本申請要求2015年10月28日在韓國提交的韓國專利申請第10-2015-0150153號的權(quán)益，其通過引用并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置，并且更具體地涉及柔性O(shè)LED裝置。

背景技術(shù)：

隨著信息技術(shù)和移動通信技術(shù)已經(jīng)發(fā)展，已經(jīng)開發(fā)了能夠顯示視覺圖像的顯示裝置。開發(fā)和使用了平板顯示裝置，如液晶顯示(LCD)裝置和OLED裝置。

在這些平板顯示裝置中，由于OLED裝置在響應(yīng)時間、對比度、視角、功耗等方面具有優(yōu)點，所以O(shè)LED裝置得到了廣泛地開發(fā)。

包括有機(jī)發(fā)光層的發(fā)光二極管容易受到水分而損壞。為了防止水分滲入到發(fā)光二極管并且保護(hù)發(fā)光二極管不受外部沖擊，玻璃的封裝基板附接至發(fā)光二極管。

近來，已引入了可折疊的、可彎曲的或可卷曲的顯示裝置(下文稱為“柔性顯示裝置”)。

在柔性O(shè)LED裝置中，使用包括無機(jī)層和有機(jī)層的封裝膜而不是玻璃的封裝基板。即，通過使用封裝膜防止水分滲入發(fā)光二極管并且保護(hù)發(fā)光二極管，顯示裝置具有柔性特性。

圖1是相關(guān)技術(shù)的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

參照圖1，相關(guān)技術(shù)的柔性O(shè)LED裝置1包括柔性基板10、有機(jī)發(fā)光二極管D和封裝膜20。在柔性基板10上限定顯示區(qū)AA以及在顯示區(qū)AA周邊的非顯示區(qū)NA，并且在柔性基板10上設(shè)置有有機(jī)發(fā)光二極管D。封裝膜20覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D。

有機(jī)發(fā)光二極管D被設(shè)置在顯示區(qū)AA中，并且驅(qū)動有機(jī)發(fā)光二極管D的驅(qū)動部(未示出)被設(shè)置在非顯示區(qū)NA中。

盡管未示出，但是有機(jī)發(fā)光二極管D包括彼此面對的第一電極和第二電極，以及在第一電極與第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層。此外，在柔性基板10上的每個像素區(qū)中形成有作為開關(guān)元件的開關(guān)薄膜晶體管(TFT)和作為驅(qū)動元件的驅(qū)動TFT，并且有機(jī)發(fā)光二極管D的第一電極連接至驅(qū)動TFT。

封裝膜20覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D并且對應(yīng)于顯示區(qū)AA和非顯示區(qū)NA，具體地，與顯示區(qū)AA和非顯示區(qū)NA兩者交疊。封裝膜20防止在高溫和高濕度條件下對有機(jī)發(fā)光二極管D的損壞。

無機(jī)層和有機(jī)層被交替地堆疊以形成封裝膜20。例如，封裝膜20可以具有如下三層結(jié)構(gòu)：在有機(jī)發(fā)光二極管D上的第一無機(jī)層22，在第一無機(jī)層22上的有機(jī)層24和在有機(jī)層24上的第二無機(jī)層26。

然而，當(dāng)柔性O(shè)LED裝置在高溫和高濕度條件下操作時，發(fā)光二極管仍然受到損壞導(dǎo)致柔性O(shè)LED裝置的顯示質(zhì)量和壽命的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明涉及基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點而導(dǎo)致的一個或更多個問題的柔性O(shè)LED裝置。

本發(fā)明的另外的優(yōu)點和特征將在下面的描述中進(jìn)行闡述，并且根據(jù)下面的描述上述本發(fā)明的另外的優(yōu)點和特征將部分地明顯，或者可以通過本發(fā)明的實踐獲知。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點將通過在書面描述及其權(quán)利要求以及附圖中所具體指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

如在本文中所實施和廣泛描述的那樣，為了實現(xiàn)這些優(yōu)點和其他優(yōu)點并且根據(jù)發(fā)明的目的，提供了根據(jù)獨立權(quán)利要求的柔性O(shè)LED裝置和用于制造柔性O(shè)LED裝置的方法。在從屬權(quán)利要求中對有利實施方案進(jìn)行描述。

提供了一種柔性O(shè)LED裝置，其包括柔性基板，柔性基板包括顯示區(qū)、在顯示區(qū)周邊的非顯示區(qū)，以及折疊區(qū)域；在柔性基板上的顯示區(qū)中的至少一個有機(jī)發(fā)光二極管；覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管的封裝膜；在柔性基板上的壩，其中所述壩側(cè)向地包圍顯示區(qū)，并且包括在折疊區(qū)域中的第一壩和在折疊區(qū)域外的第二壩，其中第一壩的平均厚度小于第二壩的平均厚度。

在柔性O(shè)LED裝置的第一實施方案中，封裝膜包括第一無機(jī)層，在第一無機(jī)層上的有機(jī)層，在有機(jī)層上的第二無機(jī)層，其中壩側(cè)向地包圍有機(jī)層，并且其中第一無機(jī)層和第二無機(jī)層覆蓋壩。

