技術(shù)特征：

1.一種COMS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括像素區(qū)與邏輯區(qū)；

在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成柵極氧化層和柵極多晶硅；

在所述半導(dǎo)體襯底上沉積介質(zhì)層，通過(guò)曝光與刻蝕，形成柵極側(cè)墻；

在所述半導(dǎo)體襯底上涂覆第一光刻膠，通過(guò)曝光與顯影，暴露出所述邏輯區(qū)內(nèi)的源漏區(qū)；

去除所述源漏區(qū)內(nèi)部分厚度的介質(zhì)層，進(jìn)行N型或P型源漏注入，并去除所述第一光刻膠；

在所述半導(dǎo)體襯底上涂覆第二光刻膠，通過(guò)曝光與顯影，暴露出所述像素區(qū)內(nèi)的感光二極管區(qū)；

對(duì)所述感光二極管區(qū)進(jìn)行離子注入，在所述半導(dǎo)體襯底表面形成第一摻雜區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的COMS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，在半導(dǎo)體襯底上形成柵極氧化層和柵極多晶硅之前，還包括：在所述像素區(qū)內(nèi)進(jìn)行離子注入，在所述半導(dǎo)體襯底表面形成第二摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)位于柵極多晶硅一側(cè)。

3.如權(quán)利要求2所述的COMS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，在半導(dǎo)體襯底上形成柵極氧化層和柵極多晶硅之后，還包括：在所述像素區(qū)內(nèi)進(jìn)行離子注入，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)部形成第三摻雜區(qū)，所述第三摻雜區(qū)位于所述柵極多晶硅的另一側(cè)，與所述第二摻雜區(qū)的摻雜類型相反。

4.如權(quán)利要求3所述的COMS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述第一摻雜區(qū)位于所述第三摻雜區(qū)的上方，與所述第三摻雜區(qū)的摻雜類型相反，所述第一摻雜區(qū)與第三摻雜區(qū)構(gòu)成感光二極管。

5.如權(quán)利要求4所述的COMS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，在形成第一摻雜區(qū)之后還包括，對(duì)第二摻雜區(qū)進(jìn)行離子注入，在所述第二摻雜區(qū)中形成第四摻雜區(qū)，所述第四摻雜區(qū)與所述第二摻雜區(qū)的摻雜類型相反，構(gòu)成浮置擴(kuò)散區(qū)。

6.如權(quán)利要求1所述的COMS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述介質(zhì)層包括第一氧化硅層、氮化硅層以及第二氧化硅層。

7.如權(quán)利要求6所述的COMS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述柵極側(cè)墻的形成步驟包括：在所述介質(zhì)層表面形成光刻膠層；對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光與顯影形成圖案化的光刻膠層；以圖案化的光刻膠層為掩膜，對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，然后去除所述圖案化的光刻膠層。

8.如權(quán)利要求7所述的COMS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，對(duì)所述介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕之后，所述半導(dǎo)體襯底上剩余的介質(zhì)層的厚度為

9.如權(quán)利要求1所述的COMS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，進(jìn)行N型或P型源漏注入之前，所述邏輯區(qū)內(nèi)源漏區(qū)上剩余的介質(zhì)層的厚度為

10.一種使用權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的COMS圖像傳感器的制作方法制作的COMS圖像傳感器，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括像素區(qū)與邏輯區(qū)；

位于所述像素區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體襯底中的浮置擴(kuò)散區(qū)、傳輸晶體管以及感光二極管；

所述浮置擴(kuò)散區(qū)包括所述第二摻雜區(qū)和所述第四摻雜區(qū)，所述第二摻雜區(qū)與所述第四摻雜區(qū)的摻雜類型相反，所述第四摻雜區(qū)位于所述第二摻雜區(qū)中；

所述感光二極管包括第一摻雜區(qū)和第三摻雜區(qū)，所述第一摻雜區(qū)與所述第三摻雜區(qū)的摻雜類型相反，所述第一摻雜區(qū)位于所述第三摻雜區(qū)上方；

所述傳輸晶體管包括：位于所述半導(dǎo)體襯底上的柵極氧化層及柵極多晶硅，位于所述柵極多晶硅周圍的側(cè)墻；所述第一摻雜區(qū)與第四摻雜區(qū)位于柵極多晶硅的兩側(cè)。

以及位于所述邏輯區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體襯底中的晶體管，所述晶體管包括：位于所述半導(dǎo)體襯底上的柵極氧化層及柵極多晶硅，位于所述柵極多晶硅周圍的側(cè)墻，以及位于所述柵極多晶硅兩側(cè)的源漏極。