包括說明書、附圖和摘要的2015年8月7日提交的日本專利申請No.2015-157098的公開的全部內(nèi)容以引用方式并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及成像裝置及其制造方法，并且可優(yōu)選地用于例如每個像素由兩個光電二極管形成的成像裝置。

背景技術(shù)：

成像裝置包括每個像素由兩個光電二極管形成的成像裝置。在這種成像裝置中，兩個光電二極管中產(chǎn)生的電子用于調(diào)焦(自動聚焦)并且用于靜止圖片?；趦蓚€光電二極管中的一個光電二極管產(chǎn)生的電子和另一個光電二極管中產(chǎn)生的電子之間的差異來調(diào)焦。因為每個像素在原理上可用于自動對焦，所以據(jù)稱可快速調(diào)焦，特別地講，可平穩(wěn)地拍攝移動圖片。

另一方面，通過將一個光電二極管中產(chǎn)生的電子添加到其他光電二極管中產(chǎn)生的電子來拍攝靜止圖片。也就是說，基于兩個光電二極管中產(chǎn)生的電子的總和來拍攝靜止圖片。專利文獻(xiàn)1作為公開了這種成像裝置的專利文獻(xiàn)的一個示例，可以被引用。

相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

[專利文獻(xiàn)1]日本未經(jīng)審查的專利申請公開No.2000-292685

技術(shù)實現(xiàn)要素：

在光電二極管中，所產(chǎn)生的電子可存儲在其中的電容是受限制的，電容被稱為飽和電子的數(shù)量。當(dāng)所產(chǎn)生的電子的數(shù)量變得大于飽和電子的數(shù)量時，不可存儲的電子可從其中形成光電二極管的區(qū)域泄漏到其他區(qū)域。

當(dāng)調(diào)焦時或者當(dāng)拍攝靜止圖片時，傳輸晶體管傳送光電二極管中產(chǎn)生的電子的時間(時間間隔)相對短，因此在達(dá)到飽和電子的數(shù)量之前，光電二極管中產(chǎn)生的電子被傳輸晶體管傳輸?shù)礁≈脭U(kuò)散區(qū)。

另一方面，當(dāng)拍攝靜止圖片時，時間相對長，因此所產(chǎn)生的電子的數(shù)量達(dá)到飽和電子的數(shù)量，并且不可存儲的電子可從其中形成光電二極管的區(qū)域泄漏到其他區(qū)域中。如上所述，基于兩個光電二極管中產(chǎn)生的電子的總和來拍攝靜止圖片。

因此，存在的問題是，如果所產(chǎn)生電子的數(shù)量變得大于飽和電子的數(shù)量并且如果電子從其中形成光電二極管的區(qū)域泄漏到另一個區(qū)域，則像素中的數(shù)據(jù)不可用作用于靜止圖片的數(shù)據(jù)，并且因此靜止圖片的動態(tài)范圍減小。

根據(jù)本說明書的描述和附圖，其他問題和新特征將變得清楚。

根據(jù)一個實施例的一種成像裝置包括：第一導(dǎo)電類型的元件形成區(qū)；光電轉(zhuǎn)換第一部，其包括第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)第一部；光電轉(zhuǎn)換第二部，其包括第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)第二部；以及所述第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)第三部。所述雜質(zhì)區(qū)第三部形成在所述光電轉(zhuǎn)換第一部和所述光電轉(zhuǎn)換第二部之間，以便接觸所述雜質(zhì)區(qū)第一部和所述雜質(zhì)區(qū)第二部。所述雜質(zhì)區(qū)第三部的雜質(zhì)濃度被設(shè)置成低于所述雜質(zhì)區(qū)第一部和所述雜質(zhì)區(qū)第二部的雜質(zhì)濃度。

根據(jù)另一個實施例的一種成像裝置的制造方法是設(shè)置有光電轉(zhuǎn)換第一部和光電轉(zhuǎn)換第二部的成像裝置的制造方法，并且包括以下步驟。在半導(dǎo)體襯底中，形成第一導(dǎo)電類型的元件形成區(qū)。形成第一掩模構(gòu)件，所述第一掩模構(gòu)件具有第一開口和第二開口二者，所述第一開口在所述元件形成區(qū)中露出其中將形成所述光電轉(zhuǎn)換第一部的區(qū)域第一部，所述第二開口在所述元件形成區(qū)中露出其中將形成光電轉(zhuǎn)換第二部的區(qū)域第二部，所述光電轉(zhuǎn)換第二部將與所述光電轉(zhuǎn)換第一部分隔開。通過使用所述第一掩模構(gòu)件作為注入掩模，注入第二導(dǎo)電類型的第一注入量的第一雜質(zhì)。形成第二掩模構(gòu)件，所述第二掩模構(gòu)件具有第三開口，所述第三開口在所述元件形成區(qū)中連續(xù)露出位于所述區(qū)域第一部和所述區(qū)域第二部之間的所述元件形成區(qū)的所述區(qū)域第一部、所述區(qū)域第二部和區(qū)域第三部。通過使用所述第二掩模構(gòu)件作為注入掩模，注入所述第二導(dǎo)電類型的第二注入量的第二雜質(zhì)。通過注入所述第一雜質(zhì)的步驟和注入所述第二雜質(zhì)的步驟，在所述區(qū)域第一部中形成所述第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)第一部。在所述區(qū)域第二部中形成所述第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)第二部。在所述區(qū)域第三部中形成所述第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)第三部，所述雜質(zhì)區(qū)第三部的雜質(zhì)濃度低于所述雜質(zhì)區(qū)第一部和所述雜質(zhì)區(qū)第二部的雜質(zhì)濃度。

根據(jù)一個實施例的成像裝置，可抑制靜止圖片的動態(tài)范圍減小。

根據(jù)另一個實施例的成像裝置的制造方法，可制造其中可抑制靜止圖片的動態(tài)范圍減小的成像裝置。

附圖說明

圖1是根據(jù)各實施例的成像裝置中的像素的電路圖；

圖2是根據(jù)第一實施例的成像裝置的平面圖；

圖3是第一實施例中的沿著圖2中示出的剖線III-III截取的剖視圖；

圖4是示出第一實施例中的成像裝置的制造方法的一個步驟的剖視圖；

圖5是示出第一實施例中的圖4中示出的步驟之后執(zhí)行的步驟的剖視圖；

圖6是示出第一實施例中的圖5中示出的步驟之后執(zhí)行的步驟的剖視圖；

圖7是示出第一實施例中的圖6中示出的步驟之后執(zhí)行的步驟的平面圖；

圖8是第一實施例中的沿著圖7中示出的剖線VIII-VIII截取的剖視圖；

圖9是示出第一實施例中的圖7和圖8中示出的步驟之后執(zhí)行的步驟的平面圖；

圖10是第一實施例中的沿著圖9中示出的剖線X-X截取的剖視圖；

圖11是示出第一實施例中的圖9和圖10中示出的步驟之后執(zhí)行的步驟的剖視圖；

圖12是示出第一實施例中的圖11中示出的步驟之后執(zhí)行的步驟的剖視圖；

圖13是示出第一實施例中的圖12中示出的步驟之后執(zhí)行的步驟的剖視圖；

圖14是根據(jù)比較例的成像裝置的平面圖；

圖15是沿著圖14中示出的剖線XV-XV截取的剖視圖；

圖16是用于說明根據(jù)比較例的成像裝置的問題的視圖，其中，示意性地示出了其中形成光電二極管的區(qū)域的結(jié)構(gòu)和對應(yīng)于該結(jié)構(gòu)的電勢二者；

圖17是用于說明第一實施例中的操作和效果的視圖，其中，示意性地示出了其中形成光電二極管的區(qū)域的結(jié)構(gòu)和對應(yīng)于該結(jié)構(gòu)的電勢二者；

