技術(shù)編號(hào)：12275059
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種CCD制作技術(shù)，尤其涉及一種制作光敏區(qū)布線層的方法。背景技術(shù)在CCD制作工藝中，通常采用多晶硅作為光敏區(qū)布線材料，而且常見的CCD器件上，布線層的數(shù)量大多為兩層或兩層以上，因此結(jié)構(gòu)上不可避免地存在在后的多晶硅需要橫跨在在先的多晶硅臺(tái)階上，為保證器件性能，多晶硅布線必須具備較好的線寬準(zhǔn)確性與均勻性，以保證器件具有較好的電荷轉(zhuǎn)移性能，并且前一次多晶硅臺(tái)階底部不能殘留有布線用多晶硅，否者容易造成后續(xù)多晶硅同層短路，使器件失效。現(xiàn)有技術(shù)中，多晶硅布線通常采用干法刻蝕成型，然而，干法刻蝕之后...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。