柔性O(shè)LED裝置的另一實施方案指定，第一壩和/或第二壩具有恒定的厚度。

根據(jù)柔性O(shè)LED裝置的另一實施方案，第一壩包括具有第一厚度的第一部分和具有第二厚度的第二部分，其中第一厚度小于第二厚度。

在柔性O(shè)LED裝置的另外的實施方案中，第一壩包括凸部和/或凹部。

柔性O(shè)LED裝置的另一實施方案規(guī)定，第一壩的第二部分具有與第二壩的厚度相同的厚度。

根據(jù)柔性O(shè)LED裝置的又一實施方案，第一壩的第二部分具有比第二壩的厚度小的厚度。

在柔性O(shè)LED裝置的另外的實施方案中，第一壩包括單個層并且第二壩包括下層和上層。

柔性O(shè)LED裝置的另一實施方案指定，第二壩的下層和第一壩是一個連續(xù)的層。

根據(jù)又一實施方案，柔性O(shè)LED裝置還包括包圍限定在顯示區(qū)中的多個像素區(qū)中的每個的堤層和在堤層上的至少一個間隔件，其中第一壩被定位在與堤層相同的層處，其中第二壩的下層被定位在與堤層相同的層處，并且其中第二壩的上層被定位在與間隔件相同的層處。

在柔性O(shè)LED裝置的附加的實施方案中，第一壩連續(xù)地覆蓋柔性襯底。

柔性O(shè)LED裝置的另一實施方案指定，第一壩被部分地去除，并且第一壩包括適于阻止有機(jī)材料流出顯示區(qū)的壩圖案。

根據(jù)柔性O(shè)LED裝置的又一實施方案，壩圖案包括第一壩圖案和第二壩圖案，第一壩圖案和第二壩圖案彼此間隔開并且布置成Z字形形狀。

此外，提供了一種用于制造柔性O(shè)LED裝置的方法，其中所述方法包括提供柔性基板，柔性基板包括顯示區(qū)、在顯示區(qū)周邊的非顯示區(qū)，以及折疊區(qū)域；在柔性基板上形成包圍顯示區(qū)的壩，其中所述壩包括在折疊區(qū)域中的第一壩和在折疊區(qū)域外的第二壩，其中第一壩的平均厚度小于第二壩的平均厚度；在顯示區(qū)內(nèi)形成發(fā)光二極管；利用第一無機(jī)層覆蓋顯示區(qū)和非顯示區(qū)，以及利用有機(jī)層覆蓋顯示區(qū)。

將理解的是，前述一般性描述和以下詳細(xì)描述都是示例性和說明性的，并且旨在對所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步說明。

附圖說明

本發(fā)明包括附圖以提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且附圖被并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施方案并且與描述一起用于說明本發(fā)明的原理。

圖1是相關(guān)技術(shù)的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方案至第五實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性平面圖。

圖3是沿圖2的線A-A′截取及示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方案至第三實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

圖4是沿圖2的線B-B′截取及示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

圖5是沿圖2的線B-B′截取及示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施方案和第三實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

圖6是沿圖2的線C-C′截取及示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施方案和第三實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

圖7A是沿圖2的線D-D′截取及示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

圖7B是沿圖2的線D-D′截取及示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施方案和第三實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

圖8是沿圖2的線A-A′截取及示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施方案的柔性O(shè)LED裝置中的間隔件的位置的示意性平面圖。

圖10是沿圖2的線B-B′截取及示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

圖11是沿圖2的線C-C′截取及示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

圖12是沿圖2的線D-D′截取及示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

圖13是示出根據(jù)本發(fā)明的第五實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性平面圖。

圖14是沿圖13的線D-D′截取的示意性截面圖。

圖15是示出根據(jù)本發(fā)明的第六實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性平面圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)地參考優(yōu)選實施方案，優(yōu)選實施方案的示例在附圖中示出。

圖2為示出柔性O(shè)LED裝置的第一實施方案至第五實施方案的示意性平面圖。

如圖2所示，本發(fā)明的OLED裝置100為沿折疊區(qū)域FR可折疊、可彎曲或可卷曲的柔性顯示裝置。例如，折疊區(qū)域FR被限定為沿柔性O(shè)LED裝置100的短軸?？商娲?，折疊區(qū)域FR可以被限定為沿柔性O(shè)LED裝置100的長軸。

如圖2所示當(dāng)折疊區(qū)域FR被限定為沿短軸時，焊盤區(qū)(未示出)可以被限定在長軸的至少一端處。在可替代的實施方案(未示出)中，如果折疊區(qū)域FR被限定為沿長軸，那么焊盤區(qū)可以被限定在短軸的至少一端處。

在柔性O(shè)LED裝置100中，多個像素區(qū)P被限定在柔性基板100上的顯示區(qū)AA中，并且在各個像素區(qū)P中形成有有機(jī)發(fā)光二極管(未示出)。

此外，在非顯示區(qū)NA處形成有提壩170，非顯示區(qū)NA被限定為顯示區(qū)AA的周邊處來包圍顯示區(qū)AA的區(qū)域。

另外，形成覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管和壩170的封裝膜(未示出)。即，封裝膜對應(yīng)于顯示區(qū)AA和非顯示區(qū)NA，具體地與顯示區(qū)AA和非顯示區(qū)NA交疊。

例如，封裝膜可以具有如下三層結(jié)構(gòu)：第一無機(jī)層、在第一無機(jī)層上的有機(jī)層和在有機(jī)層上的第二無機(jī)層。在這種情況下，有機(jī)層設(shè)置在壩170內(nèi)，并且第一無機(jī)層和第二無機(jī)層被設(shè)置成覆蓋壩170。因此，防止了水分通過封裝膜的有機(jī)層側(cè)滲入顯示區(qū)。

通過涂覆工藝涂覆的有機(jī)材料的流可以通過壩170被阻止，使得有機(jī)層形成在壩170內(nèi)部。因此，有機(jī)層的側(cè)表面沒有露出使得可以防止由水分滲入引起的柔性O(shè)LED裝置的顯示質(zhì)量和壽命的問題。

圖3是沿圖2的線A-A′截取并且示出根據(jù)第一實施方案至第三實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

