相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2012年3月14日向韓國(guó)專利局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2012-0026091的韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體而言，涉及一種相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)(PCRAM)器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

PCRAM器件是非易失性存儲(chǔ)器件中的一種，包括電阻根據(jù)溫度而改變的相變材料。相變材料通常包括含有鍺(Ge)、銻(Sb)以及碲(Te)的硫族化物材料。相變材料根據(jù)溫度改變成非晶狀態(tài)或結(jié)晶狀態(tài)，以定義RESET(或邏輯“1”)或SET(或邏輯“0”)。

如同動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(DRAM)器件，PCRAM器件可以包括由字線和位線限定的多個(gè)存儲(chǔ)器單元，并且多個(gè)存儲(chǔ)器單元每個(gè)都可以包括由相變材料形成的可變電阻器以及被配置成選擇性地驅(qū)動(dòng)可變電阻器的開關(guān)元件。

在PCRAM中，可以將字線以結(jié)區(qū)類型設(shè)置在半導(dǎo)體襯底中，且可以將位線設(shè)置為導(dǎo)線類型。二極管或MOS晶體管可以用作開關(guān)元件。

正在研究PCRAM以在減小其芯片尺寸的同時(shí)增加其集成度。然而，由于分辨率的限制，在最小化特征尺寸方面存在限制。

為此，已經(jīng)提出了一種制造3維(3D)PCRAM的方法，在所述3維(3D)PCRAM中，將二極管形成為垂直柱體形狀，或者利用柵極的垂直柱體來(lái)形成開關(guān)晶體管。

然而，實(shí)際上，很難在3D PCRAM中形成垂直柱體。

尤其，為了改善垂直柱體的二極管開關(guān)元件的關(guān)斷電流特性，要增加垂直柱體的高度。因而，增加垂直柱體的高寬比導(dǎo)致工藝難度和二極管傾斜。

即使在垂直柱體的晶體管開關(guān)元件中，也要增加垂直柱體的高度以保證有效的溝道長(zhǎng)度。由于在二極管開關(guān)元件中，垂直柱體的高寬比增加，因而會(huì)增加工藝難度并引起傾斜現(xiàn)象。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)示例性實(shí)施例的一個(gè)方面，提出了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以包括：半導(dǎo)體襯底；有源區(qū)，所述有源區(qū)包括多個(gè)單位有源區(qū)，且設(shè)置在半導(dǎo)體襯底之上并與半導(dǎo)體襯底間隔開；字線對(duì)，所述字線對(duì)被形成在單位有源區(qū)的頂表面和側(cè)面上；虛設(shè)字線，所述虛設(shè)字線被設(shè)置在單位有源區(qū)的接觸處，并被形成在單位有源區(qū)的頂表面和側(cè)面上；源極區(qū)域，所述源極區(qū)域被形成在字線對(duì)之間的單位有源區(qū)中，并與半導(dǎo)體襯底電連接；漏極區(qū)域，所述漏極區(qū)域形成在所述字線對(duì)與所述虛設(shè)字線之間的單位有源區(qū)中；以及第一儲(chǔ)存層，所述第一儲(chǔ)存層形成在漏極區(qū)域上，并與漏極區(qū)域電連接。

根據(jù)示例性實(shí)施例的另一個(gè)方面，提出了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以包括：半導(dǎo)體襯底；多個(gè)有源區(qū)，所述多個(gè)有源區(qū)以線形圖案結(jié)構(gòu)形成在半導(dǎo)體襯底上；多個(gè)字線，所述多個(gè)字線與所述多個(gè)有源區(qū)交叉并包圍所述多個(gè)有源區(qū)；源極區(qū)域和漏極區(qū)域，所述源極區(qū)域和所述漏極區(qū)域形成在所述多個(gè)字線之間的所述多個(gè)有源區(qū)中；以及儲(chǔ)存層，所述儲(chǔ)存層形成源極區(qū)域和漏極區(qū)域上。源極區(qū)域中的每個(gè)可以被形成在從有源區(qū)延伸到半導(dǎo)體襯底的樁結(jié)構(gòu)中。

