1.一種制作光敏區(qū)布線層的方法，所述光敏區(qū)布線層的材料采用多晶硅，光敏區(qū)布線層的層數不少于兩層；制作過程中，前一多晶硅層制作好后，采用腐蝕工藝對前一多晶硅層進行腐蝕，以去除殘留在前一多晶硅層邊沿的多余多晶硅，然后再進行后續(xù)操作，其特征在于：
所述腐蝕工藝采用濕法腐蝕，腐蝕操作按如下步驟進行：
1）配制腐蝕液；所述腐蝕液為硝酸、氫氟酸和醋酸的混合溶液；
2）制作激活材料；所述激活材料為生長有多晶硅介質的硅片；
3）將激活材料浸入腐蝕液內，激活材料足量，待腐蝕液內的亞硝酸離子飽和后，將激活材料從腐蝕液中取出，獲得激活后的腐蝕液；
4）將激活后的腐蝕液用于前述光敏區(qū)布線層制作過程中的腐蝕操作。