如圖3所示，TFT Tr、有機(jī)發(fā)光二極管D和封裝膜180堆疊在柔性基板110上方。

例如，柔性基板110可以為由聚合物形成的基板，具體地可以為聚酰亞胺形成的基板。為了制造，載體基板(未示出)可以附接至柔性基板110的下表面，元件如TFT Tr可以形成在柔性基板110上，并且載體基板從柔性基板110釋放。因此，載體基板可以有利于TFT Tr的制造。

TFT Tr形成在柔性基板110上。雖然未示出，但是在柔性基板110上可以形成有緩沖層，并且TFT Tr可以形成在緩沖層上。

在柔性基板110上形成有半導(dǎo)體層122。半導(dǎo)體層122可以包含氧化物半導(dǎo)體材料或多晶硅。

當(dāng)半導(dǎo)體層122包含氧化物半導(dǎo)體材料時，在半導(dǎo)體層122下可以形成有遮光圖案(未示出)。至半導(dǎo)體層122的光可以被遮光圖案屏蔽或阻擋使得可以防止半導(dǎo)體層122的熱降解。當(dāng)半導(dǎo)體層122包含多晶硅時，雜質(zhì)可以被摻雜到半導(dǎo)體層122的兩側(cè)中。

在半導(dǎo)體層122上形成有柵極絕緣層124。柵極絕緣層124可以由諸如硅氧化物或硅氮化物等的無機(jī)絕緣材料形成。

在柵極絕緣層124上的半導(dǎo)體層122的中心上方形成有柵電極130，柵電極130由導(dǎo)電材料例如金屬形成。

在圖3中，柵極絕緣層124形成在柔性基板110的整個表面上?？商孢x地，柵極絕緣層124可以被圖案化成具有與柵電極130相同的形狀或類似的形狀。

在包括柵電極130的柔性基板110的整個表面上形成有層間絕緣層132，層間絕緣層132由絕緣材料形成。層間絕緣層132可以由無機(jī)絕緣材料例如硅氧化物或硅氮化物，或者有機(jī)絕緣材料例如苯并環(huán)丁烯或光丙烯酸類物質(zhì)形成。

層間絕緣層132包括露出半導(dǎo)體層122的兩側(cè)的第一接觸孔134和第二接觸孔136。第一接觸孔134和第二接觸孔136位于柵電極130的兩側(cè)，以與柵電極130間隔開。

在圖3中，第一接觸孔134和第二接觸孔136延伸入柵極絕緣層124中?？商娲兀?dāng)柵極絕緣層124被圖案化成具有與柵電極130相同的形狀時，第一接觸孔134和第二接觸孔136形成為僅通過層間絕緣層132而未通過柵極絕緣層124。

在層間絕緣層132上形成有源電極140和漏電極142，源電極140和漏電極142由導(dǎo)電材料如金屬形成。源電極140和漏電極142相對于柵電極130彼此間隔開并且分別通過第一接觸孔134和第二接觸孔136與半導(dǎo)體層122的兩側(cè)接觸。

半導(dǎo)體層122、柵電極130、源電極140和漏電極142構(gòu)成TFT Tr，并且TFT Tr用作驅(qū)動元件。

在圖3中，柵電極130、源電極140和漏電極142位于半導(dǎo)體層122上方。即，TFT Tr具有共面結(jié)構(gòu)?？商孢x地，在TFT Tr中，柵電極可以位于半導(dǎo)體層下方，并且源電極和漏電極可以位于半導(dǎo)體層上方，使得TFT Tr可以具有倒置交錯式(inverted staggered)結(jié)構(gòu)。在這種情況下，半導(dǎo)體層可以包含非晶硅。

盡管未示出，但是柵極線和數(shù)據(jù)線被設(shè)置在柔性基板110上或上方并且彼此交叉以限定像素區(qū)。此外，在柔性基板110上可以設(shè)置有電連接至柵極線和數(shù)據(jù)線的開關(guān)元件。開關(guān)元件電連接至作為驅(qū)動元件的TFT Tr。

另外，在柔性基板110上或上方可以形成有與柵極線或數(shù)據(jù)線平行以及間隔開的電源線。另外，在柔性基板110上還可以形成有用于保持TFTTr的柵電極130在一幀期間的電壓的存儲電容器。

鈍化層150形成為覆蓋TFT Tr，鈍化層150包括露出TFT Tr的漏電極142的漏極接觸孔152。

在各個像素區(qū)中單獨地形成第一電極160，第一電極160通過漏極接觸孔152連接至TFT Tr的漏電極142。第一電極160可以是陽極，并且可以由具有相對高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。例如，第一電極160可以由諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)之類的透明導(dǎo)電材料形成。

當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管D以頂部發(fā)光型操作時，在第一電極160下可以形成有反射電極或反射層。例如，反射電極或反射層可以由鋁-鈀-銅(APC)合金形成。

在鈍化層150上形成有堤層166，堤層166覆蓋第一電極160的邊緣。在像素區(qū)中的第一電極160的中心通過堤層166的開口露出。

在第一電極160上形成有有機(jī)發(fā)光層162。有機(jī)發(fā)光層162可以具有由發(fā)光材料形成的發(fā)光材料層的單層結(jié)構(gòu)?？商娲兀瑸榱颂岣甙l(fā)光效率，有機(jī)發(fā)光層162可以具有多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)包括在第一電極160上依次堆疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層和電子注入層。

在包括有機(jī)發(fā)光層162的柔性基板110上方形成有第二電極164。第二電極164位于顯示區(qū)的整個表面上。第二電極164可以是陰極。第二電極164可以由具有比第一電極160的功函數(shù)低的功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。例如，第二電極164可以由鋁(Al)、鎂(Mg)或Al-Mg合金形成。