圖18是根據(jù)第二實施例的成像裝置的平面圖；

圖19是第二實施例中的沿著圖18中示出的剖線XIX-XIX截取的剖視圖；

圖20是示出第二實施例中的成像裝置的制造方法的一個步驟的平面圖；

圖21是第二實施例中的沿著圖20中示出的剖線XXI-XXI截取的剖視圖；

圖22是第二實施例中的圖20和圖21中示出的步驟之后執(zhí)行的步驟的平面圖；

圖23是第二實施例中的沿著圖22中示出的剖線XXIII-XXIII截取的剖視圖；

圖24是根據(jù)第三實施例的成像裝置的平面圖；

圖25是第三實施例中的沿著圖24中示出的剖線XXV-XXV截取的剖視圖；

圖26是第三實施例中的沿著圖24中示出的剖線XXVI-XXVI截取的剖視圖；

圖27是第三實施例中的沿著圖24中示出的剖線XXVII-XXVII截取的剖視圖；

圖28是示出第三實施例中的成像裝置的制造方法的一個步驟的平面圖；

圖29是第三實施例中的分別沿著圖28中示出的剖線XXIXa-XXIXa、XXIXb-XXIXb和XXIXc-XXIXc截取的剖視圖；

圖30是示出第三實施例中的圖28和圖29中示出的步驟之后執(zhí)行的步驟的平面圖；

圖31是第三實施例中的分別沿著圖30中示出的剖線XXXIa-XXXIa、XXXIb-XXXIb和XXXIc-XXXIc截取的剖視圖；

圖32是示出第三實施例中的圖30和圖31中示出的步驟之后執(zhí)行的步驟的平面圖；

圖33是第三實施例中的分別沿著圖32中示出的剖線XXXIIIa-XXXIIIa、XXXIIIb-XXXIIIb和XXXIIIc-XXXIIIc截取的剖視圖；

圖34是示出第三實施例中的圖32和圖33中示出的步驟之后執(zhí)行的步驟的平面圖；

圖35是第三實施例中的分別沿著圖34中示出的剖線XXXVa-XXXVa、XXXVb-XXXVb和XXXVc-XXXVc截取的剖視圖；

圖36是根據(jù)第四實施例的成像裝置的平面圖；

圖37是第四實施例中的沿著圖36中示出的剖線XXXVII-XXXVII截取的剖視圖；

圖38是第四實施例中的沿著圖36中示出的剖線XXXVIII-XXXVIII截取的剖視圖；

圖39是第四實施例中的沿著圖36中示出的剖線XXXIX-XXXIX截取的剖視圖；

圖40是根據(jù)第五實施例的成像裝置的平面圖；

圖41是示出第五實施例中的成像裝置的制造方法的一個步驟的平面圖；

圖42是示出第五實施例中的圖41中示出的步驟之后執(zhí)行的步驟的平面圖；

圖43是根據(jù)第六實施例的成像裝置的平面圖；

圖44是根據(jù)第七實施例的成像裝置的平面圖；

圖45是根據(jù)第八實施例的成像裝置的平面圖；

圖46是根據(jù)第九實施例的成像裝置的平面圖；

圖47是第九實施例中的沿著圖36中示出的剖線XLVII-XLVII截取的剖視圖；

圖48是示出第九實施例中的成像裝置的制造方法的一個步驟的剖視圖；

圖49是示出第九實施例中的圖48中示出的步驟之后執(zhí)行的步驟的剖視圖；

圖50是根據(jù)第十實施例的成像裝置的平面圖；

圖51是第十實施例中的沿著圖50中示出的剖線LI-LI截取的剖視圖；

圖52是示出第十實施例中的成像裝置的制造方法的一個步驟的平面圖；

圖53是第十實施例中的沿著圖52中示出的剖線LIII-LIII截取的剖視圖；

圖54是示出第十實施例中的圖52和圖53中示出的步驟之后執(zhí)行的步驟的平面圖；

圖55是第十實施例中的沿著圖54中示出的剖線LV-LV截取的剖視圖；

圖56是示出第十實施例中的圖54和圖55中示出的步驟之后執(zhí)行的步驟的平面圖；以及

圖57是第十實施例中的沿著圖56中示出的剖線LVII-LVII截取的剖視圖。

具體實施方式

首先，將簡要描述成像裝置中的像素的電路。如圖1中所示，成像裝置IS中的一個像素具有兩個光電二極管PD。兩個光電二極管PD中產(chǎn)生的電荷將受包括兩個傳輸晶體管TT、一個放大器晶體管AMI、一個選擇晶體管SEL和一個重置晶體管RST的五個晶體管控制。下文中，將在各實施例中具體描述像素的結(jié)構(gòu)。

第一實施例

本文中，將描述成像裝置的第一示例，成像裝置在兩個光電二極管之間設(shè)置有具有相對低雜質(zhì)濃度的n型雜質(zhì)區(qū)。

如圖2和圖3中所示，在半導(dǎo)體襯底SUB的表面中通過隔離絕緣膜STI限定了像素區(qū)PER，并且在像素區(qū)PER中形成了p型阱PW(元件形成區(qū))。在p型阱PW中限定了光電二極管形成區(qū)PDR。在像素區(qū)PER中形成了作為像素晶體管PXT的放大器晶體管AMI、選擇晶體管SEL和重置晶體管RST。諸如放大器晶體管AMI的像素晶體管PXT由柵極GEN、源/漏區(qū)NSD等形成。

在一個光電二極管形成區(qū)PDR中形成光電二極管PDA(光電轉(zhuǎn)換第一部)和光電二極管PDB(光電轉(zhuǎn)換第二部)。光電二極管PDA和光電二極管PDB中的每個包括n型雜質(zhì)區(qū)NR。光電二極管PDA和光電二極管PDB被形成為彼此分隔開。

在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR。n型雜質(zhì)區(qū)NMR被形成為接觸一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR和另一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR中的每個。n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度被設(shè)置成小于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度。p型雜質(zhì)區(qū)PSR被形成為接觸n型雜質(zhì)區(qū)NR和NMR?？狗瓷淠RF等被形成為覆蓋光電二極管PDA和PDB(p型雜質(zhì)區(qū)PSR)等。

傳輸晶體管TT的柵極GET和浮置擴(kuò)散區(qū)FD形成在光電二極管形成區(qū)PDR的側(cè)面。光電二極管PDA和PDB中產(chǎn)生的電子被柵極GET傳輸?shù)礁≈脭U(kuò)散區(qū)FD。傳輸電子被暫時存儲在浮置擴(kuò)散區(qū)FD中。

第一層間絕緣膜IL1被形成為覆蓋光電二極管PDA和PDB、柵極GET和GEN等。多個塞PG被形成為穿透第一層間絕緣膜。一個塞PG電耦合到浮置擴(kuò)散區(qū)FD。另一個塞PG電耦合到源/漏區(qū)NSD對中的一個。又一個塞PG電耦合到源/漏區(qū)NSD中的另一個。第一布線M1耦合到塞PG中的每個。

另外，多個布線和層間絕緣膜(都未示出)被形成為覆蓋第一布線M1。此外，鈍化膜、濾色器、顯微鏡頭等(都未示出)被形成為覆蓋層間絕緣膜(參見雙點劃線框架)。如上所述地構(gòu)成了成像裝置的主要部分。

隨后，將描述以上提到的成像裝置的制造方法的示例。如圖4中所示，首先例如通過溝槽隔離方法形成隔離絕緣膜STI。通過隔離絕緣膜STI限定像素區(qū)PER等。隨后，如圖5中所示，形成將用作元件形成區(qū)的p型阱PW。另外，圍繞隔離絕緣膜STI形成p型隔離注入?yún)^(qū)PIR。隨后，如圖6中所示，形成傳輸晶體管TT的柵極GET和像素晶體管PXT的柵極GEN。

隨后，如圖7和圖8中所示，通過執(zhí)行預(yù)定光刻處理來形成光致抗蝕劑圖案PR1。在光致抗蝕劑圖案PR1中，形成開口KC(第三開口)，開口KC連續(xù)露出其中將形成光電二極管PDA的區(qū)域AR(區(qū)域第一部)、其中將形成光電二極管PDB的區(qū)域BR(區(qū)域第二部)和位于區(qū)域AR和區(qū)域BR之間的區(qū)域CR(區(qū)域第三部)。隨后，通過使用作為注入掩模的光致抗蝕劑圖案PR1，注入預(yù)定注入量(第二注入量)的n型雜質(zhì)。由此，在露出的p型阱PW(區(qū)域AR、區(qū)域BR、區(qū)域CR)中形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR。此后，去除光致抗蝕劑圖案PR1。

隨后，如圖9和圖10中所示，通過執(zhí)行預(yù)定光刻處理來形成光致抗蝕劑圖案PR2。在光致抗蝕劑圖案PR2中，露出其中將形成光電二極管PDA的區(qū)域AR的開口KA(第一開口)和露出其中將形成光電二極管PDB的區(qū)域BR的開口KB(第二開口)被形成為彼此分隔開。

隨后，通過使用光致抗蝕劑圖案PR2作為注入掩模來注入另一個預(yù)定注入量(第一注入量)的n型雜質(zhì)。由此，結(jié)合第一注入，在露出的p型阱PW(區(qū)域AR、區(qū)域BR)中的每個中，形成了n型雜質(zhì)區(qū)NR。n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度變得高于n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度。可供選擇地，可在通過執(zhí)行使用光致抗蝕劑圖案PR2作為注入掩模來注入n型雜質(zhì)的步驟之后，執(zhí)行通過使用光致抗蝕劑圖案PR1作為注入掩模來注入n型雜質(zhì)的步驟。