根據(jù)示例性實(shí)施例的另一個(gè)方面，提出了一種制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法。所述方法可以包括以下步驟：在半導(dǎo)體襯底上以第一恒定間距形成包括樁的線圖案形的有源區(qū)；以第二恒定的間隔形成多個(gè)字線以與有源區(qū)交叉；對(duì)在字線中的每個(gè)的兩側(cè)處的有源區(qū)執(zhí)行雜質(zhì)的離子注入，以在與所述樁相對(duì)應(yīng)的注入的有源區(qū)中形成源極區(qū)域，并在其余的注入的有源區(qū)中形成漏極區(qū)域；在暴露在字線之間的源極區(qū)域和漏極區(qū)域上形成下電極；在下電極上和字線的側(cè)壁上形成間隔件絕緣層；刻蝕間隔件絕緣層以在漏極區(qū)域上選擇性地暴露出下電極；以及在間隔件絕緣層和暴露出的下電極上形成儲(chǔ)存層。

根據(jù)示例性實(shí)施例的另一個(gè)方面，提出了一種制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法。所述方法包括以下步驟：在半導(dǎo)體襯底上形成犧牲層和線圖案形的有源區(qū)；以恒定的間距形成多個(gè)字線以與有源區(qū)交叉；選擇性地去除犧牲層；在字線之間的空間和去除了犧牲層的空間中形成絕緣層；在字線之間的有源區(qū)上選擇性地刻蝕絕緣層，以暴露出有源區(qū)；刻蝕暴露出的有源區(qū)和在暴露出的有源區(qū)之下的絕緣層，以形成暴露出半導(dǎo)體襯底的源極接觸孔；在源極接觸孔中形成源極樁以與有源區(qū)連接；在源極樁中和字線中的每個(gè)的兩側(cè)處的有源區(qū)中離子注入雜質(zhì)，以在源極樁中形成源極區(qū)域，并在有源區(qū)中形成漏極區(qū)域；在源極區(qū)域和漏極區(qū)域上形成下電極；在下電極上形成間隔件絕緣層；刻蝕間隔件絕緣層以選擇性地暴露出在漏極區(qū)域上的下電極；以及在間隔件絕緣層和暴露出的下電極上形成儲(chǔ)存層。

在以下標(biāo)題為“具體實(shí)施方式”的部分描述這些和其它的特點(diǎn)、方面以及實(shí)施例。

附圖說(shuō)明

從如下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中將更清楚地理解本發(fā)明的主題的以上和其它方面、特征和優(yōu)點(diǎn)：

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的高集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的示意性平面圖；

圖2是沿著圖1的線II-II’截取的高集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的截面圖；

圖3A至圖3H是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的高集成半導(dǎo)體器件的平面圖；

圖4A至圖4H是說(shuō)明分別沿著圖3A至圖3H的線IV-IV’截取的高集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的截面圖；

圖5是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例的高集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的截面圖；

圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的高集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的立體圖；

圖7說(shuō)明從X方向看的圖6的高集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件；

圖8是沿著圖6的線D-D’截取的高集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的截面圖；

圖9A至圖9E是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的高集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的立體圖；以及

圖10A至圖10E是分別沿著圖9A至圖9E的線X-X’截取的高集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的截面圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖更詳細(xì)地描述示例性實(shí)施例。

本文參照示例性實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意性說(shuō)明描述了示例性實(shí)施例。如此，實(shí)施的示例性實(shí)施例的實(shí)際尺寸和比例可以不同于說(shuō)明的尺寸和比例。另外，示例性實(shí)施例不應(yīng)解釋為限于本文說(shuō)明的區(qū)域的具體形狀，而應(yīng)解釋為包括產(chǎn)生于實(shí)際實(shí)施的形狀差異。在附圖中，為了清楚起見，可以夸大層和區(qū)域的長(zhǎng)度和尺寸。相同的附圖標(biāo)記在附圖中表示相似的元件。也可以理解的是：當(dāng)提及一層在另一層或襯底“上”時(shí)，其可以是直接在所述另一層或襯底上，或者還可以存在中間層。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的平面圖，且圖2是沿著圖1的線II-II’截取的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的截面圖。