第一電極160、有機(jī)發(fā)光層162和第二電極164構(gòu)成有機(jī)發(fā)光二極管D。

在有機(jī)發(fā)光二極管D上形成有封裝膜180，以防止水分滲入有機(jī)發(fā)光二極管D中。封裝膜180可以具有如下三層結(jié)構(gòu)：第一無機(jī)層182、有機(jī)層184和第二無機(jī)層186。然而，其不限于此。

例如，封裝膜180還可以包括在第二無機(jī)層186上的有機(jī)層或堆疊在第二無機(jī)層186上的有機(jī)層和無機(jī)層。

第一無機(jī)層182接觸并且覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D。例如，第一無機(jī)層182可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氧氮化物(SiON)中的之一形成。

有機(jī)層184形成在第一無機(jī)層182上。對第一無機(jī)層182的應(yīng)力可以通過有機(jī)層184減小。例如，有機(jī)層184可以由丙烯酸類材料或環(huán)氧類材料形成。

在有機(jī)層184上形成第二無機(jī)層186，第二無機(jī)層186可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氧氮化物(SiON)中的之一形成。

例如，第一無機(jī)層182和第二無機(jī)層186中的每個可以通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝或原子層沉積(ALD)工藝形成，并且有機(jī)層184可以通過噴墨涂覆工藝、狹縫涂布工藝或棒涂(bar coating)工藝形成。

盡管未示出，但是阻擋膜可以附接至封裝膜180，并且用于減少環(huán)境光反射的偏振板可以附接至阻擋膜。例如，偏振板可以是圓偏振板。

圖4是沿圖2的線B-B′截取并且示出根據(jù)第一實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

如圖4所示，有機(jī)發(fā)光二極管D形成在柔性基板110的顯示區(qū)AA中，并且壩170形成在柔性基板110的非顯示區(qū)NA中以包圍顯示區(qū)AA。

壩170具有預(yù)先確定的厚度并且被定位成與有機(jī)發(fā)光二極管D間隔開。壩170可以由與堤層166的材料相同的材料形成并且形成在與堤層166的層相同的層處。例如，壩170可以由諸如硅氧化物或硅氮化物之類的無機(jī)材料，或者諸如聚酰亞胺之類的有機(jī)材料形成。

此外，封裝膜180形成為覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D和壩170。如上所述，封裝膜180可以包括第一無機(jī)層182、有機(jī)層184和第二無機(jī)層186。

第一無機(jī)層182和第二無機(jī)層186覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D和壩170，有機(jī)層184位于由壩170包圍的區(qū)域內(nèi)部。即，有機(jī)層184覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D而與壩170不交疊。換句話說，有機(jī)層184的寬度或平面面積小于第一無機(jī)層182和第二無機(jī)層186中的每個的寬度或平面面積。

當(dāng)沉積第一無機(jī)層182之后涂覆有機(jī)材料以形成有機(jī)層184時，有機(jī)材料的流被壩170阻止，使得有機(jī)層184形成在由壩170限定的區(qū)域內(nèi)。因此，有機(jī)層184的側(cè)表面完全被第二無機(jī)層186覆蓋使得防止了通過有機(jī)層184的側(cè)表面滲入水分。

壩170在柔性基板110的四側(cè)處具有大致相同的高度或厚度。

圖5是沿圖2的線B-B′截取并且示出根據(jù)第二實施方案和第三實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。圖6是沿圖2的線C-C′截取并且示出根據(jù)第二實施方案和第三實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

如圖5和圖6所示，有機(jī)發(fā)光二極管D形成在柔性基板210的顯示區(qū)AA中，并且壩270形成在柔性基板210的非顯示區(qū)NA中以包圍顯示區(qū)AA。例如，壩270可以由諸如硅氧化物或硅氮化物之類的無機(jī)材料，或者諸如聚酰亞胺之類的有機(jī)材料形成。

如通過圖3所說明的，包括半導(dǎo)體層122、柵電極130、源電極140和漏電極142的TFT Tr形成在柔性基板110上，并且有機(jī)發(fā)光二極管D包括第一電極160，其連接到TFT Tr的漏電極142；機(jī)發(fā)光二極管D包括面對第一電極160的第二電極164；以及在第一電極160與第二電極164之間的有機(jī)發(fā)光層162。

此外，覆蓋第一電極160的邊緣的隔堤166形成在像素區(qū)P的邊界處。

再次參照圖5和圖6，壩270與有機(jī)發(fā)光二極管D間隔開并且包括在折疊區(qū)域FR中的第一壩270a和在其他區(qū)域如非折疊區(qū)域中的第二壩270b。第一壩270a的厚度小于第二壩270b的厚度。

例如，當(dāng)壩270位于與(圖3的)堤層166的層相同的層處并且由與堤層166的材料相同的材料形成時，第一壩270a具有小于堤層166的厚度的第一厚度t1，第二壩270b具有大于第一厚度t1以及基本上等于堤層166的厚度的第二厚度t2。

另外，封裝膜280形成為覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D和壩270，封裝膜280可以包括第一無機(jī)層282、有機(jī)層284和第二無機(jī)層286。

第一無機(jī)層282和第二無機(jī)層286覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D和壩270，有機(jī)層284位于由壩270包圍的區(qū)域內(nèi)部。即，有機(jī)層284覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D而與壩270不交疊。換句話說，有機(jī)層284的寬度或平面面積小于第一無機(jī)層282和第二無機(jī)層286中的每個的寬度或平面面積。

當(dāng)涂覆有機(jī)材料以形成有機(jī)層284時，在起始線SL處開始有機(jī)材料的涂覆工藝，起始線SL被定義為距離壩270預(yù)先確定的距離，并且在結(jié)束線EL處結(jié)束，結(jié)束線EL被定義為在相反端距離壩270預(yù)定的距離。即，有機(jī)材料的涂覆工藝在由壩270所包圍的區(qū)域中進(jìn)行。