在形成n型雜質(zhì)區(qū)NR之后，去除光致抗蝕劑圖案PR2。隨后，如圖11中所示，通過注入p型雜質(zhì)，在光電二極管形成區(qū)PDR中形成p型雜質(zhì)區(qū)PSR。隨后，如圖12中所示，在光電二極管形成區(qū)PDR中形成抗反射膜ARF等。另外，通過注入n型雜質(zhì)，形成像素晶體管PXT的浮置擴(kuò)散區(qū)FD和源/漏區(qū)NSD。由此，在像素區(qū)PER中，形成了光電二極管PDA和PDB、傳輸晶體管TT和諸如，放大器晶體管的像素晶體管PXT。

隨后，如圖13中所示，例如通過氧化硅膜等形成第一層間絕緣膜IL1，以便覆蓋光電二極管PDA和PDB、傳輸晶體管TT等。隨后，形成其每個均穿透第一層間絕緣膜IL1的塞PG。在第一層間絕緣膜IL1表面的上方，形成將耦合到塞PG的第一布線M1。此后，通過形成多個層間絕緣膜、多條布線、鈍化膜、濾色器、顯微鏡頭等(都未示出)來完成圖2和圖3中示出的成像裝置的主要部分。

在以上提到的成像裝置中，在光電二極管PDA的n型雜質(zhì)區(qū)NR和光電二極管PDB的n型雜質(zhì)區(qū)NR之間，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR。n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度。由此，如果在拍攝靜止圖片時所產(chǎn)生的電子的數(shù)量變得大于飽和電子的數(shù)量，則可防止電子例如從光電二極管形成區(qū)PDR泄漏到浮置擴(kuò)散區(qū)FD。將與根據(jù)比較例的成像裝置的比較來對此進(jìn)行描述。

如圖14和圖15中所示，在根據(jù)比較例的成像裝置中，p型阱PW的一部分位于光電二極管PDA的n型雜質(zhì)區(qū)NR和光電二極管PDB的n型雜質(zhì)區(qū)NR之間。因為除此之外的構(gòu)造類似于圖2和圖3中示出的成像裝置的構(gòu)造，所以將使用類似的參考標(biāo)號指代類似的元件，并且除非必要，否則將不重復(fù)對其的描述。

圖16是示意性地示出在正在根據(jù)比較例的成像裝置中拍攝靜止圖片的狀態(tài)下的光電二極管的剖視圖，其中：上部視圖是示意性地示出當(dāng)光進(jìn)入時產(chǎn)生電子的情形中的剖視圖，以及下部視圖是示意性地示出所產(chǎn)生電子被存儲的情形和與電勢關(guān)系二者的剖視圖。

當(dāng)致使存儲電子時，傳輸晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)并且柵極GET所處的區(qū)域的電勢高度PHT(勢壘)足夠高。另一方面，當(dāng)致使傳輸所存儲的電子時，傳輸晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)并且電勢高度PHT變低，從而允許電子被傳輸?shù)礁≈脭U(kuò)散區(qū)FD。

因為在拍攝靜止圖片的狀態(tài)下，傳輸晶體管TT傳輸光電二極管PDA和PDB中產(chǎn)生的電子的時間相對長，所以例如在一個光電二極管PDB中產(chǎn)生的電子ELE的數(shù)量會容易到達(dá)飽和電子的數(shù)量。此時，位于相鄰光電二極管PDA和PDB之間的電勢高度PHD高于截止?fàn)顟B(tài)中的傳輸晶體管TT的柵極GET所處的區(qū)域的電勢高度PHT。因此，如圖16的下部視圖中所示(參見雙箭頭)，沒有包括在飽和電子的數(shù)量中的電子將流入浮置擴(kuò)散區(qū)FD。也就是說，溢出電子將泄漏到浮置擴(kuò)散區(qū)FD。

基于兩個光電二極管PDA和PDB中產(chǎn)生的電子總和來拍攝靜止圖片。因此，如果溢出電子泄漏，則像素中的數(shù)據(jù)不可用作為用于靜止圖片的數(shù)據(jù)，因此靜止圖片的動態(tài)范圍減小。

相對于根據(jù)比較例的成像裝置在根據(jù)第一實施例的成像裝置中，在光電二極管PDA和光電二極管PDB之間形成了雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度的n型雜質(zhì)區(qū)NMR。

圖17是示意性地示出在根據(jù)第一實施例的成像裝置中處于正拍攝靜止圖片的狀態(tài)的光電二極管及其外周二者的剖視圖，其中：上部視圖是示意性地示出當(dāng)光進(jìn)入時產(chǎn)生電子的情形的剖視圖；下部視圖是示意性地示出所產(chǎn)生的電子被存儲的情形和與電勢關(guān)系二者的剖視圖。

在根據(jù)第一實施例的成像裝置中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR，因此，如圖17中所示，位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的區(qū)域的電勢高度PHD變得低于截止?fàn)顟B(tài)中的傳輸晶體管TT的柵極GET所處區(qū)域的電勢高度PHT。

因此，即使例如在一個光電二極管PDB中產(chǎn)生的電子ELE的數(shù)量容易達(dá)到飽和電子的數(shù)量，沒有包括在飽和電子的數(shù)量中的電子將從一個光電二極管PDB流入其他光電二極管PDA，這是因為電勢高度PHD變得低于電勢高度PHT(參見雙箭頭)。

所以，即使溢出一個光電二極管PDB的電子已經(jīng)流入到另一個光電二極管PDA，所產(chǎn)生的電子的總數(shù)也幾乎不變。由此，溢出電子可用作用于基于兩個光電二極管PDA和PDB中產(chǎn)生的電子總和而拍攝的靜止圖片的數(shù)據(jù)，由此可防止靜止圖片的動態(tài)范圍減小。

在以上提到的成像裝置中，當(dāng)形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR時，形成作為注入掩模的光致抗蝕劑圖案PR1，在光致抗蝕劑圖案PR1中，形成開口KC，開口KC連續(xù)露出其中將形成光電二極管PDA的區(qū)域AR、其中將形成光電二極管PDB的區(qū)域BR和位于區(qū)域AR和區(qū)域BR之間的區(qū)域CR。

由此，相比于通過使用形成僅僅露出位于區(qū)域AR和區(qū)域BR之間的區(qū)域CR的開口的光致抗蝕劑圖案作為注入掩模的情況，可避免因n型雜質(zhì)區(qū)NMR相對于光電二極管PDA的n型雜質(zhì)NR和光電二極管PDB的n型雜質(zhì)區(qū)NR的位置位移(對準(zhǔn)位移)而可造成的電勢變化，其中通過進(jìn)一步使用光致抗蝕劑圖案PR2作為注入掩模注入n型雜質(zhì)，最終形成n型雜質(zhì)區(qū)NR。

發(fā)明人已經(jīng)進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度(濃度B)與n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度(濃度A)的濃度比(濃度B/濃度A)期望地是1.5至2.5。如果濃度比高于2.5，則電勢高度的減小不充分并且電子變得難以從一個光電二極管PDA(PDB)流向另一個光電二極管PDB(PDA)，因此，這些電子不可用作用于靜止圖片的數(shù)據(jù)。

如果濃度比小于1.5，則電勢高度減小過多，因此造成兩個光電二極管PDA和PDB之間串?dāng)_。因此，不可實現(xiàn)自動對焦。另外，這些電子不可用作用于移動圖片的數(shù)據(jù)。

另外，通過包括光電二極管PDA和光電二極管PDB的兩個光電二極管拍攝靜止圖片和移動圖片并且實現(xiàn)自動對焦。因此，當(dāng)一個像素中的飽和電子的數(shù)量相等時，注入一個光電二極管的n型雜質(zhì)的量可減小。由此，當(dāng)注入n型雜質(zhì)時造成的缺陷所導(dǎo)致的暗電流或暗中白斑也可減少。

另外，通過減少n型雜質(zhì)的量來減小耗盡電勢，由此，可抑制傳輸晶體管TT的導(dǎo)通狀態(tài)電壓，最終可抑制電源電壓，這樣也可有助于功耗減小。

第二實施例

本文中，將描述成像裝置的第二示例，成像裝置在兩個光電二極管之間設(shè)置有具有相對低雜質(zhì)濃度的n型雜質(zhì)區(qū)。

如圖18和圖19中所示，在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMSR。n型雜質(zhì)區(qū)NMSR被形成為接觸一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR和另一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR中的每個。n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度。p型阱PW的表面和n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的底部之間的深度小于p型阱PW的表面和n型雜質(zhì)區(qū)NR的底部之間的深度。因為除此之外的構(gòu)造類似于圖2和圖3中示出的成像裝置的構(gòu)造，所以將用類似的參考標(biāo)號指代類似的構(gòu)件，并且除非必要，否則將不重復(fù)對其的描述。

