽組包括一個輻射槽1713。其它實施例中，第一輻射槽組包括一個以上的輻射槽1713。為了增進輻射，第二輻射槽組1712’的輻射槽1713’的數(shù)量多于第一輻射槽組的輻射槽1713的數(shù)量，且第三輻射槽組1712”的輻射槽1713’’的數(shù)量多于第二輻射槽組1712’的輻射槽1713’的數(shù)量。

圖9繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導體封裝件400的俯視圖。半導體封裝件400包括基板110、半導體芯片120、封裝體130、屏蔽層140、饋入元件150、數(shù)個導電柱160及天線層170。

基板110包括相對的上表面110u與下表面110b，且更包括一接地部111。接地部111從基板110的上表面110u延伸。封裝體130包括第一封裝體131及第二封裝體132。接地部111可從第一封裝體131的側(cè)面131s露出。

屏蔽層140形成于第一封裝體131的上表面131u、第一封裝體131的側(cè)面131s，且露出接地部111，其中第一封裝體131包覆半導體芯片120。屏蔽層140形成一全覆蓋屏蔽層，以保護半導體芯片120免受電磁干擾。第二封裝體132設(shè)于第一封裝體131的上表面131u，且覆蓋屏蔽層140的一部分與基板110的上表面110u的一部分。本實施例中，天線層170形成于封裝體130的上表面130u，但未形成于封裝體130的側(cè)面130s。

圖10繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導體封裝件500的俯視圖。半導體封裝件500包括基板110、半導體芯片120、封裝體130、屏蔽層140、饋入元件150、數(shù)個導電柱160及天線層170。

饋入元件150形成封裝體130且直接接觸從半導體芯片120的上表面120u露出的導通孔121。導電柱160形成于封裝體130的貫孔130h內(nèi)且環(huán)繞饋入元件150以保護饋入元件150免受過多的電磁干擾。

圖11繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導體封裝件600的俯視圖。半導體封裝件600包括基板110、半導體芯片120、無源元件125、封裝體130、屏蔽層140、饋入元件150、數(shù)個導電柱160及天線層170。

貫孔130h例如是封膠穿孔，其形成于封裝體130，且從天線層170延伸至屏蔽層140。導電柱160藉由填入導電材料于貫孔130h而形成。導電柱160通過天線層170電性連接于接地部111。因此，環(huán)繞饋入元件150的導電柱160可保護一從饋入元件150發(fā)射的饋入信號免受過多電磁干擾。

饋入元件150包括第一饋入部151及第二饋入部152。第一饋入部151延伸穿過封裝體130的第一封裝體131且電性連接屏蔽層140與無源元件125的接點1251。無源元件125設(shè)于基板110的上表面110u且可通過走線112電性連接半導體芯片120。如此一來，饋入元件150可電性連接半導體芯片120。第二饋入部152延伸穿過封裝體130的第二封裝體132，且電性連接屏蔽層140與天線層170。

圖12a至12k繪示圖1a的半導體封裝件100的制造過程圖。

如圖12a所示，可采用表面粘貼技術(shù)(surfacemountingtechnology,smt)設(shè)置半導體芯片120及無源元件125于基板110上。基板110包括接地部111及走線112。基板110是一包含數(shù)個封裝單元區(qū)(packagesite)的長條(strip)。

如圖12b所示，形成第一封裝體131于基板110的上表面110u，以包覆半導體芯片120及無源元件125。第一封裝體131包括一上表面131u。

如圖12c所示，可采用圖案化技術(shù)，形成貫孔130j從上表面131u延伸至基板110的走線112。形成貫孔130j的圖案化技術(shù)例如是微影工藝(photolithography)、化學刻蝕(chemicaletching)、激光鉆孔(laserdrilling)或機械鉆孔(mechanicaldrilling)。

如圖12d所示，第一饋入部151及導電柱160b可使用電鍍或涂布焊料貼(solderpaste)的方式填入導電材料于貫孔130j內(nèi)而形成。

如圖12e所示，可采用電鍍/微影刻蝕(etchingphotolithographic)工藝，形成屏蔽層140覆蓋上表面131u。屏蔽層140包括饋入部141及屏蔽部142，其中饋入部141連接于第一饋入部151且與屏蔽部142隔離，而屏蔽部142連接于導電柱160b。

如圖12f所示，形成第二封裝體132覆蓋屏蔽層140。第二封裝體132包括上表面130u。

如圖12g所示，可采用圖案化技術(shù)形成貫孔130h從上表面130u延伸至屏蔽層140。形成貫孔130h的圖案化技術(shù)例如是微影工藝(photolithography)、化學刻蝕(chemicaletching)、激光鉆孔(laserdrilling)或機械鉆孔(mechanicaldrilling)。

如圖12h所示，第二饋入部152及導電柱160a可使用例如是電鍍或涂布焊料貼的方式填入導電材料于貫孔130h內(nèi)而形成。第一饋入部151及第二饋入部152共同形成饋入元件150。