因此，即使在折疊區(qū)域FR中第一壩270a可具有相對小的厚度，有機(jī)材料的流可以由壩270充分地阻止，使得有機(jī)層284形成在由壩270包圍的區(qū)域內(nèi)部。

此外，由于在折疊區(qū)域FR中第一壩270a的厚度減小，所以在折疊操作中施加到第一無機(jī)層282和第二無機(jī)層286的應(yīng)力減小。因此，防止了或使得通過折疊操作對第一無機(jī)層282和第二無機(jī)層286的損失最小化，使得可以防止封裝膜280的水分阻擋性能的降低。

當(dāng)沿圖2中的C-C′線的方向定位的第二壩270b的厚度小時，有機(jī)材料可能溢出壩270，使得有機(jī)材料可能涂覆在柔性基板210的邊緣上。在這種情況下，用于與外驅(qū)動電路電連接的焊盤區(qū)域(未示出)可能由有機(jī)材料覆蓋。因此，可以優(yōu)選的是，第二壩270b的第二厚度t2可以大于第一壩270a的第一厚度t1。

圖7A是沿圖2的線D-D′截取并且示出根據(jù)第二實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。圖7B是沿圖2的線D-D′截取并且示出根據(jù)第二實施方案和第三實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

如圖7A所示，壩270在折疊區(qū)域FR中可以具有均勻的第一厚度t1，并且在非折疊區(qū)域中可以具有均勻的第二厚度t2，第二厚度t2大于第一厚度t1。

可替代地，如圖7B所示，壩270在折疊區(qū)域FR中可以具有不均勻表面，以包括具有第一厚度t1的第一部分和具有第二厚度t2的第二部分。即，在折疊區(qū)域FR中壩270可以包括凸部和/或凹部。

在圖7B中，較厚的第二部分具有與壩270在非折疊區(qū)域中的厚度相同的厚度。可替代地，第二部分的厚度可以小于壩270在非折疊區(qū)域中的厚度。

即，在本發(fā)明中，在折疊區(qū)域FR中第一壩270a的平均厚度(＝((圖7B的)t1+t2)/2)小于在非折疊區(qū)域中的第二壩270b的平均厚度，使得有機(jī)層284位于由壩270包圍的區(qū)域內(nèi)部并且使得在折疊區(qū)域中通過折疊操作施加在封裝膜280上的應(yīng)力最小化或防止所述應(yīng)力。

因此，在第二實施方案和第三實施方案的柔性O(shè)LED裝置200中，通過防止露出有機(jī)層284的側(cè)表面并且使對封裝膜280的折疊應(yīng)力最小化，使得最小化或防止了對有機(jī)發(fā)光二極管D的損壞。

圖8是沿圖2的線A-A′截取并且示出根據(jù)第四實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。圖9是示出根據(jù)第四實施方案的柔性O(shè)LED裝置中的間隔件的位置的示意性平面圖。

如圖8所示，TFT Tr、有機(jī)發(fā)光二極管D和封裝膜380堆疊在柔性基板310上方。

例如，柔性基板310可以為由聚合物形成的基板，具體地可以為由聚酰亞胺形成的基板。為了制造，載體基板(未示出)可以附接至柔性基板310的下表面，元件如TFT Tr可以形成在柔性基板310上，并且載體基板從柔性基板310釋放。因此，載體基板可以有利于TFT Tr的制造。

TFT Tr形成在柔性基板310上。雖然未示出，但是在柔性基板310上可以形成有緩沖層，并且TFT Tr可以形成在緩沖層上。

在柔性基板310上形成有半導(dǎo)體層322。半導(dǎo)體層322可以包含氧化物半導(dǎo)體材料或多晶硅。

在半導(dǎo)體層322上形成有柵極絕緣層324。柵極絕緣層324可以由諸如硅氧化物或硅氮化物之類的無機(jī)絕緣材料形成。

在柵極絕緣層324上的半導(dǎo)體層322的中心上方形成有柵電極330，柵電極330由導(dǎo)電材料例如金屬形成。

在包括柵電極330的柔性基板310的整個表面上形成有層間絕緣層332，層間絕緣層332由絕緣材料形成。層間絕緣層332可以由無機(jī)絕緣材料例如硅氧化物或硅氮化物，或者有機(jī)絕緣材料例如苯并環(huán)丁烯或光丙烯酸類物質(zhì)形成。

層間絕緣層332包括露出半導(dǎo)體層322的兩側(cè)的第一接觸孔334和第二接觸孔336。第一接觸孔334和第二接觸孔336位于柵電極330的兩側(cè)，以與柵電極330間隔開。

在層間絕緣層332上形成有源電極340和漏電極342，源電極340和漏電極342由導(dǎo)電材料如金屬形成。源電極340和漏電極342相對于柵電極330彼此間隔開并且通過第一接觸孔334和第二接觸孔336分別與半導(dǎo)體層322的兩側(cè)接觸。

半導(dǎo)體層322、柵電極330、源電極340和漏電極342構(gòu)成TFT Tr，并且TFT Tr用作驅(qū)動元件。

盡管未示出，但是柵極線和數(shù)據(jù)線被設(shè)置在柔性基板310上或上方并且彼此交叉以限定像素區(qū)。此外，在柔性基板310上可以設(shè)置有電連接至柵極線和數(shù)據(jù)線的開關(guān)元件。開關(guān)元件電連接至作為驅(qū)動元件的TFT Tr。

另外，在柔性基板310上或上方可以形成有與柵極線或數(shù)據(jù)線平行以及間隔開的電源線。另外，在柔性基板310上還可以形成有用于保持TFT Tr的柵電極330在一幀期間的電壓的存儲電容器。