隨后，將描述以上提到的成像裝置的制造方法的示例。如圖20和圖21中所示，通過執(zhí)行與圖4至圖7中示出的步驟類似的步驟，形成光致抗蝕劑圖案PR1。隨后，通過使用光致抗蝕劑圖案PR1作為注入掩模，以相對低的注入能量(第一注入能量)來注入n型雜質(zhì)。由此，在露出的p型阱PW(區(qū)域AR、區(qū)域BR、區(qū)域CR)中形成相對淺的n型雜質(zhì)區(qū)NMSR。在這種情況下，還可通過傾斜地注入n型雜質(zhì)來形成相對淺的n型雜質(zhì)區(qū)NMSR。此后，去除光致抗蝕劑圖案PR1。

隨后，如圖22和圖23中所示，通過執(zhí)行預(yù)定光刻處理來形成光致抗蝕劑圖案PR2。隨后，通過使用光致抗蝕劑圖案PR2作為注入掩模，以高于第一注入能量的注入能量注入n型雜質(zhì)。由此，結(jié)合第一注入，在露出的p型阱PW(區(qū)域AR、區(qū)域BR)中的每個中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NR。n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度變得高于n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度。另外，p型阱PW的表面和n型雜質(zhì)區(qū)NR的底部之間的深度大于p型阱PW的表面和n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的底部之間的深度。

可供選擇地，在執(zhí)行通過使用光致抗蝕劑圖案PR2作為注入掩模來注入n型雜質(zhì)的步驟之后，可執(zhí)行通過使用光致抗蝕劑圖案PR1作為注入掩模來注入n型雜質(zhì)的步驟。

在形成n型雜質(zhì)區(qū)NMSR之后，去除光致抗蝕劑圖案PR2。隨后，通過執(zhí)行與圖11至圖13中示出的步驟類似的步驟，完成圖18和圖19中示出的成像裝置的主要部分。

如果在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中形成n型雜質(zhì)區(qū)，則有可能在這個n型雜質(zhì)區(qū)等中產(chǎn)生電子，并且所產(chǎn)生的電子將流入光電二極管PDA或光電二極管PDB。

因此，在以上提到的n型雜質(zhì)區(qū)等中產(chǎn)生的電子可流入光電二極管PDA或光電二極管PDB，盡管基本上應(yīng)該基于光電二極管PDA中產(chǎn)生的電子和光電二極管PDB中產(chǎn)生的電子來調(diào)焦。也就是說，可造成串?dāng)_，由此自動對焦的準(zhǔn)確性會受到影響。移動圖片的拍攝也會受到影響。

在以上提到的成像裝置中，除了可防止靜止圖片的動態(tài)范圍減小的效果之外，還可得到以下效果。也就是說，在上述成像裝置中，n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的底部位于低于之前描述的成像裝置的n型雜質(zhì)區(qū)NMR的底部所處位置的位置。由此，可抑制將在n型雜質(zhì)區(qū)NMSR等中產(chǎn)生的電子的數(shù)量并且可抑制串?dāng)_，這樣可有助于提高對焦的準(zhǔn)確型。另外，移動圖片的拍攝不太可能受到不利影響。

第三實施例

本文中，設(shè)置有各自與紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素對應(yīng)的n型雜質(zhì)區(qū)的成像裝置的示例將被描述為在兩個光電二極管之間設(shè)置有具有相對低雜質(zhì)濃度的n型雜質(zhì)區(qū)的成像裝置的第三示例。

首先，如圖24和圖25中所示，在紅色像素區(qū)RPER中，在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR(N^-型)。n型雜質(zhì)區(qū)NMR被形成為接觸一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR和另一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR中的每個。n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度。

接下來，如圖24和圖26中所示，在綠色像素區(qū)GPER中，在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NWMR(N^--型)。n型雜質(zhì)區(qū)NWMR被形成為接觸一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR和另一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR中的每個。n型雜質(zhì)區(qū)NWMR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度并且小于n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度。

接下來，如圖24和圖27中所示，在藍(lán)色像素區(qū)BPER中，在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NTWR(N^---型)。n型雜質(zhì)區(qū)NTMR被形成為接觸一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR和另一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR中的每個。n型雜質(zhì)區(qū)NTMR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度并且小于n型雜質(zhì)區(qū)NWMR的雜質(zhì)濃度。

隨后，將描述以上提到的成像裝置的制造方法的示例。如圖28和圖29中所示，首先，通過執(zhí)行與圖4至圖7中示出的步驟類似的步驟并之后執(zhí)行預(yù)定光刻處理來形成光致抗蝕劑圖案PR1。在光致抗蝕劑圖案PR1中形成開口KC，開口KC覆蓋綠色像素區(qū)GPER和藍(lán)色像素區(qū)BPER并且露出紅色像素區(qū)RPER中的區(qū)域AR、區(qū)域BR和區(qū)域CR。

隨后，通過使用光致抗蝕劑圖案PR1作為注入掩模來注入預(yù)定注入量的n型雜質(zhì)。由此，在露出的p型阱PW(區(qū)域AR、區(qū)域BR和區(qū)域CR)中形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR。此后，去除光致抗蝕劑圖案PR1。

隨后，如圖30和圖31中所示，通過執(zhí)行預(yù)定光刻處理來形成光致抗蝕劑圖案PR2。在光致抗蝕劑圖案PR2中形成開口KC，開口KC覆蓋紅色像素區(qū)RPER和藍(lán)色像素區(qū)BPER并且露出綠色像素區(qū)GPER中的區(qū)域AR、區(qū)域BR和區(qū)域CR。

隨后，通過使用光致抗蝕劑圖案PR2作為注入掩模來注入預(yù)定注入量的n型雜質(zhì)。由此，在露出的p型阱PW(區(qū)域AR、區(qū)域BR和區(qū)域CR)中形成n型雜質(zhì)區(qū)NWMR。n型雜質(zhì)區(qū)NWMR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度。此后，去除光致抗蝕劑圖案PR2。

隨后，如圖32和圖33中所示，通過執(zhí)行預(yù)定光刻處理來形成光致抗蝕劑圖案PR3。在光致抗蝕劑圖案PR3中形成開口KC，開口KC覆蓋紅色像素區(qū)RPER和綠色像素區(qū)GPER并且露出藍(lán)色像素區(qū)BPER中的區(qū)域AR、區(qū)域BR和區(qū)域CR。

隨后，通過使用光致抗蝕劑圖案PR3作為注入掩模來注入預(yù)定注入量的n型雜質(zhì)。由此，在露出的p型阱PW(區(qū)域AR、區(qū)域BR和區(qū)域CR)中形成n型雜質(zhì)區(qū)NTMR。n型雜質(zhì)區(qū)NTMR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NWMR的雜質(zhì)濃度。此后，去除光致抗蝕劑圖案PR3。

隨后，如圖34和圖35中所示，通過執(zhí)行預(yù)定光刻處理來形成光致抗蝕劑圖案PR4。在光致抗蝕劑圖案PR4中，在紅色像素區(qū)RPER、綠色像素區(qū)GPER和藍(lán)色像素區(qū)BPER中的每個中，露出其中將形成光電二極管PDA的區(qū)域AR的開口KA和露出其中將形成光電二極管PDB的區(qū)域BR的開口KB被形成為彼此分隔開。

隨后，通過使用光致抗蝕劑圖案PR4作為注入掩模來注入預(yù)定注入量的n型雜質(zhì)。由此，結(jié)合截至目前執(zhí)行的注入，在露出的p型阱PW(區(qū)域AR、區(qū)域BR)中的每個中形成n型雜質(zhì)區(qū)NR。n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度變得高于n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度?？晒┻x擇地，例如，在通過使用光致抗蝕劑圖案PR1作為注入掩模來注入n型雜質(zhì)的步驟之前，可執(zhí)行通過使用光致抗蝕劑圖案PR4作為注入掩模來注入n型雜質(zhì)的步驟。

在形成n型雜質(zhì)區(qū)NR之后，去除光致抗蝕劑圖案PR4。此后，通過執(zhí)行與圖11至圖13中示出的步驟類似的步驟，完成圖24至圖27中示出的成像裝置的主要部分。

在以上提到的成像裝置中，除了可防止靜止圖片的動態(tài)范圍減小的效果之外，還可得到以下效果。

首先，光電二極管的相對淺的區(qū)域中產(chǎn)生的電子量取決于波長，并且隨著波長變短，該電子量變大。在其中形成紅色像素區(qū)RPER、綠色像素區(qū)GPER和藍(lán)色像素區(qū)BPER的成像裝置中，藍(lán)色像素區(qū)BPER中產(chǎn)生的電子量最大。綠色像素區(qū)GPER中產(chǎn)生的電子量第二大。紅色像素區(qū)RPER中產(chǎn)生的電子量最小。