參見圖1，布置了具有線形的多個(gè)有源區(qū)ACTIVE。多個(gè)有源區(qū)ACTIVE每個(gè)都可以包括多個(gè)單位有源區(qū)unit_ACTIVE。一對(duì)字線WL布置在每個(gè)單位有源區(qū)unit_ACTIVE上，并以恒定的間距分開而延伸。虛設(shè)字線D_WL布置在字線對(duì)WL之間。

源極區(qū)域S形成在布置于單位有源區(qū)unit_ACTIVE上的字線對(duì)之間的單位有源區(qū)unit_ACTIVE中。漏極區(qū)域D形成在字線對(duì)WL兩側(cè)的單位有源區(qū)unit_ACTIVE中。盡管單位有源區(qū)unit_ACTIVE大體上通過(guò)虛設(shè)字線D_WL來(lái)區(qū)分，但是單位有源區(qū)unit_ACTIVE彼此耦接以限定線圖案形狀的有源區(qū)ACTIVE。

如圖2所示，源極區(qū)S被形成為與半導(dǎo)體襯底10耦接，同時(shí)漏極區(qū)D被形成為通過(guò)絕緣層20與半導(dǎo)體襯底10絕緣。

在源極區(qū)域S和漏極區(qū)域D上分別設(shè)置有下電極BE，且在下電極BE上形成有儲(chǔ)存層ST。儲(chǔ)存層ST可以被形成為掩埋在字線WL和虛設(shè)字線D_WL之間的空間中。在漏極區(qū)域D之上的儲(chǔ)存層ST與下方的下電極BE電連接，而在源極區(qū)域S之上的儲(chǔ)存層ST通過(guò)間隔件絕緣層SP與下方的下電極BE絕緣。另外，在儲(chǔ)存層ST中由符號(hào)STT表示的部分是儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的部分，例如，是當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件是PCRAM器件時(shí)發(fā)生相變的部分。在儲(chǔ)存層ST上形成有例如以與有源區(qū)ACTIVE重疊的形狀與字線WL交叉的位線BL。

此時(shí)，出于描述目的，在圖1中省略了位線。

在本示例性實(shí)施例中，將有源區(qū)形成為具有沿水平方向延伸的線形溝道層，因而以穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)制造存儲(chǔ)器件。另外，將字線形成為包圍線形的半導(dǎo)體層的三個(gè)側(cè)面，使得獲得包圍柵效應(yīng)，且因而改善晶體管性能。在字線兩側(cè)的空間中執(zhí)行數(shù)據(jù)儲(chǔ)存，使得防止器件高度的增加。

將參照?qǐng)D3A至3H和圖4A至4H來(lái)詳細(xì)地描述具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。

參見圖3A和4A，在半導(dǎo)體襯底100上順序地形成犧牲層105和第一半導(dǎo)體層110。犧牲層105和第一半導(dǎo)體層110可以包括具有彼此不同的刻蝕選擇性的半導(dǎo)體材料。例如，犧牲層105可以包括硅鍺(SiGe)層，并且半導(dǎo)體層110可以包括硅(Si)層。可以經(jīng)由外延方法來(lái)形成犧牲層105和第一半導(dǎo)體層110，使得犧牲層105和半導(dǎo)體層110具有良好的結(jié)晶狀態(tài)。為了限定開關(guān)晶體管區(qū)域，在第一半導(dǎo)體層110上形成第一光致抗蝕劑圖案115。以第一光致抗蝕劑圖案115的形狀將第一半導(dǎo)體層110和犧牲層105圖案化。通過(guò)圖案化工藝，暴露出半導(dǎo)體襯底100的限定的部分，并且隨后半導(dǎo)體襯底100的暴露出的部分可以是晶體管的源極區(qū)域。