鈍化層350形成為覆蓋TFT Tr，鈍化層350包括露出TFT Tr的漏電極342的漏極接觸孔352。

在各個像素區(qū)中單獨地形成第一電極360，第一電極360通過漏極接觸孔352連接至TFT Tr的漏電極342。第一電極360可以是陽極，并且可以由具有相對高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。例如，第一電極360可以由諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)之類的透明導(dǎo)電材料形成。

在鈍化層350上形成有堤層366，堤層366覆蓋第一電極360的邊緣。在像素區(qū)中的第一電極360的中心通過堤層366的開口露出。

在堤層366上形成有間隔件368。

通常，當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管D的有機(jī)發(fā)光層362通過使用精細(xì)金屬掩模的熱氣相沉積工藝形成時，有機(jī)發(fā)光二極管D可能被精細(xì)金屬掩模損壞。例如，精細(xì)金屬掩模接觸有機(jī)發(fā)光層362，使得有機(jī)發(fā)光層362可能被損壞。因此，在堤層366上存在間隔件368的情況下，防止了有機(jī)發(fā)光二極管D被精細(xì)金屬掩模損壞。

間隔件368可以僅形成在堤層366的一部分上。即，參照圖9，堤層366具有一個單個本體以完全地包圍像素區(qū)P，而間隔件368單獨地形成在堤層366的一部分上。換句話說，至少兩個間隔件368彼此間隔開使得露出堤層366的其他部分。

例如，彼此間隔開的四個間隔件368可以設(shè)置在各個像素區(qū)P的四側(cè)。間隔件368可以由諸如聚酰亞胺之類的聚合物形成。

有機(jī)發(fā)光層362形成在第一電極360上。有機(jī)發(fā)光層362可以具有由發(fā)光材料形成的發(fā)光材料層的單層結(jié)構(gòu)?？商娲?，為了提高發(fā)光效率，有機(jī)發(fā)光層362可以具有多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)包括在第一電極360上依次堆疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層和電子注入層。

在包括有機(jī)發(fā)光層362的柔性基板310上方形成有第二電極364。第二電極364位于顯示區(qū)AA的整個表面上。第二電極364可以為陰極，并且可以由具有相對低的功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。例如，第二電極364可以由鋁(Al)、鎂(Mg)或Al-Mg合金形成。

第一電極360、有機(jī)發(fā)光層362和第二電極364構(gòu)成有機(jī)發(fā)光二極管D。

在有機(jī)發(fā)光二極管D的第二電極364上形成有封裝膜380，以防止水分滲入有機(jī)發(fā)光二極管D。封裝膜380可以具有如下三層結(jié)構(gòu)：第一無機(jī)層382、有機(jī)層384和第二無機(jī)層386。然而，其不限于此。

例如，封裝膜380還可以包括在第二無機(jī)層386上的有機(jī)層或堆疊在第二無機(jī)層386上的有機(jī)層和無機(jī)層。

第一無機(jī)層382接觸并且覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D。例如，第一無機(jī)層382可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氧氮化物(SiON)中的之一形成。

有機(jī)層384形成在第一無機(jī)層382上，并且對第一無機(jī)層382的應(yīng)力通過有機(jī)層384減小。例如，有機(jī)層384可以由丙烯酸類材料或環(huán)氧類材料形成。

第二無機(jī)層386形成在有機(jī)層384上，并且可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氧氮化物(SiON)中的之一形成。

例如，第一無機(jī)層382和第二無機(jī)層386中的每個可以通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝或原子層沉積(ALD)工藝形成，并且有機(jī)層384可以通過噴墨涂覆工藝、狹縫涂布工藝或棒涂工藝形成。

盡管未示出，但是阻擋膜可以附接至封裝膜380，并且用于減少環(huán)境光反射的偏振板可以附接至阻擋膜。例如，偏振板可以是圓偏振板。

圖10是沿圖2的線B-B′截取并且示出根據(jù)第四實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。圖11是沿圖2的線C-C′截取并且示出根據(jù)第四實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。圖12是沿圖2的線D-D′截取并且示出根據(jù)第四實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性截面圖。

如圖10和圖11所示，有機(jī)發(fā)光二極管D形成在柔性基板310的顯示區(qū)AA中，并且包圍顯示區(qū)AA的壩370形成在柔性基板310的非顯示區(qū)NA中。

例如，壩370可以由無機(jī)材料例如硅氧化物或硅氮化物，或者有機(jī)材料例如聚酰亞胺形成。

壩370被定位成與有機(jī)發(fā)光二極管D間隔開。壩370包括在折疊區(qū)域FR中的單層結(jié)構(gòu)的第一壩370a和在非折疊區(qū)域(即，除了折疊區(qū)域FR之外的其他區(qū)域)中的雙層結(jié)構(gòu)的第二壩370b。第二壩370b可以包括下層372和上層374。

即，第一壩370a具有第一厚度t1，并且第二壩370b具有第二厚度t2，第二厚度t2大于第一厚度t1。第二壩370b的下層372可以具有與第一壩370a的厚度基本上相同的厚度。

第二壩370b的下層372和第一壩370a可以位于與(圖8的)堤層366的層相同的層處并且由與(圖8的)堤層366的材料相同的材料形成，第二壩370b的上層374可以位于與(圖8的)間隔件368的層相同的層處并且由與(圖8的)間隔件368的材料相同的材料形成。

在圖12中，在折疊區(qū)域FR中的第一壩370a具有單層結(jié)構(gòu)。可替代地，在第一壩370a上可以形成有彼此間隔開的壩圖案(未示出)。壩圖案可以具有點形狀，并且設(shè)置在與第二壩370b的上層374的層相同的層上。