如圖12i所示，形成數(shù)個切割道s1經(jīng)過封裝體130、屏蔽層140及接地部。切割道s1使用激光或另一切割刀具形成?；?10的側(cè)面110s、封裝體130的側(cè)面130s及接地部111的側(cè)面111s被形成，其中側(cè)面110s、側(cè)面130s與側(cè)面111s實質(zhì)上共面。例示的切割方法稱為”全穿切(full-cut)”，即切割道s1實質(zhì)上切穿基板110、接地部111與封裝體130。

如圖12j所示，可使用電鍍/微影刻蝕工藝，形成天線層170覆蓋封裝體130的上表面130u、封裝體130的側(cè)面130s與接地部111的側(cè)面111s。天線層170連接于導電柱160a及接地部111，使導電柱160a通過屏蔽層140及天線層170電性連接于接地部111。

如圖12k所示，可采用例如是圖案化技術(shù)，形成二天線槽組171于天線層170，以形成圖1a所示的半導體封裝件100。

圖13a至13f繪示圖9的半導體封裝件400的制造過程圖。圖9的半導體封裝件400的制造過程相似于圖1a的半導體封裝件100的制造過程，容此不再贅述。

如圖13a所示，可采用例如是表面粘貼技術(shù)，設(shè)置半導體芯片120及無源元件125于基板110，其中基板110包括從基板110的上表面110u延伸的接地部111。第一饋入部151可使用例如是電鍍或涂布焊料貼的方式填入導電材料于第一封裝體131的貫孔130j內(nèi)而形成。貫孔130j可采用圖案化技術(shù)形成。基板110是包含數(shù)個封裝單元區(qū)的長條。

可采用激光或另外切割刀具形成數(shù)個切割道s2經(jīng)過第一封裝體131。第一封裝體131的側(cè)面131s及接地部111的側(cè)面111s由切割形成。圖13a的切割稱為”半穿切法(half-cutmethod)”，即切割道s2未完全切穿基板110。

如圖13b所示，可采用電鍍/微影刻蝕(etchingphotolithographic)工藝，形成屏蔽層140覆蓋上表面131u。屏蔽層140包括饋入部141及屏蔽部142，其中饋入部141連接于第一饋入部151且與屏蔽部142隔離。

如圖13c所示，形成第二封裝體132覆蓋屏蔽層140，其中第二封裝體132包括上表面130u。

如圖13d所示，可采用圖案化技術(shù)形成貫孔130h從上表面130u延伸至屏蔽層140。形成貫孔130h的圖案化技術(shù)例如是微影工藝(photolithography)、化學刻蝕(chemicaletching)、激光鉆孔(laserdrilling)或機械鉆孔(mechanicaldrilling)。

第二饋入部152及導電柱160a可使用電鍍或涂布焊料貼的方式填入導電材料于貫孔130h內(nèi)而形成。第一饋入部151及第二饋入部152共同形成饋入元件150。

如圖13e所示，可使用電鍍/微影刻蝕工藝，形成天線層170覆蓋封裝體130的上表面130u。天線層170連接于導電柱160，使天線層170通過導電柱160及屏蔽層140電性連接于接地部111。

如圖13f所示，形成數(shù)個切割道s3經(jīng)過天線層170、第二封裝體132與基板110，以形成圖9的半導體封裝件400。切割道s3是以激光或另外切割刀具形成?；?10的側(cè)面110s及第二封裝體132的側(cè)面130s實質(zhì)上共面。

圖2b的半導體封裝件200的制造方法、圖5a的半導體封裝件300的制造方法及圖11的半導體封裝件600的制造方法相似于圖1a的半導體封裝件100的制造方法，容此不再贅述。圖10的半導體封裝件500的制造方法相似于圖9的半導體封裝件400的制造方法，容此不再贅述。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種更動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍當視后附的權(quán)利要求所界定者為準。

【符號說明】

100、200、300、400、500、600：半導體封裝件

110：基板

110b：下表面

110s、111s、130s、131s、170s：側(cè)面

110u、120u、130u、131u：上表面

111：接地部

112：走線

120：半導體芯片

121：導通孔

125：無源元件

1251：接點

130：封裝體

130h、130j：貫孔

131：第一封裝體

132：第二封裝體

140：屏蔽層

141：饋入部

142：屏蔽部

150：饋入元件

151：第一饋入部

152：第二饋入部

160、160a、160b：導電柱

170：天線層

171、171a：天線槽組

1711、1711a、1711'、1711”、1711”'：波導槽

1712、1712a、1712'、1712”：輻射槽組

1713、1713a、1713'、1713”：輻射槽

171m、171m'；175：區(qū)域

172：饋入層

173：輻射層

174：阻抗匹配槽

s1、s2、s3：切割道

l1：長度

p1：第一方向

p2：第二方向