本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種COMS圖像傳感器及其制作方法。

背景技術(shù)：

圖像傳感器是組成數(shù)字?jǐn)z像頭的重要組成部分。根據(jù)元件的不同，可分為CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)和CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體元件)兩大類。隨著CMOS集成電路制造工藝特別是CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)及制造工藝的不斷發(fā)展，CMOS圖像傳感器已經(jīng)逐漸取代CCD圖像傳感器成為主流。CMOS圖像傳感器相比較具有工業(yè)集成度更高、功率更低等優(yōu)點(diǎn)。

在CMOS圖像傳感器中，采用傳輸管(transfer transistor，TX)來傳輸光電二極管中的光生電子。

圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底1、感光二極管區(qū)2、感光二極管表面P型摻雜層5(用于降低暗電流)、浮置擴(kuò)散區(qū)7(包括阱區(qū)摻雜7a與源區(qū)摻雜7b)、柵極多晶硅3、柵極氧化層4、柵極側(cè)墻6。其中，半導(dǎo)體襯底1上布置了感光二極管區(qū)2、感光二極管表面P型摻雜層5以及浮置擴(kuò)散區(qū)7；感光二極管區(qū)表面P型摻雜層5以及浮置擴(kuò)散區(qū)7位于半導(dǎo)體襯底的表面區(qū)域；感光二極管區(qū)2位于感光二極管區(qū)表面P型摻雜層5下方。柵極多晶硅3、柵極介質(zhì)層4、柵極側(cè)墻6構(gòu)成位于半導(dǎo)體襯底上方的柵極結(jié)構(gòu)。

現(xiàn)有技術(shù)中，制作CMOS圖像傳感器的方法包括：在半導(dǎo)體襯底1的表面區(qū)域形成浮置擴(kuò)散區(qū)7的源區(qū)摻雜7b；隨后在半導(dǎo)體襯底1上依次形成柵極氧化層4和柵極多晶硅3；利用圖案化的光刻膠以及柵極多晶硅3進(jìn)行第一次離子注入，在半導(dǎo)體襯底1內(nèi)部形成感光二極管區(qū)2；接著在所述半導(dǎo)體襯底1上沉積一層介質(zhì)層通過曝光與刻蝕形成柵極側(cè)墻6，并去除介質(zhì)層；接著利用圖案化的光刻膠以及柵極多晶硅3進(jìn)行第二次離子注入，在所述源區(qū)摻雜7b中形成阱區(qū)摻雜7a；最后再進(jìn)行第三次離子注入在半導(dǎo)體襯底1的表面區(qū)域形成感光二極管區(qū)表面P型摻雜層5。

在現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的制造方法中，由于離子注入會(huì)對(duì)半導(dǎo)體襯底表面造成損傷，從而導(dǎo)致CMOS圖像傳感器出現(xiàn)白點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種COMS圖像傳感器及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體襯底表面損傷造成COMS圖像傳感器出現(xiàn)白點(diǎn)的問題。

本發(fā)明提供的COMS圖像傳感器的制作方法，包括：

提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括像素區(qū)與邏輯區(qū)；

在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成柵極氧化層和柵極多晶硅；

在所述半導(dǎo)體襯底上沉積介質(zhì)層，通過曝光與刻蝕，形成柵極側(cè)墻；

在所述半導(dǎo)體襯底上涂覆第一光刻膠，通過曝光與顯影，暴露出所述邏輯區(qū)內(nèi)的源漏區(qū)；

去除所述源漏區(qū)內(nèi)部分厚度的介質(zhì)層，進(jìn)行N型或P型源漏注入，并去除所述第一光刻膠；

在所述半導(dǎo)體襯底上涂覆第二光刻膠，通過曝光與顯影，暴露出所述像素區(qū)內(nèi)的感光二極管區(qū)；

對(duì)所述感光二極管區(qū)進(jìn)行離子注入，在所述半導(dǎo)體襯底表面形成第一摻雜區(qū)。

進(jìn)一步的，在半導(dǎo)體襯底上形成柵極氧化層和柵極多晶硅之前，還包括：在所述像素區(qū)內(nèi)進(jìn)行離子注入，在所述半導(dǎo)體襯底表面形成第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)位于柵極多晶硅一側(cè)。