此外，封裝膜380形成為覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D和壩370。

如上所述，封裝膜380可以具有如下三層結(jié)構(gòu)：第一無機(jī)層382、有機(jī)層384和第二無機(jī)層386。

由于在折疊區(qū)域FR中的第一壩370a具有單層結(jié)構(gòu)，所以第一無機(jī)層382在折疊區(qū)域FR中接觸在折疊區(qū)域FR中的第一壩370a的上表面，第一壩370a被設(shè)置在與堤層366的層相同的層上。另一方面，第一無機(jī)層382在非折疊區(qū)域中接觸第二壩370b的上層374的上表面，第二壩370b設(shè)置在與間隔件368的層相同的層上。

在這種情況下，第一無機(jī)層382和第二無機(jī)層386覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D和壩370，并且有機(jī)層384位于由壩370包圍的區(qū)域內(nèi)部。即，有機(jī)層384覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D并且與有機(jī)發(fā)光二極管D交疊，而不覆蓋壩370并且與壩370不交疊。換句話說，有機(jī)層384的寬度和/或面積小于第一無機(jī)層382和第二無機(jī)層386中的每個的寬度和/或面積。

如上所述，通過涂覆工藝涂覆的有機(jī)材料的流被壩370充分地阻止，使得有機(jī)層384形成在壩370內(nèi)部。因此，沒有露出有機(jī)層384的側(cè)表面。

此外，因為在折疊區(qū)域FR中的第一壩370a的厚度減小，所以在折疊操作中施加到第一無機(jī)層382和第二無機(jī)層386的應(yīng)力減小。因此，通過折疊操作對第一無機(jī)層382和第二無機(jī)層386的損壞最小化或防止了損壞，使得可以防止封裝膜380的水分阻擋性能的降低。

即，在本發(fā)明中，在折疊區(qū)域FR中第一壩370a的平均厚度小于在非折疊區(qū)域中的第二壩370b的平均厚度，并且有機(jī)層384位于由壩370包圍的區(qū)域中使得在折疊區(qū)域FR中通過折疊操作對封裝膜380的應(yīng)力最小化或防止了應(yīng)力。

因此，在根據(jù)第四實施方案的柔性O(shè)LED裝置300中，防止露出有機(jī)層384的側(cè)表面并且使折疊應(yīng)力最小化或防止了折疊應(yīng)力，使得防止了對有機(jī)發(fā)光二極管D的損壞。

圖13是示出根據(jù)第五實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性平面圖。并且圖14是沿圖13的線D-D′截取的示意性截面圖。

如圖13和圖14所示，OLED裝置400可以是可折疊的、可彎曲的或可卷曲的。即，OLED裝置400是柔性顯示裝置。例如，折疊區(qū)域FR被限定為沿柔性O(shè)LED裝置400的短軸。可替代地，折疊區(qū)域FR可以被限定為沿柔性O(shè)LED裝置400的長軸。

如圖13所示當(dāng)折疊區(qū)域FR被限定為沿短軸時，焊盤區(qū)(未示出)可以被限定在長軸的至少一端中。

在柔性O(shè)LED裝置400中，多個像素區(qū)P被限定在柔性基板400上的顯示區(qū)AA中，并且在各個像素區(qū)P中形成有有機(jī)發(fā)光二極管(未示出)。

如通過圖3所說明的，包括半導(dǎo)體層122、柵電極130、源電極140和漏電極142的TFT Tr形成在柔性基板110上，并且有機(jī)發(fā)光二極管D包括第一電極160，其連接到TFT Tr的漏電極142；有機(jī)發(fā)光二極管D包括面對第一電極160的第二電極164；以及在第一電極160與第二電極164之間的有機(jī)發(fā)光層162。

此外，覆蓋第一電極160的邊緣的隔堤166形成在像素區(qū)P的邊界處。(圖8的)間隔件368還可以形成在堤層166上。

覆蓋顯示區(qū)AA的壩470形成在顯示區(qū)AA的周邊處的非顯示區(qū)NA中，在顯示區(qū)AA中形成有有機(jī)發(fā)光二極管D。

部分地去除在折疊區(qū)域FR中的壩470使得形成至少一個壩圖案476，至少一個壩圖案476具有點形狀并且與在非折疊區(qū)域中的壩470間隔開。即，壩470是不連續(xù)的。

圖14示出了壩470和壩圖案476中的每個具有單層結(jié)構(gòu)?？商娲?，壩470和壩圖案476中的每個可以具有與(圖12的)第二壩370b類似的雙層結(jié)構(gòu)。另一方面，壩470可以具有雙層結(jié)構(gòu)，同時壩圖案476可以具有單層結(jié)構(gòu)。

(圖12的)封裝膜380形成為覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D和壩470。封裝膜380可以具有如下三層結(jié)構(gòu)：第一無機(jī)層482、(圖10的)有機(jī)層384和第二無機(jī)層486。

第一無機(jī)層482和第二無機(jī)層486覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D和壩470，并且有機(jī)層384位于由壩470包圍的區(qū)域內(nèi)部。即，有機(jī)層384覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D并且與有機(jī)發(fā)光二極管交疊，而不覆蓋壩470并且與壩470不交疊。換句話說，有機(jī)層384的寬度和/或面積小于第一無機(jī)層482和第二無機(jī)層486中的每個的寬度和/或面積。

如上所述，通過涂覆工藝涂覆的有機(jī)材料的流可以被壩470充分地阻止，使得有機(jī)層384形成在壩470內(nèi)部。因此，可以沒有露出有機(jī)層384的側(cè)表面。