參見圖3B和4B，經(jīng)由一般工藝去除第一光致抗蝕劑圖案115，且在第一半導(dǎo)體層110上形成第二半導(dǎo)體層120?？梢酝ㄟ^(guò)排出/生長(zhǎng)第一半導(dǎo)體層110來(lái)形成第二半導(dǎo)體層120?？商孢x地，第二半導(dǎo)體層120可以被形成為掩埋在第一半導(dǎo)體層110之間的空間中。還可以執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝以使半導(dǎo)體襯底120的表面平坦化。在第二半導(dǎo)體層120上沉積硬掩模層125，且將硬掩模層125圖案化以限定有源區(qū)ACTIVE。接著，將第二半導(dǎo)體層120、第一半導(dǎo)體層110以及犧牲層105圖案化成硬掩模層125的形狀。利用選擇性刻蝕工藝去除暴露出的犧牲層105以限定有源區(qū)ACTIVE。在去除犧牲層105的部分中形成下空間s1，且源極樁(post)P表示隨后用作源極區(qū)域的第二半導(dǎo)體層120的部分。因此，在圖2的源極樁P的兩側(cè)的第一半導(dǎo)體110之下設(shè)置了下空間s1。

參見圖3C和圖4C，在半導(dǎo)體襯底100的所得結(jié)構(gòu)上形成第一層間絕緣層130。第一層間絕緣層130可以包括具有良好的間隙填充特性的絕緣層以完全地填充在下空間s1中。可以將第一層間絕緣層130部分地填充在有源區(qū)ACTIVE之間的空間以及下空間s1中。接著，將第一層間絕緣層130凹陷指定的厚度，使得第一層間絕緣層130保留在有源區(qū)ACTIVE之間的空間中的半導(dǎo)體襯底100的表面上。

參見圖3D和圖4D，去除其余的硬掩模層125。將通過(guò)去除硬掩模層125暴露出的表面氧化成薄膜以形成柵氧化物層135。隨后，在柵絕緣層135上順序沉積柵導(dǎo)電層140、柵勢(shì)壘金屬層145以及硬掩模層150。將層疊的柵導(dǎo)電層140、柵勢(shì)壘金屬層145以及硬掩模層150圖案化成與有源區(qū)ACTIVE交叉的線形，使得形成多個(gè)字線WL。例如，柵導(dǎo)電層140可以包括被摻雜雜質(zhì)的多晶硅層。柵勢(shì)壘金屬層145可以包括過(guò)渡金屬，例如鎢金屬層，且硬掩模層150可以包括氮化硅層。

在沿著圖3D的線C-C’截取的截面圖中，如圖5所示，可以將字線WL形成為包圍有源區(qū)ACTIVE。因此，字線WL包圍有源區(qū)ACTIVE的三個(gè)側(cè)面，使得增加有效的溝道長(zhǎng)度以增強(qiáng)晶體管的溝道特性。

參見圖3E和圖4E，在形成有字線WL的半導(dǎo)體襯底100的所得表面上形成用于第一間隔件的氮化物層155。接著，將n型雜質(zhì)離子注入到字線WL兩側(cè)的第二半導(dǎo)體層120和第一半導(dǎo)體層110中，以形成源極區(qū)域160a和漏極區(qū)域160b。在包括第二半導(dǎo)體層120的源極樁P中形成源極區(qū)域160a，且在下空間s1之上的第一半導(dǎo)體層110和第二半導(dǎo)體層120中形成漏極區(qū)域160b。另外，可以經(jīng)由源極區(qū)域160a和漏極區(qū)域160b，在半導(dǎo)體襯底100的表面區(qū)域中形成雜質(zhì)區(qū)。在半導(dǎo)體襯底100的所得結(jié)構(gòu)上形成第二層間絕緣層163。因此，漏極區(qū)域160b布置在一個(gè)源極區(qū)域160a的兩側(cè)，且在本示例性實(shí)施例中，由一個(gè)源極區(qū)域160a及其兩側(cè)的漏極區(qū)域160b構(gòu)成的區(qū)域可以被定義為單位有源區(qū)unit_ACTIVE。