進(jìn)一步的，在半導(dǎo)體襯底上形成柵極氧化層和柵極多晶硅之后，還包括：在所述像素區(qū)內(nèi)進(jìn)行離子注入，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部形成第三摻雜區(qū)，所述第三摻雜區(qū)位于所述柵極多晶硅的另一側(cè)，與所述第二摻雜區(qū)的摻雜類型相反。

進(jìn)一步的，所述第一摻雜區(qū)位于所述第三摻雜區(qū)的上方，與所述第三摻雜區(qū)的摻雜類型相反，所述第一摻雜區(qū)與第三摻雜區(qū)構(gòu)成感光二極管。

進(jìn)一步的，在形成第一摻雜區(qū)之后還包括，對(duì)第二摻雜區(qū)進(jìn)行離子注入，在所述第二摻雜區(qū)中形成第四摻雜區(qū)，所述第四摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)的摻雜類型相反，構(gòu)成浮置擴(kuò)散區(qū)。

進(jìn)一步的，所述介質(zhì)層包括第一氧化硅層、氮化硅層以及第二氧化硅層。

進(jìn)一步的，所述柵極側(cè)墻的形成步驟包括：在所述介質(zhì)層表面形成光刻膠層；對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光與顯影形成圖案化的光刻膠層；以圖案化的光刻膠層為掩膜，對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，然后去除所述圖案化的光刻膠層。

進(jìn)一步的，對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕之后，所述半導(dǎo)體襯底上剩余的介質(zhì)層的厚度為

進(jìn)一步的，進(jìn)行N型或P型源漏注入之前，所述邏輯區(qū)內(nèi)源漏區(qū)上剩余的介質(zhì)層的厚度為

相應(yīng)的，本發(fā)明還提出一種使用以上COMS圖像傳感器的制作方法制作的COMS圖像傳感器，包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括像素區(qū)與邏輯區(qū)；

位于所述像素區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體襯底中的浮置擴(kuò)散區(qū)、傳輸晶體管以及感光二極管；

所述浮置擴(kuò)散區(qū)包括所述第二摻雜區(qū)和所述第四摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)與所述第四摻雜區(qū)的摻雜類型相反，所述第四摻雜區(qū)位于所述第二摻雜區(qū)中；

所述感光二極管包括第一摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)與所述第三摻雜區(qū)的摻雜類型相反，所述第一摻雜區(qū)位于所述第三摻雜區(qū)上方；

所述傳輸晶體管包括：位于所述半導(dǎo)體襯底上的柵極氧化層及柵極多晶硅，位于所述柵極多晶硅周圍的側(cè)墻；所述第一摻雜區(qū)與第四摻雜區(qū)位于柵極多晶硅的兩側(cè)。

以及位于所述邏輯區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體襯底中的晶體管，所述晶體管包括：位于所述半導(dǎo)體襯底上的柵極氧化層及柵極多晶硅，位于所述柵極多晶硅周圍的側(cè)墻，以及位于所述柵極多晶硅兩側(cè)的源漏極。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的COMS圖像傳感器及其制作方法，在邏輯區(qū)進(jìn)行N型或P型源漏注入時(shí)，先在所述半導(dǎo)體襯底上涂覆第一光刻膠，通過曝光與顯影暴露出需要進(jìn)行源漏注入的源漏區(qū)，然后刻蝕部分厚度的介質(zhì)層，進(jìn)行N型或P型源漏注入，由于第一光刻膠的保護(hù)像素區(qū)內(nèi)的介質(zhì)層未被刻蝕，在所述像素區(qū)內(nèi)的感光二極管區(qū)進(jìn)行離子注入時(shí)，所述介質(zhì)層防止離子注入對(duì)感光二極管表面的半導(dǎo)體襯底造成損傷，從而避免因半導(dǎo)體損傷造成的COMS圖像傳感器白點(diǎn)，提高了COMS圖像傳感器的質(zhì)量；并且該方法簡單，便于操作，不會(huì)對(duì)COMS圖像傳感器的性能造成影響。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的COMS圖像傳感器的制作方法流程示意圖。