本文中，假設(shè)對于紅色像素區(qū)RPER、綠色像素區(qū)GPER和藍(lán)色像素區(qū)BPER，形成n型雜質(zhì)量區(qū)域的注入條件彼此相同。也就是說，假設(shè)紅色像素區(qū)RPER、綠色像素區(qū)GPER和藍(lán)色像素區(qū)BPER中的每個中形成的n型雜質(zhì)區(qū)的雜質(zhì)濃度彼此相等。在這種情況下，在藍(lán)色像素區(qū)BPER中，因n型雜質(zhì)區(qū)等中產(chǎn)生的流入光電二極管PDA或光電二極管PDB的電子造成的串?dāng)_對自動對焦準(zhǔn)確性的不利影響最大；在綠色像素區(qū)GPER中，對自動對焦準(zhǔn)確性的不利影響第二大；在紅色像素區(qū)RPER中，對自動對焦準(zhǔn)確性的不利影響最小。

在以上提到的成像裝置中，藍(lán)色像素區(qū)BPER中形成的n型雜質(zhì)區(qū)NTMR的雜質(zhì)濃度最低；綠色像素區(qū)GPER中形成的n型雜質(zhì)區(qū)NWMR的雜質(zhì)濃度第二低；紅色像素區(qū)RPER中形成的n型雜質(zhì)區(qū)NWR的雜質(zhì)濃度最高。

也就是說，以紅色像素區(qū)RPER、綠色像素區(qū)GPER和藍(lán)色像素區(qū)BPER為次序，n型雜質(zhì)區(qū)NMR、NWR和NTMR的雜質(zhì)濃度逐漸降低，其中，更有可能以此次序影響自動對焦的準(zhǔn)確性。由此，可抑制流入光電二極管PDA或光電二極管PDB的電子的數(shù)量(串?dāng)_)，因此可抑制自動對焦的準(zhǔn)確性劣化。

第四實施例

本文中，設(shè)置有各自與紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素對應(yīng)的n型雜質(zhì)區(qū)的成像裝置的示例將被描述為在兩個光電二極管之間設(shè)置有具有相對低雜質(zhì)濃度的n型雜質(zhì)區(qū)的成像裝置的第四示例。

首先，如圖36和圖37中所示，在紅色像素區(qū)RPER中，在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMSR(N^-型)。n型雜質(zhì)區(qū)NMSR被形成為接觸一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR和另一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR中的每個。n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度。p型阱PW的表面和n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的底部之間的深度(第一深度)小于p型阱PW的表面和n型雜質(zhì)區(qū)NR的底部之間的深度。

接下來，如圖36和圖38中所示，在綠色像素區(qū)GPER中，在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMSR(N^-型)。n型雜質(zhì)區(qū)NMSR被形成為接觸一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR和另一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR中的每個。n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度。p型阱PW的表面和n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的底部之間的深度(第二深度)小于p型阱PW的表面和n型雜質(zhì)區(qū)NR的底部之間的深度，并且還小于紅色像素區(qū)RPER中的第一深度。

接下來，如圖36和圖39中所示，在藍(lán)色像素區(qū)BPER中，在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMSR(N^-型)。n型雜質(zhì)區(qū)NMSR被形成為接觸一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR和另一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR中的每個。n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度。p型阱PW的表面和n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的底部之間的深度(第三深度)小于p型阱PW的表面和n型雜質(zhì)區(qū)NR的底部之間的深度，并且還小于綠色像素區(qū)GPER中的第二深度。

因為，除此之外的構(gòu)造與圖24至圖27中示出的成像裝置的構(gòu)造類似，所以將使用類似的參考標(biāo)號來指代類似的構(gòu)件，并且除非必要，否則將不重復(fù)對其的描述。

以上提到的成像裝置基本上是通過將第二實施例中描述的制造方法應(yīng)用于紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素中的每個來制造的。特別地講，假設(shè)用于在紅色像素區(qū)RPER中形成n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的注入能量被稱為注入能量A；用于在綠色像素區(qū)GPER中形成n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的注入能量被稱為注入能量B；用于在藍(lán)色像素區(qū)BPER中形成n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的注入能量被稱為注入能量C。

在這種情況下，通過將各個注入能量設(shè)置成滿足注入能量C<注入能量B<注入能量A，形成在綠色像素區(qū)GPER中的n型雜質(zhì)區(qū)NWMR的第二深度變得小于形成在紅色像素區(qū)RPER中的n型雜質(zhì)區(qū)NMR的第一深度。形成在藍(lán)色像素區(qū)BPER中的n型雜質(zhì)區(qū)NTMR的第三深度變得小于形成在綠色像素區(qū)GPER中的n型雜質(zhì)區(qū)NWMR的第二深度。

在以上提到的成像裝置，除了可防止靜止圖片的動態(tài)范圍減小的效果之外，還可得到以下效果。

類似于以上提到的描述，如果在紅色像素區(qū)RPER、綠色像素區(qū)GPER和藍(lán)色像素區(qū)BPER中的每個中形成n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的注入條件彼此相同，則以紅色像素區(qū)RPER、綠色像素區(qū)GPER和藍(lán)色像素區(qū)BPER為次序，更有可能造成串?dāng)_并且因此更有可能影響自動對焦的準(zhǔn)確性。

在以上提到的成像裝置中，以紅色像素區(qū)RPER、綠色像素區(qū)GPER和藍(lán)色像素區(qū)BPER為次序，n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的深度逐漸減小，其中，更有可能以此次序影響自動對焦的準(zhǔn)確性。由此，可抑制流入光電二極管PDA或光電二極管PDB的電子的數(shù)量(串?dāng)_)，因此可抑制自動對焦的準(zhǔn)確性劣化。

第五實施例

本文中，將描述成像裝置的第五示例，成像裝置在兩個光電二極管之間設(shè)置有具有相對低雜質(zhì)濃度的n型雜質(zhì)區(qū)。

如圖40中所示，在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR。n型雜質(zhì)區(qū)NMR被形成為接觸一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR和另一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR中的每個。n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度。從平面圖看得到的n型雜質(zhì)區(qū)NMR的區(qū)域(布局區(qū))小于從平面圖看得到的例如圖2中示出的n型雜質(zhì)區(qū)NMR的區(qū)域。

具體地講，在方向(第二方向)上延伸的n型雜質(zhì)區(qū)NMR的長度小于在第二方向上延伸的n型雜質(zhì)區(qū)NR的長度，第二方向幾乎垂直于其中一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR和另一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR彼此分隔開的方向(第一方向)。本文中，沿著與n型雜質(zhì)區(qū)NMR交叉的剖線的截取的剖視圖與圖3中示出的剖視圖相同。因為除此之外的構(gòu)造類似于圖2中示出的成像裝置的構(gòu)造，所以將使用類似的參考標(biāo)號指代類似的構(gòu)件，并且除非必要，將不再重復(fù)對其的描述。

隨后，將描述以上提到的成像裝置的制造方法的示例。首先，如圖41中所示，通過執(zhí)行與圖4至圖7中示出的步驟類似的步驟并之后執(zhí)行預(yù)定光刻處理來形成光致抗蝕劑圖案PR1。在光致抗蝕劑圖案PR1中形成開口KC，開口KC露出區(qū)域AR、區(qū)域BR和區(qū)域CR的部分。隨后，通過使用光致抗蝕劑圖案PR1作為注入掩模來注入預(yù)定注入量(第二注入量)的n型雜質(zhì)。由此，在露出的p型阱PW(區(qū)域AR、區(qū)域BR和區(qū)域CR的部分)中形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR。此后，去除光致抗蝕劑圖案PR1。

隨后，如圖42中所示，通過執(zhí)行預(yù)定光刻處理來形成光致抗蝕劑圖案PR2。在光致抗蝕劑圖案PR2中，露出區(qū)域AR的開口KA和露出區(qū)域BR的開口KB被形成為彼此分隔開。隨后，通過使用光致抗蝕劑圖案PR2作為注入掩模來注入另一個預(yù)定注入量(第一注入量)的n型雜質(zhì)。由此，在露出的p型阱PW(區(qū)域AR、區(qū)域BR)的每個中形成n型雜質(zhì)區(qū)NR。n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度變得高于n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度。

可供選擇地，可在執(zhí)行通過使用光致抗蝕劑圖案PR2作為注入掩模來注入n型雜質(zhì)的步驟之后，執(zhí)行通過使用光致抗蝕劑圖案PR1作為注入掩模來注入n型雜質(zhì)的步驟。