可以將字線WL設(shè)置在源極區(qū)域160a與漏極區(qū)域160b之間，且可以將字線D_WL設(shè)置在漏極區(qū)域160b之間。此時(shí)，設(shè)置在漏極區(qū)域160b之間的字線D_WL可以是不起實(shí)際柵極作用的虛設(shè)柵D_WL?？梢韵蛱撛O(shè)字線D_WL供應(yīng)指定電壓，使得虛設(shè)字線D_WL不起字線WL的作用。盡管未示出，可以在與虛設(shè)字線D_WL重疊的半導(dǎo)體襯底100的區(qū)域中形成雜質(zhì)區(qū)。

可以將虛設(shè)字線D_WL形成為具有以統(tǒng)一間距布置的字線區(qū)的布置結(jié)構(gòu)，并用來(lái)劃分單位有源區(qū)unit_ACTIVE。將第二層間絕緣層163形成為掩埋在字線WL之間的空間內(nèi)。

參見圖3F和4F，在有源區(qū)ACTIVE之間的空間上形成第二光致抗蝕劑圖案165，以暴露出第二層間絕緣層163的與有源區(qū)ACTIVE相對(duì)應(yīng)的部分。去除由第二光致抗蝕劑圖案165暴露出的第二層間絕緣層163的部分。各向異性地刻蝕用于第一間隔件的氮化物層155，以在字線WL的側(cè)壁上形成第一間隔件155a。因此，暴露出源極區(qū)域160a和漏極區(qū)域160b。

參見圖3G和圖4G，在暴露出的源極區(qū)域160a和漏極區(qū)域160b上形成下電極170?？梢栽诎雽?dǎo)體襯底100的所得結(jié)構(gòu)上沉積導(dǎo)電層，然后將導(dǎo)電層凹陷，使得下電極170可以保留在字線WL之間的空間的底部。在字線WL和下電極170上形成用于第二間隔件的第二氮化物層175。此時(shí)，出于描述目的，從圖3G中省略了用于第二間隔件的氮化物層175。在源極區(qū)域160a之上的用于第二間隔件的氮化物層175的部分上形成第三光致抗蝕劑圖案180，以暴露出在漏極區(qū)域160b之上的用于第二間隔件的氮化物層175的部分。各向異性地刻蝕由第三光致抗蝕劑圖案180暴露出的用于第二間隔件的氮化物層175的部分，以形成將漏極區(qū)域160b上的下電極暴露出的第二間隔件175a。在源極區(qū)域160a上的下電極170被第二間隔件175遮蔽。

參見圖3H和圖4H，通過(guò)一般工藝來(lái)去除第三光致抗蝕劑圖案180。沉積相變材料層185，然后將相變材料層185平坦化，以掩埋在字線WL之間的空間內(nèi)。此時(shí)，相變材料層185與漏極區(qū)域160b上的下電極170接觸，并與源極區(qū)域160a上的下電極170絕緣。在相變材料層185上沉積用于位線的上電極層190和導(dǎo)電層195，并將上電極層190和導(dǎo)電層195刻蝕成保留在有源區(qū)ACTIVE中，由此形成位線BL。

圖6是根據(jù)本示例性實(shí)施例形成的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的立體圖，圖7說(shuō)明從圖6的x方向看的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，且圖8是沿著圖6的線D-D’截取的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的截面圖。這里，圖8說(shuō)明如下情況：僅第一半導(dǎo)體層110形成包括漏極區(qū)域160b的線形半導(dǎo)體層，且字線WL設(shè)置在第一半導(dǎo)體層110和第二半導(dǎo)體層120上，以示出半導(dǎo)體層以及源極區(qū)域160a和漏極區(qū)域160b的結(jié)構(gòu)。

參見圖6至圖8，半導(dǎo)體襯底100經(jīng)由源極區(qū)域160a與線形半導(dǎo)體層110連接。其中形成有溝道110b的字線WL包圍源極區(qū)域160a兩側(cè)的半導(dǎo)體層110和120。漏極區(qū)域160b形成在字線WL相對(duì)于源極區(qū)域160a的外側(cè)處的半導(dǎo)體層110和120中。要形成溝道110b和漏極區(qū)域160b的半導(dǎo)體層110和120維持在浮置狀態(tài)。虛設(shè)字線D_WL被設(shè)置在漏極區(qū)域160b之間，且儲(chǔ)存層185被形成在字線WL和要與漏極區(qū)域160b電連接的虛設(shè)字線D_WL之間的空間中。儲(chǔ)存層響應(yīng)于字線WL的使能而被選擇性地驅(qū)動(dòng)。