圖3～11為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的COMS圖像傳感器的制作方法各步驟結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有技術(shù)形成的CMOS圖像傳感器因?yàn)殡x子注入對(duì)半導(dǎo)體襯底表面造成損傷，從而導(dǎo)致出現(xiàn)白點(diǎn)。發(fā)明人針對(duì)上述問題進(jìn)行研究發(fā)現(xiàn)，在側(cè)墻刻蝕去除介質(zhì)層以后，后續(xù)進(jìn)行感光二極管表面摻雜層的離子注入會(huì)對(duì)感光二極管表面的半導(dǎo)體襯底造成損傷，而白點(diǎn)對(duì)于感光二極管表面質(zhì)量及完整性非常敏感，半導(dǎo)體襯底的損傷會(huì)導(dǎo)致CMOS圖像傳感器出現(xiàn)白點(diǎn)。

經(jīng)過進(jìn)一步研究，發(fā)明人提出了一種CMOS圖像傳感器及其制作方法。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的CMOS圖像傳感器及其制作方法做進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚，需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用于方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的CMOS圖像傳感器的制作方法流程示意圖，如圖2所示，本發(fā)明提出的一種CMOS圖像傳感器及其制作方法，包括以下步驟：

步驟S01：提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括像素區(qū)與邏輯區(qū)；

步驟S02：在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成柵極氧化層和柵極多晶硅；

步驟S03：在所述半導(dǎo)體襯底上沉積介質(zhì)層，通過曝光與刻蝕，形成柵極側(cè)墻；

步驟S04：在所述半導(dǎo)體襯底上涂覆第一光刻膠，通過曝光與顯影，暴露出所述邏輯區(qū)內(nèi)的源漏區(qū)；

步驟S05：去除所述源漏區(qū)內(nèi)部分厚度的介質(zhì)層，進(jìn)行N型或P型源漏注入，并去除所述第一光刻膠；

步驟S06：在所述半導(dǎo)體襯底上涂覆第二光刻膠，通過曝光與顯影，暴露出所述像素區(qū)內(nèi)的感光二極管區(qū)；

步驟S07：對(duì)所述感光二極管區(qū)進(jìn)行離子注入，在所述半導(dǎo)體襯底表面形成第一摻雜區(qū)。

圖3～11為本發(fā)明一實(shí)施例提供的COMS圖像傳感器的制作方法各步驟結(jié)構(gòu)示意圖，請(qǐng)參考圖2所示，并結(jié)合圖3～圖11，詳細(xì)說明本發(fā)明提出的溝槽功率器件的制作方法：

在步驟S01中，提供一半導(dǎo)體襯底10，所述半導(dǎo)體襯底10包括像素區(qū)100與邏輯區(qū)200，如圖3所示。在本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底可以是單晶硅、單晶鍺或者單晶鍺硅，或者本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其他半導(dǎo)體襯底。

在步驟S02中，在所述半導(dǎo)體襯底10上依次形成有柵極氧化層41和柵極多晶硅42，如圖5所示。

在本實(shí)施例中，在形成柵極氧化層41和柵極多晶硅42之前，還包括：在所述像素區(qū)100內(nèi)進(jìn)行離子注入，在所述半導(dǎo)體襯底10表面形成第二摻雜區(qū)21，所述第二摻雜區(qū)21位于柵極多晶硅42一側(cè)；在形成柵極氧化層41和柵極多晶硅42之后，還包括：在所述像素區(qū)100內(nèi)進(jìn)行離子注入，在所述半導(dǎo)體襯底10內(nèi)部形成第三摻雜區(qū)31，所述第三摻雜區(qū)31位于所述柵極多晶硅42的另一側(cè)，與所述第二摻雜區(qū)21的摻雜類型相反。