在根據(jù)第五實施方案的柔性O(shè)LED裝置400中，由于壩圖案476被設(shè)置成彼此間隔開，所以在折疊區(qū)域FR中的壩470的平均厚度減小。

即，在折疊區(qū)域FR中壩470的厚度減小，使得通過折疊操作施加到第一無機(jī)層482和第二無機(jī)層486的應(yīng)力減小。因此，通過折疊操作對第一無機(jī)層482和第二無機(jī)層486的損壞最小化或防止了損壞，使得可以防止封裝膜380的水分阻擋性能的降低。

換句話說，在本發(fā)明中，在折疊區(qū)域FR中壩470的平均厚度小于在非折疊區(qū)域中的壩470的平均厚度，并且有機(jī)層384位于由壩470包圍的區(qū)域中使得在折疊區(qū)域FR中通過折疊操作對封裝膜380的應(yīng)力最小化或防止了應(yīng)力。

因此，在根據(jù)第五實施方案的柔性O(shè)LED裝置400中，防止露出有機(jī)層384的側(cè)表面并且使折疊應(yīng)力最小化或防止了折疊應(yīng)力，使得防止對有機(jī)發(fā)光二極管D的損壞。

圖15是示出根據(jù)第六實施方案的柔性O(shè)LED裝置的示意性平面圖。

如圖15所示，OLED裝置500可以是可折疊的、可彎曲的或可卷曲的。即，OLED裝置500是柔性顯示裝置。例如，折疊區(qū)域FR被限定為沿柔性O(shè)LED裝置500的短軸?？商娲兀郫B區(qū)域FR可以被限定為沿柔性O(shè)LED裝置500的長軸。

如圖15所示當(dāng)折疊區(qū)域FR被限定為沿短軸時，焊盤區(qū)(未示出)可以被限定在長軸的至少一端中。

在柔性O(shè)LED裝置500中，多個像素區(qū)P被限定在柔性基板500上的顯示區(qū)AA中，并且在各個像素區(qū)P中形成有有機(jī)發(fā)光二極管(未示出)。

如通過圖3所說明的，包括半導(dǎo)體層122、柵電極130、源電極140和漏電極142的TFT Tr形成在柔性基板110上，并且有機(jī)發(fā)光二極管D包括第一電極160，其連接到TFT Tr的漏電極142；有機(jī)發(fā)光二極管D包括面對第一電極160的第二電極164；以及在第一電極160與第二電極164之間的有機(jī)發(fā)光層162。

此外，覆蓋第一電極160的邊緣的隔堤166形成在像素區(qū)P的邊界處。(圖8的)間隔件368還可以形成在堤層166上。

覆蓋顯示區(qū)AA的壩570形成在顯示區(qū)AA的周邊處的非顯示區(qū)NA中，在顯示區(qū)AA中形成有有機(jī)發(fā)光二極管D。

部分地去除在折疊區(qū)域FR中的壩570使得形成第一壩圖案576a和第二壩圖案576b，第一壩圖案576a和第二壩圖案576b中的每個均具有點形狀并且與在非折疊區(qū)域中的壩570間隔開。第一壩圖案576a和第二壩圖案576b彼此間隔開并且被布置成Z字形形狀(zigzag shape)。

壩570、第一壩圖案576a和第二壩圖案576b中的所有具有單層結(jié)構(gòu)或雙層結(jié)構(gòu)?？商娲?，壩570可以具有雙層結(jié)構(gòu)，而第一壩圖案576a和第二壩圖案576b可以具有單層結(jié)構(gòu)。

(圖12的)封裝膜380形成為覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D、壩570和壩圖案576。封裝膜380可以具有如下三層結(jié)構(gòu)：(圖10的)第一無機(jī)層382、(圖10的)有機(jī)層384和(圖10的)第二無機(jī)層386。

第一無機(jī)層382和第二無機(jī)層386覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D、壩570和壩圖案576，并且有機(jī)層384位于由壩570和壩圖案576包圍的區(qū)域內(nèi)部。即，有機(jī)層384覆蓋有機(jī)發(fā)光二極管D并且與有機(jī)發(fā)光二極管D交疊，而不覆蓋壩570和壩圖案576并且與壩570和壩圖案576不交疊。

如上所述，通過涂覆工藝涂覆的有機(jī)材料的流可以被壩570和壩圖案576充分地阻止，使得有機(jī)層384形成在壩570和壩圖案576內(nèi)部。因此，沒有露出有機(jī)層384的側(cè)表面。

在根據(jù)第六實施方案的柔性O(shè)LED裝置500中，由于包括第一壩圖案576a和第二壩圖案576b的壩圖案576被設(shè)置成彼此間隔開并且被布置成Z字形形狀，所以在折疊區(qū)域FR中的壩570即壩圖案576的平均厚度減小。

即，在折疊區(qū)域FR中的壩570的厚度減少，使得通過折疊操作施加到第一無機(jī)層382和第二無機(jī)層386的應(yīng)力減小。因此，通過折疊操作對第一無機(jī)層382和第二無機(jī)層386的損壞最小化或防止了損壞，使得防止封裝膜380的水分阻擋性能的降低。

換句話說，在本發(fā)明中，在折疊區(qū)域FR中壩570的平均厚度小于在非折疊區(qū)域中的壩570的平均厚度，并且有機(jī)層384位于由壩570包圍的區(qū)域中使得在折疊區(qū)域FR中通過折疊操作施加在封裝膜380上的應(yīng)力最小化或防止了應(yīng)力。

因此，在根據(jù)第六實施方案的柔性O(shè)LED裝置500中，可以防止露出有機(jī)層384的側(cè)表面并且使折疊應(yīng)力最小化或防止了折疊應(yīng)力，使得可以防止對有機(jī)發(fā)光二極管D的損壞。