在本示例性實(shí)施例中同時(shí)形成源極區(qū)域160a和漏極區(qū)域160b。然而，在另一個(gè)實(shí)施例中，分開形成源極區(qū)域160a和漏極區(qū)域160b。

即，參見圖9A和圖10A，順序?qū)盈B犧牲層205、第一半導(dǎo)體層210以及硬掩模層215。可以經(jīng)由外延工藝來(lái)生長(zhǎng)犧牲層205和第一半導(dǎo)體層210。將硬掩模層215、第一半導(dǎo)體層210以及犧牲層205圖案化成線形以形成有源區(qū)ACTIVE。

參見圖9B和圖10B，在有源區(qū)ACTIVE的表面上形成柵絕緣層(未示出)，然后將字線WL形成為與有源區(qū)ACTIVE交叉。字線WL可以由用于柵極的導(dǎo)電層220、柵勢(shì)壘金屬層225以及硬掩模層230來(lái)配置，并被形成為包圍有源區(qū)ACTIVE的三個(gè)側(cè)面。

參見圖9C和圖10C，將覆蓋層235形成為包圍形成有字線的半導(dǎo)體襯底200的所得表面。可以去除覆蓋層235的部分以暴露出有源區(qū)ACTIVE的邊沿部分。

參見圖9D和圖10D，經(jīng)由暴露出的有源區(qū)ACTIVE去除犧牲層205，然后在去除犧牲層的空間內(nèi)，即在半導(dǎo)體襯底200和第一半導(dǎo)體層210的表面上形成柵間隔件層240。柵間隔件層240可以包括氮化硅層?？梢詫娱g絕緣層245形成為掩埋在被去除了犧牲層205的空間內(nèi)和字線之間的空間內(nèi)。第一層間絕緣層245可以包括諸如旋涂電介質(zhì)層(SOD)的絕緣層。

參見圖9E和圖10E，在半導(dǎo)體襯底的所得結(jié)構(gòu)上形成光致抗蝕劑圖案(未示出)，以暴露出源極形成區(qū)。此時(shí)，源極形成區(qū)可以與字線WL之間的空間中的一個(gè)相對(duì)應(yīng)。另外，由光致抗蝕劑圖案暴露出的區(qū)域的寬度可以比源極形成區(qū)域的寬度大?？涛g在字線WL之間的第一層間絕緣層245、第一半導(dǎo)體層210以及在第一半導(dǎo)體層210之下的第一層間絕緣層245，以形成暴露出與源極形成區(qū)相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體襯底200的接觸孔(未示出)。將第二半導(dǎo)體層沉積在半導(dǎo)體襯底200的所得結(jié)構(gòu)上以填充在接觸孔內(nèi)。將第二半導(dǎo)體層凹陷到第一半導(dǎo)體層210的水平，以形成包括第二半導(dǎo)體層的源極區(qū)域250。接著，將第二層間絕緣層255掩埋在接觸孔內(nèi)源極區(qū)域250上。因此，可以通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)來(lái)形成源極區(qū)域250。

隨后，與在上述示例性實(shí)施例中執(zhí)行的工藝相同，可以執(zhí)行形成下電極的工藝、形成儲(chǔ)存層的工藝、以及形成位線的工藝。

如上所述，根據(jù)示例性實(shí)施例，具有水平溝道結(jié)構(gòu)的晶體管用作開關(guān)元件，使得將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件制造成穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。另外，在一個(gè)單位有源區(qū)中提供共享源極區(qū)域的兩個(gè)晶體管，且在每個(gè)漏極中提供相變儲(chǔ)存單元，使得改善具有水平溝道結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的面積效率。

上述示例性實(shí)施例僅是示例性的，本發(fā)明應(yīng)當(dāng)包括與如以上描述的以及在附圖和權(quán)利要求中的示例性特征一致的全部實(shí)施例。