以下詳細(xì)介紹本步驟的主要工藝：

首先，進(jìn)行離子注入在所述像素區(qū)100內(nèi)的半導(dǎo)體襯底10表面形成第二摻雜區(qū)21，如圖3所示。

對(duì)所述半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行離子注入形成第二摻雜區(qū)21的方法包括：在所述半導(dǎo)體襯底10上形成第一圖形化的光刻膠層(圖中未示出)，定義出第二摻雜區(qū)21的位置；以所述第一圖形化的光刻膠層為掩膜，對(duì)所述半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行離子注入形成第二摻雜區(qū)21；去除第一圖像化的光刻膠層。本發(fā)明具體實(shí)施例中，第二摻雜區(qū)21為P型摻雜區(qū)，離子注入工藝中注入的離子為P型離子，例如硼(B)，但不限于硼。第二摻雜區(qū)21位于浮置擴(kuò)散區(qū)所在的區(qū)域。

其次，在所述半導(dǎo)體襯底10上依次形成柵極氧化層41和柵極多晶硅42，在像素區(qū)100與邏輯區(qū)200上均形成有柵極氧化層41和柵極多晶硅42，在所述像素區(qū)100內(nèi)形成傳輸晶體管，在所述邏輯區(qū)200內(nèi)形成晶體管，在所述像素區(qū)100內(nèi)所述第二摻雜區(qū)21位于柵極多晶硅41的一側(cè)，如圖4所示。

在半導(dǎo)體襯底10上依次形成氧化層和多晶硅層，然后依次對(duì)氧化層和多晶硅層進(jìn)行圖形化形成柵極多晶硅42和柵極氧化層41。柵極多晶硅42的材料可以是金屬，柵極氧化層41的材料為氧化硅等本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的材料。

最后，進(jìn)行離子注入在所述像素區(qū)100內(nèi)的半導(dǎo)體襯底10內(nèi)部形成第三摻雜區(qū)31，所述第三摻雜區(qū)31位于所述柵極多晶硅42的另一側(cè)，與第二摻雜區(qū)21的摻雜類型相反，如圖5所示。

本實(shí)施例中，具體的，在所述像素區(qū)100內(nèi)對(duì)所述半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行離子注入，在與所述第二摻雜區(qū)21相對(duì)的所述柵極多晶硅42的另一側(cè)形成第三摻雜區(qū)31的方法包括：在所述半導(dǎo)體襯底10、柵極多晶硅42和柵極氧化層41的表面上形成第二圖形化的光刻膠層(圖中未示出)，定義出第二摻雜區(qū)的位置，以所述第二圖形化的光刻膠層為掩膜對(duì)所述半導(dǎo)體襯底10進(jìn)行第二次離子注入，在所述半導(dǎo)體襯底10中、所述第二摻雜區(qū)21與所述柵極多晶硅42相對(duì)的另一側(cè)形成第三摻雜區(qū)31；去除所述第二圖形化的光刻膠層。本發(fā)明具體實(shí)施例中，第三摻雜區(qū)31為N型摻雜區(qū)。

在步驟S03中，在所述半導(dǎo)體襯底上沉積介質(zhì)層50，通過曝光與刻蝕，形成柵極側(cè)墻43，如圖6所示。

本實(shí)施例中，所述介質(zhì)層50包括第一氧化硅層、氮化硅層以及第二氧化硅層，本發(fā)明的其他實(shí)施例中，可以是氧化硅層、氮化硅層等其他的組合。所述側(cè)墻43的形成步驟包括：在所述介質(zhì)層50表面形成光刻膠層(圖中未示出)；對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光與顯影形成圖案化的光刻膠層；以圖案化的光刻膠層為掩膜，對(duì)所述介質(zhì)層50進(jìn)行刻蝕形成側(cè)墻43，然后去除所述圖案化的光刻膠層，在所述像素區(qū)100內(nèi)形成傳輸晶體管40，在所述邏輯區(qū)200內(nèi)形成晶體管40’。在該過程中，所述半導(dǎo)體襯底10上剩余的介質(zhì)層的厚度為

在步驟S04中，在所述半導(dǎo)體襯底10上涂覆第一光刻膠60，通過曝光與顯影，形成圖像化的第一光刻膠，暴露出所述邏輯區(qū)200內(nèi)的源漏區(qū)，形成如圖7所述的圖形。