在形成n型雜質(zhì)區(qū)NR之后，去除光致抗蝕劑圖案PR2。此后，通過執(zhí)行與圖11至圖13中示出的步驟類似的步驟，完成圖40中示出的成像裝置的主要部分。

在以上提到的成像裝置中，除了可防止靜止圖片的動態(tài)范圍減小的效果之外，還可得到以下效果。也就是說，在以上提到的成像裝置中，在第二方向上延伸的n型雜質(zhì)區(qū)NMR的長度小于在第二方向上延伸的n型雜質(zhì)區(qū)NR的長度，并且n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)小于例如圖2中示出的成像裝置的n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)。由此，可抑制n型雜質(zhì)區(qū)NMR等中產(chǎn)生的電子的數(shù)量并且可抑制串?dāng)_，這樣可有助于提高對焦準(zhǔn)確性。另外，移動圖片的拍攝不太可能受到不利影響。

第六實施例

本文中，將描述成像裝置的第六示例，成像裝置在兩個光電二極管之間設(shè)置有具有相對低雜質(zhì)濃度的n型雜質(zhì)區(qū)。

如圖43中所示，在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR。n型雜質(zhì)區(qū)NMR被形成為接觸一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR和另一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR中的每個。n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度。n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)小于例如圖2中示出的n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)。n型雜質(zhì)區(qū)NMR形成在布置傳輸晶體管TT的柵極GET的一側(cè)。

本文中，沿著與n型雜質(zhì)區(qū)NMR交叉的剖線截取的剖視圖與圖3中示出的剖視圖相同。因為除此之外的構(gòu)造類似于圖2中示出的成像裝置的構(gòu)造，所以將使用類似的參考標(biāo)號指代類似的構(gòu)件，并且除非必要，將不再重復(fù)對其的描述。

可通過應(yīng)用第五實施例中描述的制造方法來形成以上提到的成像裝置，其中僅僅改變光致抗蝕劑圖案PR1的開口圖案，也就是說，其中在露出區(qū)域AR、BR和CR的開口(參見圖41)中露出區(qū)域CR的開口的一部分位于柵極GET側(cè)的光致抗蝕劑圖案被形成為光致抗蝕劑圖案PR1。通過使用光致抗蝕劑圖案作為注入掩模來注入n型雜質(zhì)，最終在傳輸晶體管TT的柵極GET側(cè)形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR。

在以上提到的成像裝置中，除了可防止靜止圖片的動態(tài)范圍減小的效果之外，還可得到以下效果。也就是說，在以上提到的成像裝置中，n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)小于例如圖2中示出的成像裝置的n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)。由此，可抑制n型雜質(zhì)區(qū)NMR等中產(chǎn)生的電子的數(shù)量并且可抑制串?dāng)_，這樣可有助于提高對焦準(zhǔn)確性。另外，移動圖片的拍攝不太可能受到不利影響。

另外，n型雜質(zhì)區(qū)NMR形成在布置傳輸晶體管TT的柵極GET的一側(cè)。由此，將n型雜質(zhì)區(qū)NMR等中產(chǎn)生的電子傳輸?shù)礁≈脭U(kuò)散區(qū)FD變得更容易，這樣可改進(jìn)傳輸特性。

第七實施例

本文中，將描述成像裝置的第七示例，成像裝置在兩個光電二極管之間設(shè)置有具有相對低雜質(zhì)濃度的n型雜質(zhì)區(qū)。

如圖44中所示，在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR。n型雜質(zhì)區(qū)NMR被形成為接觸一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR和另一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR中的每個。n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度。n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)小于例如圖2中示出的n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)。n型雜質(zhì)區(qū)NMR形成在布置傳輸晶體管TT的柵極GET的一側(cè)的相對側(cè)。

本文中，沿著與n型雜質(zhì)區(qū)NMR交叉的剖線截取的剖視圖與圖3中示出的剖視圖相同。因為除此之外的構(gòu)造類似于圖2中示出的成像裝置的構(gòu)造，所以將使用類似的參考標(biāo)號指代類似的構(gòu)件，并且除非必要，將不再重復(fù)對其的描述。

可通過應(yīng)用第五實施例中描述的制造方法來形成以上提到的成像裝置，其中僅僅改變光致抗蝕劑圖案PR1的開口圖案。也就是說，其中在露出區(qū)域AR、BR和CR的開口(參見圖41)中露出區(qū)域CR的開口位于布置柵極GET一側(cè)的相對側(cè)的光致抗蝕劑圖案被形成為光致抗蝕劑圖案PR1。通過使用光致抗蝕劑圖案作為注入掩模來注入n型雜質(zhì)，最終在布置傳輸晶體管TT的柵極GET的一側(cè)的相對側(cè)形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR。

在以上提到的成像裝置中，除了可防止靜止圖片的動態(tài)范圍減小的效果之外，還可得到以下效果。也就是說，在以上提到的成像裝置中，n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)小于例如圖2中示出的成像裝置的n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)。由此，可抑制n型雜質(zhì)區(qū)NMR等中產(chǎn)生的電子的數(shù)量并且可抑制串?dāng)_，這樣可有助于提高對焦準(zhǔn)確性。另外，移動圖片的拍攝不太可能受到不利影響。

另外，n型雜質(zhì)區(qū)NMR形成在布置傳輸晶體管TT的柵極GET的一側(cè)的相對側(cè)。因為在柵極GET的側(cè)表面正下方的部分中，p型雜質(zhì)區(qū)PSR的雜質(zhì)濃度有可能變低，所以可能在該部分中造成暗電流或暗中白斑。因此，通過將n型雜質(zhì)區(qū)NMR與可能造成暗電流等的部分分隔開，可以使n型雜質(zhì)區(qū)NMR不太可能受到這種暗電流等影響。

第八實施例

本文中，設(shè)置有各自與紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素對應(yīng)的n型雜質(zhì)區(qū)的成像裝置的另一個示例將被描述為在兩個光電二極管之間設(shè)置有具有相對低雜質(zhì)濃度的n型雜質(zhì)區(qū)的成像裝置的第七示例。

首先，如圖45中所示，在紅色像素區(qū)RPER中，在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR(N^-型)。n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度(參見圖3)。另外，n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)小于例如圖2中示出的n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)。

接下來，在綠色像素區(qū)GPER中，在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NWR(N^-型)。n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度(參見圖3)。另外，n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)小于紅色像素區(qū)RPER的n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)。

接下來，在藍(lán)色像素區(qū)BPER中，在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NWR(N^-型)。n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度(參見圖3)。另外，n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)小于綠色像素區(qū)GPER的n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)。

在紅色像素區(qū)RPER、綠色像素區(qū)GPER和藍(lán)色像素區(qū)BPER中的每個中，沿著與n型雜質(zhì)區(qū)NMR交叉的剖線截取的剖視圖與圖3中示出的剖視圖相同。因為除此之外的構(gòu)造類似于圖19中示出的成像裝置的構(gòu)造，所以將使用類似的參考標(biāo)號指代類似的構(gòu)件，并且除非必要，否則將不重復(fù)對其的描述。

隨后，將描述以上提到的成像裝置的制造方法的示例。首先，通過執(zhí)行與圖4至圖6中示出的步驟類似的步驟并之后執(zhí)行與圖7中示出的步驟對應(yīng)的步驟，形成光致抗蝕劑圖案(未示出)。在這種情況下，形成具有均露出區(qū)域CR的開口的光致抗蝕劑圖案，區(qū)域CR位于其中將形成光電二極管PDA的區(qū)域AR和其中將形成光電二極管PDB的區(qū)域BR之間，其中，以紅色像素區(qū)RPER、綠色像素區(qū)GPER和藍(lán)色像素區(qū)BPER為次序，開口的區(qū)域越來越小。隨后，通過使用光致抗蝕劑圖案作為注入掩模，注入n型雜質(zhì)。由此，在露出的p型阱PW(區(qū)域AR、區(qū)域BR、區(qū)域CR)中形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR(參見圖8或圖45)。

隨后，通過與圖9和圖10中示出的步驟對應(yīng)的步驟，將n型雜質(zhì)注入其中將形成光電二極管PDA的區(qū)域AR和其中將形成光電二極管PDB的區(qū)域BR中的每個中。由此，結(jié)合第一注入，在露出的p型阱PW(區(qū)域AR、區(qū)域BR)中形成n型雜質(zhì)區(qū)NR(參見圖10)。此后，通過執(zhí)行與圖11至圖13中示出的步驟類似的步驟，完成圖45中示出的成像裝置的主要部分。

