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制作光敏區(qū)布線層的方法與流程

文檔序號(hào):12275059閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種制作光敏區(qū)布線層的方法,該方法在多晶硅層制作好后,通過(guò)激活操作對(duì)腐蝕液進(jìn)行激活,然后將激活后的腐蝕液用于多晶硅層的腐蝕操作;本發(fā)明的有益技術(shù)效果是:提出了一種制作光敏區(qū)布線層的方法,該方法能改善濕法腐蝕的腐蝕穩(wěn)定性,保證光敏區(qū)布線層的腐蝕效果,提高器件性能。

技術(shù)研發(fā)人員:鄧濤;黃建;韓恒利;方剛
受保護(hù)的技術(shù)使用者:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所
文檔號(hào)碼:201610961116
技術(shù)研發(fā)日:2016.10.28
技術(shù)公布日:2017.02.22

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