在步驟S05中，去除所述源漏區(qū)內(nèi)部分厚度的介質(zhì)層50，進(jìn)行N型或P型源漏注入，形成源/漏極201，然后去除所述第一光刻膠60，形成如圖8所示的圖形。

本實(shí)施例中，進(jìn)行N型或P型源漏注入之前，所述邏輯區(qū)內(nèi)源漏區(qū)上剩余的介質(zhì)層50的厚度為

需要說明的是，如果既需要進(jìn)行N型注入也需要進(jìn)行P型注入，則步驟S04與步驟S05需要重復(fù)進(jìn)行。例如，在所述半導(dǎo)體襯底10上涂覆第一光刻膠60，通過曝光與顯影，形成圖像化的第一光刻膠，暴露出所述邏輯區(qū)200內(nèi)需要進(jìn)行N型注入的源漏區(qū)，去除該源漏區(qū)內(nèi)部分厚度的介質(zhì)層50，進(jìn)行N型源漏注入，形成源/漏極，然后去除所述第一光刻膠60；然后在所述半導(dǎo)體襯底10上涂覆第一光刻膠60，通過曝光與顯影，形成圖像化的第一光刻膠，暴露出所述邏輯區(qū)200內(nèi)需要進(jìn)行P型注入的源漏區(qū)，去除該源漏區(qū)內(nèi)部分厚度的介質(zhì)層50，進(jìn)行P型源漏注入，形成源/漏極，然后去除所述第一光刻膠60，最終在所述邏輯區(qū)200形成CMOS或/和PMOS晶體管。

在步驟S06中，在所述半導(dǎo)體襯底10上涂覆第二光刻膠70，通過曝光與顯影，暴露出所述像素區(qū)100內(nèi)的感光二極管區(qū)，如圖9所示。

在步驟S07中，對(duì)所述感光二極管區(qū)進(jìn)行離子注入，在所述半導(dǎo)體襯底10表面形成第一摻雜區(qū)32，如圖10所示。

所述第一摻雜區(qū)32的形成方法與上述第三摻雜區(qū)31的形成方法相似。所述第一摻雜區(qū)32為P型摻雜，離子注入工藝中注入的離子為硼(B)離子，也可以是其他已知的P型離子。所述第一摻雜區(qū)32與第三摻雜區(qū)31構(gòu)成感光二極管30。

在進(jìn)行離子注入形成第一摻雜區(qū)32時(shí)，半導(dǎo)體襯底10上存在有厚度的介質(zhì)層50，不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體襯底的表面造成損傷，從而不會(huì)影響感光二極管30的表面。本實(shí)施例僅在進(jìn)行N型源漏離子注入和P型源漏離子注入前進(jìn)行介質(zhì)層刻蝕，與現(xiàn)有技術(shù)相比，僅增加了一次介質(zhì)層的刻蝕。

接著，對(duì)所述第二摻雜區(qū)21進(jìn)行離子注入，在所述第二摻雜區(qū)21中形成第四摻雜區(qū)22，所述第四摻雜區(qū)22與所述第二摻雜區(qū)21的摻雜類型相反。第二摻雜區(qū)21和所述第四摻雜區(qū)22構(gòu)成浮置擴(kuò)散區(qū)20，形成如圖11所示的圖形。

本發(fā)明具體實(shí)施例中，第四摻雜區(qū)22與第三摻雜區(qū)31的摻雜類型相同，都為N型摻雜區(qū)；第一摻雜區(qū)32與第二摻雜區(qū)21的摻雜類型相同，都為P型摻雜。后續(xù)還包括形成自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層等工藝步驟，最終形成COMS圖像傳感器。