在以上提到的成像裝置中，除了可防止靜止圖片的動態(tài)范圍減小的效果之外，還可得到以下效果。

如已經(jīng)描述的，如果在紅色像素區(qū)RPER、綠色像素區(qū)GPER和藍(lán)色像素區(qū)BPER中的每個中形成n型雜質(zhì)區(qū)NMSR的注入條件彼此相同，則以紅色像素區(qū)RPER、綠色像素區(qū)GPER和藍(lán)色像素區(qū)BPER為次序，更有可能影響自動對焦的準(zhǔn)確性。

在以上提到的成像裝置中，以紅色像素區(qū)RPER、綠色像素區(qū)GPER和藍(lán)色像素區(qū)BPER為次序，n型雜質(zhì)區(qū)NMR的布局區(qū)逐漸減小，其中，以此次序，更有可能影響自動對焦的準(zhǔn)確性。由此，可逐漸抑制n型雜質(zhì)區(qū)NMR等中產(chǎn)生的電子的數(shù)量并且可抑制串?dāng)_，因此可抑制自動對焦的準(zhǔn)確性劣化。另外，移動圖片的拍攝不太可能受到不利影響。

第九實施例

本文中，添加了熱處理步驟的制造方法、成像裝置將被描述為在兩個光電二極管之間設(shè)置有具有相對低雜質(zhì)濃度的n型雜質(zhì)區(qū)的成像裝置的第九示例。

如圖46和圖47中所示，在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR，n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度。成像裝置的構(gòu)造與第一實施例中描述的成像裝置的構(gòu)造基本上相同，將使用類似的參考標(biāo)號指代與圖2和圖3中示出的成像裝置的構(gòu)件相同的構(gòu)件，并且除非必要，將不再重復(fù)對其的描述。

隨后，將描述以上提到的成像裝置的制造方法的示例。首先，通過執(zhí)行與圖4至圖8中示出的步驟類似的步驟，形成光致抗蝕劑圖案PR1(參見圖8)。通過使用光致抗蝕劑圖案PR1作為注入掩模，注入n型雜質(zhì)。由此，在露出的p型阱PW(區(qū)域AR、區(qū)域BR、區(qū)域CR)中形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR(參見圖8)。

在去除光致抗蝕劑圖案PR1(參見圖8)之后，如圖48中所示，執(zhí)行熱處理。本文中，當(dāng)使用擴(kuò)散爐時，例如，在700℃或更高的溫度條件下，執(zhí)行熱處理。當(dāng)使用燈退火設(shè)備時，例如，在例如1000℃或更高的溫度條件下，執(zhí)行熱處理。

隨后，通過執(zhí)行與圖8和圖9中示出的步驟類似的步驟，形成光致抗蝕劑圖案PR2(參見圖9)。通過使用光致抗蝕劑圖案PR2作為注入掩模，注入n型雜質(zhì)。由此，結(jié)合第一注入，在露出的p型阱(區(qū)域AR、區(qū)域BR)中的每個中形成n型雜質(zhì)區(qū)NR(參見圖9)。

在去除光致抗蝕劑圖案PR2(參見圖9)之后，如圖49中所示，執(zhí)行熱處理器。另外，在本文中，當(dāng)使用擴(kuò)散爐時，例如，在700℃或更高的溫度下，執(zhí)行熱處理，或者當(dāng)使用燈退火設(shè)備時，例如，在1000℃或更高的溫度條件下，執(zhí)行熱處理。此后，通過執(zhí)行與圖11至圖13中示出的步驟類似的步驟，完成圖46和47中示出的成像裝置的主要部分。

在以上提到的成像裝置中，除了可防止靜止圖片的動態(tài)范圍減小的效果之外，還可得到以下效果。

通過將雜質(zhì)注入其中將形成光電二極管PDA和PDB的p型阱PW中，在p型阱PW中可造成晶體缺陷。因晶體缺陷，可造成暗電流或暗中白斑。

在以上提到的成像裝置的制造方法中，在通過注入n型雜質(zhì)來形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR之后，執(zhí)行熱處理。在通過注入n型雜質(zhì)來形成n型雜質(zhì)區(qū)NR之后，進(jìn)一步執(zhí)行熱處理。由此，即使因n型雜質(zhì)的第一次注入而在p型阱PW中造成晶體缺陷，也可通過熱處理恢復(fù)晶體缺陷。

另外，即使因n型雜質(zhì)的第二次注入而在p型阱PW中造成晶體缺陷，也可通過熱處理來恢復(fù)晶體缺陷。即使因注入雜質(zhì)而在p型阱PW中造成晶體缺陷，也可因此確實地恢復(fù)晶體缺陷。結(jié)果，可確實地減少暗電流或暗中白斑。

在以上提到的成像裝置的制造方法中，已經(jīng)描述了以下情況：在執(zhí)行通過使用光致抗蝕劑圖案PR1作為注入掩模來注入n型雜質(zhì)的步驟之后，執(zhí)行通過使用光致抗蝕劑圖案PR2作為注入掩模來注入n型雜質(zhì)的步驟。與這些步驟相反，可在執(zhí)行通過使用光致抗蝕劑圖案PR2作為注入掩模來注入n型雜質(zhì)的步驟之后，執(zhí)行通過使用光致抗蝕劑圖案PR1作為注入掩模來注入n型雜質(zhì)的步驟?？赏ㄟ^在每個步驟之后執(zhí)行熱處理，確實地恢復(fù)晶體缺陷，由此可確信地減少暗電流等。

第十實施例

本文中，在不添加注入掩模的情況下形成n型雜質(zhì)區(qū)的成像裝置將被描述為在兩個光電二極管之間設(shè)置有具有相對低雜質(zhì)濃度的n型雜質(zhì)區(qū)的成像裝置的第十示例。

如圖50和圖51中所示，在p型阱PW的位于光電二極管PDA和光電二極管PDB之間的部分中，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR，n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度。通過傾斜地注入n型雜質(zhì)來形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR。因為除此之外的構(gòu)造類似于圖2和圖3中示出的成像裝置的構(gòu)造，所以將使用類似的參考標(biāo)號來指代類似的構(gòu)件，并且除非必要，將不再重復(fù)對其的描述。

隨后，將描述以上提到的成像裝置的制造方法。如圖52和53中所示，通過執(zhí)行與圖4至圖6中示出的步驟類似的步驟并之后執(zhí)行預(yù)定光刻處理來形成光致抗蝕劑圖案PR2。在光致抗蝕劑圖案PR2中，露出其中將形成光電二極管PDA的區(qū)域AR的開口KA和露出其中將形成光電二極管PDB的區(qū)域BR的開口KB被形成為彼此分隔開。

隨后，通過使用光致抗蝕劑圖案PR2作為注入掩模，幾乎垂直于半導(dǎo)體襯底SUB的表面(p型阱PW)注入n型雜質(zhì)(參見箭頭尾部的參考標(biāo)號)。由此，在露出的p型阱PW(區(qū)域AR、區(qū)域BR)中形成n型雜質(zhì)區(qū)NR。

隨后，將n型雜質(zhì)傾斜注入p型阱PW的一部分中，該p型阱PW的一部分位于光致抗蝕劑圖案PR2覆蓋開口KA和開口KB之間間隔的一部分的正下方。也就是說，相對于半導(dǎo)體襯底SUB的表面(p型阱PW)的垂直線以預(yù)定角度注入n型雜質(zhì)。如圖54和圖55中所示，以在幾乎垂直于光致抗蝕劑圖案PR2的一部分的延伸方向(相對于紙平面的上下方向)的方向(相對于紙平面的右方向)上具有分量(參見粗體箭頭)的注入角度來注入n型雜質(zhì)。由此，n型雜質(zhì)區(qū)NMR的一部分由區(qū)域AR形成，在區(qū)域AR中，將向著位于光致抗蝕劑圖案PR2的一部分正下方的p型阱PW的一部分形成光電二極管PDA。

隨后，如圖56和圖57中所示，通過在離子注入設(shè)備中改變傾斜角度或凹口角度，以在幾乎垂直于光致抗蝕劑圖案PR2的一部分的延伸方向(相對于紙平面的上下方向)的方向(相對于紙平面的右方向)上具有分量(參見粗體箭頭)的注入角度來注入n型雜質(zhì)。由此，n型雜質(zhì)區(qū)NMR的剩余部分由區(qū)域BR形成，在區(qū)域BR中，將向著位于光致抗蝕劑圖案PR2的一部分正下方的p型阱PW的一部分形成光電二極管PDB。

因此，在光致抗蝕劑圖案PR2的一部分正下方，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR。因傾斜注入，使n型雜質(zhì)區(qū)NMR的雜質(zhì)濃度變得低于n型雜質(zhì)區(qū)NR的雜質(zhì)濃度。n型雜質(zhì)區(qū)NMR被形成為接觸一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR和另一側(cè)的n型雜質(zhì)區(qū)NR中的每個。此后，通過執(zhí)行與圖11至圖13中示出的步驟類似的步驟，完成圖50和圖51中示出的成像裝置的主要部分。

