本發(fā)明涉及一種幀轉(zhuǎn)移可見光CCD，尤其涉及一種帶聚酰亞胺墊層的幀轉(zhuǎn)移可見光CCD。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中，常見的幀轉(zhuǎn)移可見光CCD上，為了防止制作過程中，用于電連接的鋁層向底層擴(kuò)散，一般用氮化鈦層來將鋁層與底層隔離；隨著技術(shù)的進(jìn)步，現(xiàn)有技術(shù)中演生出了一種帶聚酰亞胺墊層的幀轉(zhuǎn)移可見光CCD，即在幀轉(zhuǎn)移可見光CCD表面設(shè)置一聚酰亞胺墊層，聚酰亞胺墊層起緩沖保護(hù)作用，以防止幀轉(zhuǎn)移可見光CCD與光耦器件的發(fā)光部接觸時對幀轉(zhuǎn)移可見光CCD造成損傷，從而使幀轉(zhuǎn)移可見光CCD可以與光耦器件直接接觸；帶聚酰亞胺墊層的幀轉(zhuǎn)移可見光CCD母片制作好后，需要進(jìn)行劃片處理，以獲得多個帶聚酰亞胺墊層的幀轉(zhuǎn)移可見光CCD，劃片后，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在單個幀轉(zhuǎn)移可見光CCD的邊沿普遍出現(xiàn)鋁層翻起現(xiàn)象，嚴(yán)重時，鋁層及其上層結(jié)構(gòu)直接脫落。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對背景技術(shù)中的問題，本發(fā)明提出了一種帶聚酰亞胺墊層的幀轉(zhuǎn)移可見光CCD，其改進(jìn)在于：所述幀轉(zhuǎn)移可見光CCD由襯底層、二氧化硅層、氮化硅層、多晶硅層、硼磷硅玻璃層、氮化鈦層、鈦層、鋁層和聚酰亞胺墊層組成；所述襯底層、二氧化硅層、氮化硅層、多晶硅層、硼磷硅玻璃層、氮化鈦層、鈦層、鋁層和聚酰亞胺墊層依次層疊在一起形成幀轉(zhuǎn)移可見光CCD。

本發(fā)明的原理是：為了解決背景技術(shù)中的問題，發(fā)明人對殘品進(jìn)行了分析，經(jīng)分析發(fā)現(xiàn)，引起鋁層翻起的原因是，鋁與聚酰亞胺的附著性要強(qiáng)于鋁與氮化鈦的附著性，劃片處理后，聚酰亞胺邊沿會在自身的材料應(yīng)力作用下出現(xiàn)翹曲變形，鋁層就會在聚酰亞胺墊層的帶動下向上翻起，從而導(dǎo)致鋁層與氮化鈦層剝離；在找到了原因后，為了加強(qiáng)鋁層與下層結(jié)構(gòu)的附著性，發(fā)明人在鋁層和氮化鈦層之間加入了鈦層，經(jīng)試驗驗證，在加入了鈦層后，鋁層和下層結(jié)構(gòu)的附著性得到了明顯加強(qiáng)，可以有效抵消聚酰亞胺的材料應(yīng)力，避免起層現(xiàn)象出現(xiàn)。

本發(fā)明的有益技術(shù)效果是：提出了一種帶聚酰亞胺墊層的幀轉(zhuǎn)移可見光CCD，通過在鋁層和氮化鈦層之間加入鈦層，有效提高了鋁層與下層結(jié)構(gòu)的附著性，避免了起層現(xiàn)象出現(xiàn)。

附圖說明

圖1、本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2、幀轉(zhuǎn)移可見光CCD芯片頂面示意圖；

圖中各個標(biāo)記所對應(yīng)的名稱分別為：襯底層1、二氧化硅層2、氮化硅層3、多晶硅層4、硼磷硅玻璃層5、氮化鈦層6、鈦層7、鋁層8、聚酰亞胺墊層9、幀轉(zhuǎn)移可見光CCD10、劃片道11。

具體實施方式

一種帶聚酰亞胺墊層的幀轉(zhuǎn)移可見光CCD，其改進(jìn)在于：所述幀轉(zhuǎn)移可見光CCD由襯底層1、二氧化硅層2、氮化硅層3、多晶硅層4、硼磷硅玻璃層5、氮化鈦層6、鈦層7、鋁層8和聚酰亞胺墊層9組成；所述襯底層1、二氧化硅層2、氮化硅層3、多晶硅層4、硼磷硅玻璃層5、氮化鈦層6、鈦層7、鋁層8和聚酰亞胺墊層9依次層疊在一起形成幀轉(zhuǎn)移可見光CCD。