本發(fā)明提供的COMS圖像傳感器的制作方法，在邏輯區(qū)進(jìn)行N型或P型源漏注入時(shí)，先在所述半導(dǎo)體襯底上涂覆第一光刻膠，通過曝光與顯影暴露出需要進(jìn)行源漏注入的源漏區(qū)，然后刻蝕部分厚度的介質(zhì)層，進(jìn)行N型或P型源漏注入，由于第一光刻膠的保護(hù)像素區(qū)內(nèi)的介質(zhì)層未被刻蝕，在所述像素區(qū)內(nèi)的感光二極管區(qū)進(jìn)行離子注入時(shí)，所述介質(zhì)層防止離子注入對(duì)感光二極管表面的半導(dǎo)體襯底造成損傷，從而避免因半導(dǎo)體損傷造成的COMS圖像傳感器白點(diǎn)，提高了COMS圖像傳感器的質(zhì)量；并且該方法簡單，便于操作，不會(huì)對(duì)COMS圖像傳感器的性能造成影響。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種COMS圖像傳感器，通過上述COMS圖像傳感器的制作方法形成，請(qǐng)參考圖11，所述COMS圖像傳感器包括：

半導(dǎo)體襯底10，所述半導(dǎo)體襯底10包括像素區(qū)100與邏輯區(qū)200；

位于所述像素區(qū)100內(nèi)的半導(dǎo)體襯底100中的浮置擴(kuò)散區(qū)20、感光二極管30以及傳輸晶體管40；

所述浮置擴(kuò)散區(qū)20包括所述第二摻雜區(qū)21和所述第四摻雜區(qū)22，所述第二摻雜區(qū)21與所述第四摻雜區(qū)22的摻雜類型相反，所述第四摻雜區(qū)22位于所述第二摻雜區(qū)21中；

所述感光二極管30包括第三摻雜區(qū)31和第一摻雜區(qū)32，所述第三摻雜區(qū)31與所述第一摻雜區(qū)32的摻雜類型相反，所述第一摻雜區(qū)32位于所述第三摻雜區(qū)31的上方；所述第三摻雜區(qū)31與第一摻雜區(qū)32的摻雜類型相反；

所述傳輸晶體管40包括：位于所述半導(dǎo)體襯底10上的柵極氧化層41及柵極多晶硅42，位于所述柵極多晶硅42周圍的側(cè)墻43；所述第一摻雜區(qū)32與第四摻雜區(qū)22位于柵極多晶硅42的兩側(cè)，分別作為所述傳輸晶體管40的源極與漏極。

以及位于所述邏輯區(qū)200內(nèi)的半導(dǎo)體襯底20中的晶體管40’，所述晶體管40’包括：位于所述半導(dǎo)體襯底10上的柵極氧化層41及柵極多晶硅42，位于所述柵極多晶硅42周圍的側(cè)墻43，以及位于所述柵極多晶硅42兩側(cè)的源漏極201。

可以理解的是，本實(shí)施例僅在像素區(qū)與邏輯區(qū)各列舉了一個(gè)晶體管，其晶體管實(shí)際數(shù)量并不受限制，例如，在所述像素區(qū)內(nèi)可以形成有傳輸晶體管、復(fù)位晶體管、源跟隨晶體管、行選通晶體管等多個(gè)晶體管，在所述邏輯區(qū)內(nèi)也可以形成有多個(gè)晶體管。

綜上所述，本發(fā)明提供的CMOS圖像傳感器及其制作方法，在邏輯區(qū)進(jìn)行N型或P型源漏注入時(shí)，先在所述半導(dǎo)體襯底上涂覆第一光刻膠，通過曝光與顯影暴露出需要進(jìn)行源漏注入的源漏區(qū)，然后刻蝕部分厚度的介質(zhì)層，進(jìn)行N型或P型源漏注入，由于第一光刻膠的保護(hù)像素區(qū)內(nèi)的介質(zhì)層未被刻蝕，在所述像素區(qū)內(nèi)的感光二極管區(qū)進(jìn)行離子注入時(shí)，所述介質(zhì)層防止離子注入對(duì)感光二極管表面的半導(dǎo)體襯底造成損傷，從而避免因半導(dǎo)體損傷造成的COMS圖像傳感器白點(diǎn)，提高了COMS圖像傳感器的質(zhì)量；并且該方法簡單，便于操作，不會(huì)對(duì)COMS圖像傳感器的性能造成影響。

上述描述僅是對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。