在以上提到的成像裝置中，除了可防止靜止圖片的動態(tài)范圍減小的效果之外，還可得到以下效果。

也就是說，在以上提到的成像裝置的制造方法中，通過使用被形成為在形成n型雜質(zhì)區(qū)NR時的注入掩模的光致抗蝕劑圖案PR2，形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR。因此，不必重新形成用于形成用于形成n型雜質(zhì)區(qū)NMR的注入掩模(光致抗蝕劑圖案)，由此可抑制制造成本增大。

如有必要，則可按各種方式組合各實施例中描述的成像裝置及其制造方法。

以上已經(jīng)基于優(yōu)選實施例具體描述了本發(fā)明人創(chuàng)造的本發(fā)明，但本發(fā)明不應(yīng)該限于優(yōu)選實施例，無須說，可在不脫離本發(fā)明主旨的的范圍內(nèi)，對本發(fā)明進(jìn)行各種修改。

第八實施例包括以下方面。

[附錄1]

一種成像裝置的制造方法，所述成像裝置設(shè)置有第一光電轉(zhuǎn)換第一部、第一光電轉(zhuǎn)換第二部、第二光電轉(zhuǎn)換第一部、第二光電轉(zhuǎn)換第二部、第三光電轉(zhuǎn)換第一部和第三光電轉(zhuǎn)換第二部，所述制造方法包括以下步驟：

在半導(dǎo)體襯底中，形成第一導(dǎo)電類型的第一元件形成區(qū)、所述第一導(dǎo)電類型的第二元件形成區(qū)和所述第一導(dǎo)電類型的第三元件形成區(qū)中的每個；

形成第一掩模構(gòu)件，所述第一掩模固件具有第一開口和第二開口、第三開口和第四開口、第五開口和第六開口，所述第一開口在所述第一元件形成區(qū)中露出其中將形成所述第一光電轉(zhuǎn)換第一部的第一區(qū)域第一部，所述第二開口在所述第一元件形成區(qū)中露出其中將形成第一光電轉(zhuǎn)換第二部的第一區(qū)域第二部，所述第一光電轉(zhuǎn)換第二部將與所述第一光電轉(zhuǎn)換第一部分隔開；

所述第三開口在所述第二元件形成區(qū)中露出其中將形成所述第二光電轉(zhuǎn)換第一部的第二區(qū)域第一部，所述第四開口在所述第二元件形成區(qū)中露出其中將形成所述第二光電轉(zhuǎn)換第二部的第二區(qū)域第二部，所述第二光電轉(zhuǎn)換第二部將與所述第二光電轉(zhuǎn)換第一部分隔開；

所述第五開口在所述第三元件形成區(qū)中露出其中將形成所述第三光電轉(zhuǎn)換第一部的第三區(qū)域第一部，所述第六開口在所述第三元件形成區(qū)中露出其中將形成第三光電轉(zhuǎn)換第二部的第三區(qū)域第二部，所述第三光電轉(zhuǎn)換第二部將與所述第三光電轉(zhuǎn)換第一部分隔開；

通過使用所述第一掩模構(gòu)件作為注入掩模，注入第一注入量的第二導(dǎo)電類型的第一雜質(zhì)；

形成第二掩模構(gòu)件，所述第二掩模構(gòu)件具有第七開口、第八開口、第九開口，所述第七開口在第一元件形成區(qū)中連續(xù)露出所述第一區(qū)域第一部、所述第一區(qū)域第二部和位于所述第一區(qū)域第一部和所述第一區(qū)域第二部之間的所述第一元件形成區(qū)的第一區(qū)域第三部；

所述第八開口在所述第二元件形成區(qū)中連續(xù)露出所述第二區(qū)域第一部、所述第二區(qū)域第二部和位于所述第二區(qū)域第一部和所述第二區(qū)域第二部之間的所述第二元件形成區(qū)的第二區(qū)域第三部，以及

所述第九開口在所述第三元件形成區(qū)中連續(xù)露出所述第三區(qū)域第一部、所述第三區(qū)域第二部和位于所述第三區(qū)域第一部和所述第三區(qū)域第二部之間的所述第三元件形成區(qū)的第三區(qū)域第三部；以及

通過使用所述第二掩模構(gòu)件作為注入掩模，注入第二注入量的第二導(dǎo)電類型的第二雜質(zhì)，

其中，通過注入所述第一雜質(zhì)的步驟和注入所述第二雜質(zhì)的步驟，

在所述第一區(qū)域第一部中形成所述第二導(dǎo)電類型的第一雜質(zhì)區(qū)第一部，

在所述第一區(qū)域第二部中形成所述第二導(dǎo)電類型的第一雜質(zhì)區(qū)第二部，

在所述第一區(qū)域第三部中形成所述第二導(dǎo)電類型的第一雜質(zhì)區(qū)第三部，所述第一雜質(zhì)區(qū)第三部的雜質(zhì)濃度低于所述第一雜質(zhì)區(qū)第一部和所述第一雜質(zhì)區(qū)第二部的雜質(zhì)濃度，

在所述第二區(qū)域第一部中形成所述第二導(dǎo)電類型的第二雜質(zhì)區(qū)第一部，

在所述第二區(qū)域第二部中形成所述第二導(dǎo)電類型的第二雜質(zhì)區(qū)第二部，

在所述第二區(qū)域第三部中形成所述第二導(dǎo)電類型的第二雜質(zhì)區(qū)第三部，所述第二雜質(zhì)區(qū)第三部的雜質(zhì)濃度低于所述第二雜質(zhì)區(qū)第一部和所述第二雜質(zhì)區(qū)第二部的雜質(zhì)濃度并且所述第二雜質(zhì)區(qū)第三部窄于所述第一雜質(zhì)區(qū)第三部，

在所述第三區(qū)域第一部中形成所述第二導(dǎo)電類型的第三雜質(zhì)區(qū)第一部，

在所述第三區(qū)域第二部中形成所述第二導(dǎo)電類型的第三雜質(zhì)區(qū)第二部，以及

在所述第三區(qū)域第三部中形成所述第二導(dǎo)電類型的第三雜質(zhì)區(qū)第三部，所述第三雜質(zhì)區(qū)第三部的雜質(zhì)濃度低于所述第三雜質(zhì)區(qū)第一部和所述第三雜質(zhì)區(qū)第二部的雜質(zhì)濃度并且所述第三雜質(zhì)區(qū)第三部窄于所述第二雜質(zhì)區(qū)第三部。

另外，第十實施例包括以下方面。

[附錄2]

一種設(shè)置有光電轉(zhuǎn)換第一部和光電轉(zhuǎn)換第二部的成像裝置的制造方法，所述制造方法包括以下步驟：

在半導(dǎo)體襯底中，形成第一導(dǎo)電類型的元件形成區(qū)；

形成掩模構(gòu)件，所述掩模構(gòu)件具有第一開口和第二開口，所述第一開口在所述元件形成區(qū)中露出其中將形成所述光電轉(zhuǎn)換第一部的區(qū)域第一部，所述第二開口在所述元件形成區(qū)中露出其中將形成光電轉(zhuǎn)換第二部的區(qū)域第二部，所述光電轉(zhuǎn)換第二部將與所述光電轉(zhuǎn)換第一部分隔開；

第一注入步驟，其通過使用所述掩模構(gòu)件作為注入掩模，垂直于所述半導(dǎo)體襯底的表面來注入第二導(dǎo)電類型的第一雜質(zhì)；

第二注入步驟，其通過使用所述掩模構(gòu)件作為注入掩模，從所述第一開口向著所述元件形成區(qū)的區(qū)域第三部傾斜地注入所述第一雜質(zhì)，所述區(qū)域第三部位于在所述第一開口露出的所述區(qū)域第一部和在所述第二開口露出的所述區(qū)域第二部之間；以及

第三注入步驟，通過使用所述掩模構(gòu)件作為注入掩模，從所述第二開口向著所述區(qū)域第三部，傾斜地注入所述第一雜質(zhì)，

其中，通過執(zhí)行所述第一注入步驟、所述第二注入步驟和所述第三注入步驟，

在所述區(qū)域第一部中形成所述第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)第一部，

在所述區(qū)域第二部中形成所述第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)第二部，以及

在所述區(qū)域第三部中形成所述第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)第三部，所述雜質(zhì)區(qū)第三部的雜質(zhì)濃度低于所述雜質(zhì)區(qū)第一部和所述雜質(zhì)區(qū)第二部的雜質(zhì)濃度。